• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
• /
• pp.234.1-234.1
• /
• 2015

Molybdenum disulfide (MoS2)는 van der Waals 결합을 통한 층상구조의 물질로써 뛰어난 물리화학적, 기계적 특성으로 Field Effect Transistors (FETs), Photoluminescence, Photo Detectors, Light Emitters 등의 많은 분야에서 연구가 보고 되어지고 있는 차세대 2D-materials이다. 이처럼 MoS2 가 다양한 범위에 응용될 수 있는 이유는 layer 수가 증가함에 따라 1.8 eV의 direct band gap 에서 1.2 eV 의 indirect band-gap으로 특성이 변화할 뿐만 아니라 다양한 고유의 전기적 특성을 지니고 있기 때문이다. 그러나 MoS2 는 원자층 단위의 layer control 이 어렵다는 이유로 다양한 전자소자 응용에 많은 제약이 보고 되어졌다. 본 연구에서는 MoS2 의 layer를 control 하기 위해 ICP system 에서 mesh grid 를 삽입하여 Cl2 radical을 효과적으로 adsorption 시킨 뒤, Ion beam system 에서 Ar+ Ion beam 을 통해 한 층씩 제거하는 방식의 atomic layer etching (ALE) 공정을 진행하였다. ALE 공정시 ion bombardment 에 의한 damage 를 최소화하기 위해 Quadruple Mass Spectrometer (QMS) 를 통한 에너지 분석으로 beam energy 를 20 eV에서 최적화 할 수 있었고, Raman Spectroscopy, X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS), Atomic Force Microscopy(AFM) 분석을 통해 ALE 공정에 따른 MoS2 layer control 가능 여부를 증명할 수 있었다.

• 한국지능시스템학회논문지
• /
• 제13권3호
• /
• pp.287-292
• /
• 2003

로봇의 기능이 다양해지며 복잡해지고 있다. 주위의 환경을 감지하는 센서로는 거리정보 뿐만 아니라 영상 정보, 음성 정보까지 이용하고 있다. 본 논문에서는 다양한 입력정보를 가진 로봇을 제어하기 위한 알고리즘으로 2-layer fuzzy control을 제안한다. 장애물 회피의 경우에 다수의 거리 센서를 이용하는데 이것을 앞쪽, 왼쪽, 오른쪽으로 분류하여 3개의 sub-controller를 가지고 퍼지 추론을 한 다음, 2단계에서는 이 3개의 sub-controller의 출력으로 조합된 퍼지 추론을 하여 통합적인 제어를 한다. 본문에서는 2-layer fuzzy controller와 비슷한 구조를 갖는 hierarchical fuzzy controller와 비교를 하였으며 robot following에도 적용하여 각각에 대한 시뮬레이션과 실험을 통해 성능을 확인한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
• /
• pp.613-616
• /
• 2001

Bi$_2$Sr$_2$CuO$_{x}$ thin films have been fabricated by atomic layer-by-layer deposition using ion beam sputtering(IBS) method. During the deposition, 10 and 90 wt%-ozone/oxygen mixture gas of typical pressure of 1~9$\times$10$^{-5}$ Torr are supplied with ultraviolet light irradiation for oxidation. XRD and RHEED investigations reveal out that a buffer layer with some different compositions is formed at the early deposition stage of less than 10 units cell and then Bi-2201 oriented along the c-axis is grown.n.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회
• /
• pp.1240_1241
• /
• 2009

In this paper, sol-gel-spin coated $Pb(ZrTi)O_3$ thin film with $ZrO_2$ buffer-layer and $PbTiO_3$ seed-layer was investigated for vibration MEMS energy harvester to scavenge power from ambient vibration via d33 piezoelectric mode. Piezoelectric thin film deposition techniques on insulating layer is the important key for $d_{33}$ mode of piezoelectric vibration energy harvester. $ZrO_2$ buff-layer was utilized as an insulating layer. $PbTIO_3$ seed-layer was applied as an inter-layer between PZT and $ZrO_2$ layer to improve the crystalline of PZT thin film. The fabricated PZT thin film had a remanent polarization of 5.3uC/$cm^2$ and the coercive field of 60kV/cm. The fabricated energy harvester using PZT thin film with PTO seed-layer generated 1.1uW of electrical power to $2.2M{\Omega}$ of load with $4.4V_{pvp}$ from vibration of 0.39g at 528Hz.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
• /
• pp.281-283
• /
• 2001

$Bi_{2}Sr_{2}CuO_{x}$(Bi-2201) thin films were fabricated by atomic layer-by-layer deposition using an ion bearn sputtering method. 10 wt% and 90 wt% ozone mixed with oxygen were used with ultraviolet light irradiation to assist oxidation. At early stages of the atomic layer by layer deposition. two dimensional epitaxial growth which covers the substrate surface would be suppressed by the stress and strain caused by the lattice misfit. then three dimensional growth takes place. Since Cu element is the most difficult to oxidize. only Sr and Bi react with each other predominantly. and forms a buffer layer on the substrate in an amorphous-like structure. which is changed to $SrBi_{2}O_{4}$ by in-situ anneal.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.281-283
• /
• 2001

Bi$_2$Sr$_2$CuO$\_$x/(Bi-2201) thin films were fabricated layer-by-layer deposition using an ion beam sputtering method. 10 wt% and 90 wt% ozone mixed with oxygen were used ultraviolet light irradiation to assist oxidation. At early stages of the atomic layer by layer deposition, two dimensional epitaxial growth which covers the substrate surface would be suppressed by the stress and strain caused by the lattice misfit, then three dimensional growth takes place. Since Cu element is the most difficult to oxidize, only Sr and Bi react with each other predominantly, and forms a buffer layer on the substrate in an amorphous-like structure, which is changed to SrBi$_2$O$_4$ by in-situ anneal.

• Journal of Mechanical Science and Technology
• /
• 제20권2호
• /
• pp.271-277
• /
• 2006

A numerical study is made of the spin-up from rest of a three-layer fluid in a closed, vertically-mounted cylinder. The densities in the upper layer $\rho_1$, middle layer $\rho_2$ and lower layer $\rho_3\;are\;\rho_3\;>\;\rho_2\;>\;\rho_1$, and the kinematic viscosities are left arbitrary. The representative system Ekman number is small. Numerical solutions are obtained to the time-dependent axisymmetric Navier-Stokes equations, and the treatment of the interfaces is modeled by use of the Height of Liquid method. Complete three-component velocity fields, together with the evolution of the interface deformations, are depicted. At small times, when the kinematic viscosity in the upper layer is smaller than in the middle layer, the top interface rises (sinks) in the central axis (peripheral) region. When the kinematic viscosity in the lower layer is smaller than in the middle layer, the bottom interface rises (sinks) in the periphery (axis) region. Detailed shapes of interfaces are illustrated for several cases of exemplary viscosity ratios.

• 한국해양학회지:바다
• /
• 제6권1호
• /
• pp.13-26
• /
• 2001

망간각의 조직 및 지화학적 특성과 코발트 연대측정법(Co-chronometry)을 이용하여, 망간각 형성 이후의 서태평양 지역 고해양환경 변화를 파악하기 위하여 마샬제도 배타적 경제수역 내 Lomilik과 Litakpooki 해저산에서 채취된 6개의 망간각을 분석하였다. 망간각은 조직과 지화학적 성분 차이에 의해, 치밀한 조직(층 1), 퇴적물이나 철산화물이 충진되어 있는 다공성 조직(층 2),그리고 탄산염불화 인회석(Carbonate Fluoapatite)이 충진 또는 치환하고 있는 흑색의 균질한 조직(층 3)의 3개 층으로 구분된다. 층 1은 층 2에 비해 Mn, Co, Ni, Mg의 함량이 높고, 층 2는 Fe, Al, Ti, Ba, Cu, Zn의 함량이 높다. 층 3은 Ca, p의 함량이 층 1과 층 2에 비해 현저히 높으며, Mn, Fe, Co, Ni등의 함량은 층 1과 층 2에 비해 낮다. 코발트 연대측정법 결과에 근거할 때, 연구지역의 망간각은 최소 56~31 Ma(초기 에오세${\sim}$올리고세)전에 형성되기 시작한 것으로 추정된다. 층 1과 층 2, 층 2와 층 3의 경계면은 7${\sim}$3 Ma, 26${\sim}$14 Ma정도이다. 층 3은 층 2가 형성되기 이전의 인산화 작용으로 Ca와 P의 함량이 높으며, 미세조직들이 잘 보존되어 있는 것으로 보아 층 3의 철${\cdot}$망간산화물들이 아산화(suboxic)환경에서 재결정되었다고 보기는 힘들다. 또한 층 3에서 Mn에 비해 상대적으로 더 낮은 Co 함량 등을 고려할 때 과거 지질시대동안 Co 공급량이 일정치 않았을 가능성도 있다. 다공성 조직의 층 2는 약 26${\sim}$9 Ma 동안 형성되었다. 공극사이에 유공충을 포함한 생물기원퇴적물이 포함되어 있으며, Ba, Cu, Zn 등 수층 생물과 관련된 원소의 함량이 높은 것으로 보아 층 2는 고에너지환경에서 형성되었음을 시사한다. 또한 층 2에서 Al의 증가는 쇄설기원 물질의 유입에 의한 것으로 추정된다. 플라이오세 이후에 형성된 층 1은 치밀한 조직을 보이며, 형성 이후 속성작용을 받지 않았다.

• 한국재료학회지
• /
• 제8권10호
• /
• pp.925-930
• /
• 1998

LPE법을 이용하여 $Bi_2Sr_2-\chi_LCa_1+\chi_LCu_2O_{8+d}$(xL=0, 0.1, 0.2 ,0.3, 0.4, 0.5, 0.6)막(film)을 작성하여 XPS 측정과 EPMA측정을 통하여 Sro-layer와 Ca-layer에 있어서 Sr과 Ca의 상호치환 상태와 초전도특성을 조사하였다. 작성한 막(film)은 c-축으로 강하게 배향되었고, $\chi_L$(용액조성비)의 증가에 따라 임계온도 $T_C^{zero}$와 c-축의 길이는 단조로이 감소를 보였으며, Car-rier농도는 약간 감소하는 경향을 보였다. 또한, SrO-layer에서는 Sr은 $\chi_L$의 증가에 따라 감소를 보이며, Ca는 약 0.15에 포화된 후 약간 감소하였다. Ca-layer에서의 Sr과 Ca는 $\chi_L$에 비례적으로변하며, 이때 변화율은 SrO-layer보다 컸다. 이런 현상은 Sr이 양쪽 layer에서 감소하는데 비하여, Ca는 거의 Ca-layer에서만 증가함을 의미하는 것이다. $\chi_L$의 증가에 따라, SrO-layer에서의 결손은 증가를 보였으며, 이는 SrO-layer에서 결손이 임계온도 $T_C^{zero}$의 감소에 영향을 미쳤다고 생각된다.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제52권4호
• /
• pp.290-293
• /
• 2015

The properties of the IZTO thin films on the glass were studied with a variation of the $SiO_2$ buffer layer thickness. $SiO_2$ buffer layers were deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) on the glass, and the In-Zn-Tin-Oxide (IZTO) thin films were deposited on the buffer layer by RF magnetron sputtering. All the IZTO thin films with the $SiO_2$ buffer layer are shown to be amorphous. Optimum $SiO_2$ buffer layer thickness was obtained through analyzing the structural, morphological, electrical, and optical properties of the IZTO thin films. As a result, the IZTO surface roughness is 0.273 nm with a sheet resistance of $25.32{\Omega}/sq$ and the average transmittance is 82.51% in the visible region, at a $SiO_2$ buffer layer thickness of 40 nm. The result indicates that the uniformity of surface and the properties of the IZTO thin film on the glass were improved by employing the $SiO_2$ buffer layer and the IZTO thin film can be applied well to the transparent conductive oxide for display devices.