• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.337-337
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• 2010

갈륨-질화물 (GaN) 기반의 고 전자 이동도 트랜지스터 (High Electron Mobility Transistor, HEMT)는 GaN의 큰 밴드갭 (3.4~6.2 eV), 높은 항복전계 (Ec~3 MV/cm) 및 높은 전자 포화 속도 (saturation velocity $-107\;cm{\cdot}s-1$) 특성과 AlGaN/GaN 등과 같은 이종접합구조(Heterostructure )로부터 발생하는 높은 면밀도(Sheet Concentration)를 갖는 이차원 전자가스(Two-Dimensional Electron Gas, 2DEG) 채널로 인해 차세대 고출력/고전압 소자로서 각광받고 있다. 하지만 드레인 쪽의 게이트 에지부분에 집중되는 전계로 인한 애벌린치 할복현상(Breakdown)이 발생하는 문제점이 있다. 따라서 AlGaN/GaN HEMT의 항복전압 향상을 위한 방법으로 필드플레이트(Field-Plate) 구조가 많이 사용되고 있다. 본 논문에서는 2D 시뮬레이션을 통한 AlGaN/GaN HEMT의 필드플레이트 구조 최적화를 수행하였다. 이를 위해 ATLASTM 전산모사 프로그램을 이용하여 필드플레이트 길이, 절연체 증류 및 두께에 따른 전류 전압 특성 및 전계 분산효과에 대한 전산모사를 수행하여 그 결과를 비교, 분석 하였다, 이를 바탕으로 기존의 구조에 비해 약 300%이상 향상된 항복전압을 갖는 AlGaN/GaN HEMT의 최적화된 필드 플레이트 구조를 제안하였다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제16권3호
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• pp.339-345
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• 2016

This paper presents a two-stage power amplifier MMIC using a $0.4{\mu}m$ GaN-HEMT process. The two-stage structure provides high gain and compact circuit size using an integrated inter-stage matching network. The size and loss of the inter-stage matching network can be reduced by including bond wires as part of the matching network. The two-stage power amplifier MMIC was fabricated with a chip size of $2.0{\times}1.9mm^2$ and was mounted on a $4{\times}4$ QFN carrier for evaluation. Using a downlink LTE signal with a PAPR of 6.5 dB and a channel bandwidth of 10 MHz for the 2.6 GHz band, the power amplifier MMIC exhibited a gain of 30 dB, a drain efficiency of 32%, and an ACLR of -31.4 dBc at an average output power of 36 dBm. Using two power amplifier MMICs for the carrier and peaking amplifiers, a Doherty power amplifier was designed and implemented. At a 6 dB back-off output power level of 39 dBm, a gain of 24.7 dB and a drain efficiency of 43.5% were achieved.

• 한국전자파학회논문지
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• 제25권4호
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• pp.401-410
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• 2014

본 논문에서는 1.3 GHz와 2.1 GHz에서 소형화된 multi-harmonic matching network(MHMN)을 사용한 고효율 동시-이중대역 Class-E 전력 증폭기를 제안한다. 제안하는 구조는 스위치 혹은 집중 소자를 사용하지 않고, transmission line만을 이용하여 1.3 GHz과 2.1 GHz 그리고 각각의 2차 및 3차 고조파의 임피던스를 조절하였다. 능동 소자로는 Avago ATF-50189 GaAs p-HEMT가 사용되었다. 제작된 전력증폭기는 입력 전력이 21 dBm일 때 1.3 GHz와 2.1 GHz에서 각각 27.1 dBm, 25.7 dBm의 출력과, 6.1 dB, 4.7 dB의 전력 이득, 그리고 71.2 %, 60.1 %의 드레인 효율 특성을 나타내었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제18권5호
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• pp.522-529
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• 2007

마이크로파 광대역 능동 주파수 분주기는 가변 위상 변환기(tunable polyphase filter)와 가변 영상 주파수 제거 혼합기(tunable image-rejection mixer)를 연결한 것에 정적 이분 주기(static divide-by-2)를 궤환 경로로 연결하여 구성하였다. 출력에서 원하지 않는 불요파 신호를 영상주파수 제거 혼합기와 가변 위상 변환기를 조정함으로써 넓은 주파수 영역에서 제거할 수 있었다. GaInP/GaAs HBT 공정을 이용하여 설계된 1.5 분주비를 갖는 주파수 분주 회로는 4.5 GHz에서 9.2 GHz의 광대역 입력 주파수 영역에서 동작하였으며, $1/3{\times}f_{in}$과 $f_{in}$ 불요파 성분이 모두 -20 dBc 이하로 억제되었다. 소모 전력은 4.1 V에서 29 mA이다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.3-7
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• 2004

$HgGa_2S_4:CO^{2+}$ single crystal were grown by the chemical transport reaction(CTR) method. 1n the optical absorption spectrum of the $HgGa_2S_4:CO^{2+}$ single crystal measured at 298K, three groups of impurity optical absorption peaks consisting of three peaks, respectively, were observed at 673nm, 734nm, and 760nm, 1621nm, 1654nm, and 1734nm, and 2544nm, 2650nm, and 2678nm. At 10K, the three peaks(673nm, 734nm, and 760nm) of the first group were split to be twelve peaks. These impurity optical absorption peaks are assigned to be due to the electronic transitions between the split energy levels of $Co^{2+}$ sited in the $S_4$ symmetry point.

• 센서학회지
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• 제29권4호
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• pp.266-269
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• 2020

In this study, we investigated the effect of a sulfur passivation (S-passivation) process step on the electrical properties of surface-channel In_0.7Ga_0.3As quantum-well (QW) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with S/D regrowth contacts. We fabricated long-channel In_0.7Ga_0.3As QW MOSFETs with and without (NH₄)₂S treatment and then deposited 1/4 nm of Al₂O₃/HfO₂ through atomic layer deposition. The devices with S-passivation exhibited lower values of subthreshold swing (74 mV/decade) and drain-induced barrier lowering (19 mV/V) than the devices without S-passivation. A conductance method was applied, and a low value of interface trap density D_it (2.83×10¹² cm^-2eV^-1) was obtained for the devices with S-passivation. Based on these results, interface traps between InGaAs and high-κ are other defect sources that need to be considered in future studies to improve III-V microsensor sensing platforms.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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• pp.755-758
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• 2003

본 논문에서 단거리전용통신(DSRC)용 OBE에 사용되는 5.8GHz 송신측 ASK와 PA를 one-chip화하여 MMIC로 설계를 및 제작하였다. 설계된 ASK-PA는 3V 단일 공급전원을 사용하였고, 능동 소자로서 GaAs MESFET을 사용하였다. ASK는 회로의 복잡도를 줄이기 위해 직접변조 방식을 채택하였고, 인접채널 간섭의 영향을 줄이기 위하여 드레인 제어 변조회로를 사용하였다. 또한 전력증폭기는 2단으로 하여 AB급으로 동작하도록 전압분배 바이어스회로로 구성하였다. 측정결과 3V의 공급전압에서 전체이득 20.63dB, 송신출력 7.8dBm으로 나타냈다. 공정은 ETRI 0.5㎛ GaAs MESFET 공정을 사용하였고, Chip size는 1.2mm×l.4mm이다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제29권5호
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• pp.336-343
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• 2018

본 논문에서는 Win 사의 상용 $0.25{\mu}m$ GaAs pHEMT 공정 기술을 이용하여 X-대역(10.5~13 GHz)에서 동작하는 수신부 코아-칩의 설계 및 제작을 보였다. X-대역 코아-칩은 저잡음증폭기, 4-비트 위상천이기, 직렬-병렬 컨버터(SPC: Serial to parallel data converter)로 구성되며, 크기는 $1.75{\times}1.75mm^2$로 지금까지 보고된 코아-칩 중 가장 소형의 크기를 갖는다. 사용 주파수 대역에서 이득 및 잡음지수는 각각 10 dB 이상, 2 dB 미만, 입출력 반사손실은 10 dB 미만이다. RMS 위상 오차는 12.5 GHz에서 $5^{\circ}$ 미만, P1dB는 2 dBm으로 타 코아-칩과 대등한 성능을 갖는다. 제작된 코아칩은 조립의 편의를 제공하기 위해 $3{\times}3mm^2$ 크기를 갖는 QFN 패키지로 패키지되었으며, 패키지된 코아-칩의 성능은 칩-자체의 성능과 거의 같음을 확인하였다.

• 약학회지
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• 제35권3호
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• pp.174-181
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• 1991

These experiments were conducted to investigate the effects of glycyrrhizin(GL) and glycyrrhetinic acid(GA) on histamine synthesis, lymphocyte blastogenesis in C57BL/6J mice splenocytes, IL-1 production, $Ca^{2+}$ uptake by macrophage-like P388D$_{1}$ cells and plaque forming cell assay against SRBC. Histamine contents, lymphocyte blastogenesis, IL-1 activity, $Ca^{2+}$ uptake and plaque forming cell were determined by enzyme isotope method, [sup 3/H]-thymidine incorporation, C3H/HeJ mouse thymocytes proliferation, the addition of 5 $\mu$Ci/ml $^{45}$Ca$^{2+}$ to P388D$_{1}$, cell suspension and assay to sheep red blood cell, respectively. Cytotoxicity, which was expressed as 50% mortality, was occurred by the addition of GL(10$^{-3}$M) and GA(10$^{-4}$M). Histamine production in mouse spleen cell culture was significantly increased by the addition of 0.25 $\mu\textrm{g}$/ml of Con A, after 48 hour incubation. Con A dependent T-lymphocyte proliferation was also enhanced by the addition of 0.25 .mu.g/ml of Con A. The effects of GL on histamine contents and T-lymphocyte proliferation were significantly decreased at high dose (10$^{-5}$M), while IL-1 activity was remarkably suppressed by 10$^{-8}$~10$^{-4}$M of GL. $Ca^{2+}$ uptake was not changed, but antibody production was increased by GL(10 mg/kg). GA inhibited histamine contents at 10$^{-9}$~10$^{-7}$ and depressed Con A (0.25 $\mu\textrm{g}$/ml) dependent T-lymphocyte proliferation at 10$^{-7}$~10$^{-5}$M of GA, but increased suboptimal dose (Con A 0.1 $\mu\textrm{g}$/ml) at 10$^{-9}$~10$^{-7}$M of GA. IL-1 activity was suppressed by 10$^{-8}$~10$^{-4}$M of GA and $Ca^{2+}$ uptake was enhanced by 10$^{-9}$~10$^{-6}$ of GA, but antibody production was not changed by GA. From the above results, it is suggested that GL and GA have immuno-regulatory action. GL decreased cell-mediated immune response, and increased humoral immune response at high dose. On the other hand, low dose of GA enhanced cell-mediated immune response, while high doses of GA decreased humoral immune reaction.

• Journal of Plant Biotechnology
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• 제31권2호
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• pp.121-126
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• 2004

금낭화 (Dicentra spectabilis L.)는 개발가치가 있는 국내 자생화 중의 하나로서 우수한 품종의 대량생산이 절실히 요구되는 실정이다. 본 연구는 현탁배양을 통한 배발생세포의 대량증식과 체세포배 발생 및 식물체재생의 적정조건을 구명하여 효율적인 기내묘목의 대량생산 체계를 확립하고자 시도되었다. 1.0mg/L 2,4-D SH고체배지에서 유도된 배발생캘러스를 현탁배지에서 증식시킨 결과, 1.0mg/L 2,4-D를 포함한 SH배지에서 MS배지에 비해 증식율이 높게 나타났으며, 체세포배 발생율은 1/2배 SH기본배지에서 가장 높게 나타났다. 250$m\ell$ 삼각플라스크에서 5,000개 이상의 고빈도로 체세포배가 생산되었다. 체세포배로부터 발아유도시에 GA$_3$는 정상적인 식물체로의 재생을 억제하는 효과를 나타내었으며, 정상적인 식물체 재생은 1/2희석 SH배지에서 양호하였다, 신초와 뿌리를 갖는 유식물체를 모래와 원예용상토(5:1, vol)가 혼합된 토양이 함유된 포트에 이식하여 1개월 후 58%의 생존율을 나타내었다. 이상의 결과를 활용하면 체세포배로부터 금낭화의 묘목을 대량생산 할 수 있을 것으로 생각된다.