• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1989년도 하계종합학술대회 논문집
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• pp.707-711
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• 1989

This system exchange half-duplex serial data at 1200 baud by FSK modulating a carrier frequency at 200KHz over the 110V A.C. power line. Transmitter output voltage to A.C. line is 4V p-p and line sensitivity is selected 2.54mV because CISPR Noise limitation is $66dB{\mu}V$ at 150 ${\sim}$ 500KHz. The designed and realized system has abtained system margin of 58 dB and probability of error, Pe = $1.78{\times}10^{-7}$ was obtained

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제17권1호
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• pp.50-55
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• 2016

In this paper, we have analyzed the electrical characteristics of 1200V trench gate field stop IGBT and have compared to NPT planar type IGBT and NPT planar field stop IGBT. As a result of analyzing, we obtained superior electrical characteristics of trench gate field stop IGBT than conventional IGBT. To begin with, the breakdown voltage characteristic was showed 1,460 V and on state voltage drop was showed 0.7 V. We obtained 3.5 V threshold voltage, too. To use these results, we have extracted optimal design and process parameter and designed trench gate field stop IGBT. The designed trench gate IGBT will use to inverter of renewable energy and automotive industry.

• 전자공학회논문지
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• 제49권12호
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• pp.194-200
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• 2012

본 논문에서는 SPICE 시뮬레이션을 위한 고전압 insulated gate bipolar transistor(IGBT)의 개선된 모델을 제안하였다. IGBT를 부속 소자인 MOSFET과 BJT의 조합으로 구성하고, 각 소자의 각종 파라미터 값을 조절하여 기본적인 전류-전압 특성과 온도변화에 따른 출력특성의 변화 등을 재현하였다. 그리고 비선형적인 리버스 트랜스퍼 커패시턴스 등의 기생 커패시턴스의 전압에 따른 변화를 높은 정확도로 재현하기 위해, 복수의 접합 다이오드, 이상적인 전압 및 전류 증폭기, 전압제어 저항, 저항과 커패시터 수동소자 등을 추가하였다. 본 회로모델을 1200V급의 트렌치 게이트 IGBT의 모델링에 이용하였으며, 실측자료와 비교하여 통해 모델의 정확도를 검증하였다.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제9권3호
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• pp.127-133
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• 2004

본 연구에서 개발하고자 하는 기기는 K형 열전대를 이용하여 온도를 제어 할 수 있는 온도제어 시스템으로써, 안정된 전압 레귤레이터, 22Bit 디지털 변환기와 분해능이 22Bit로 이루어졌다. 미소 전압을 25배 증폭 할 수 있게 하였고, 0～1200도 사이의 온도를 DC 0.1V～DC 4.7V내에서 제어하도록 설계하였다. PIC16C74로 Micro-controller의 software와 hardware의 블록 다아이 그램을 고안하였으며, VFD기능과 Power Block간에 인터페이스가 가능하도록 구성하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1991년도 하계학술대회 논문집
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• pp.274-276
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• 1991

Since the successful development of 154kV XLPE cable in 1983, its commercial use has been drastically expanded due to technical advantages and high performance of insulation, Futhermore, the large conductor size of 1200ml and 2000ml has been mainly employed in Korea for the purpose of meeting the bulk power demand in urban area. However, it is highly required to solve the problems which can be occured at the level of the joints between the cables of different type such as between existing OF and XLPE cables.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 하계학술대회 논문집 E
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• pp.2152-2154
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• 1999

In this paper, we suggested the design rule of high-voltage rectangular waveform generator working in low frequency domain (5Hz $\sim$ 60Hz). Most of the commonly used power electronic switching devices have voltage ratings up to several kV. So it is difficult to design and fabricate high-voltage switching systems with the power electronic devices alone. We have combined IGBTC(1200V, 50A) with the specially designed transformer to get the high-voltage rectangular waveforms up to 40kV. In this work. next two things are the main factors. The first one is design of transformer working low-frequency domain close to 5Hz. And the second one is additional voltage source to floating the transformer voltage output. As a result, we can get frequency-variable and high-voltage rectangular voltage waveform and this can be a more efficient power source of sandpaper manufacturing process.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• 제23권5호
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• pp.686-692
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• 1999

For the purpose of increasing compressed air pressure higher than 30bar lightening weight and decreasing installation area of air compressor used for shipboard and industrial power plant it is necessary to arrange its cylinders as a w-type or v-type construction multi-stage compression pro-cess more than two stages and to increase its operation speed higher than 1200rpm In this recip-rocating type air compressor operated in high speed having a crank mechanism and complicate cylinder arrangement there is a vibration problems which can be solved by balancing its recipro-cating parts with balance weight and approriate arranging of cylinder's arrangement angles.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 추계학술대회 논문집 전기기기 및 에너지변환시스템부문
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• pp.205-207
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• 2001

In response to this inverter microwave oven has been developed to improve high speed cooking time & energy saving performance. The voltage resonating inverter has a defect in switching element that works at 5 or 6times higher than input voltage. Especially, it is very difficult to choose the switching device is very high for the 220 (V) commercial voltage. In this paper, it is proposed the optimum method to realize the turbo 1200(W) output power for microwave oven that is employed the 900(V) IGBT with decreasing operating voltage of the switching component by making the 220(V), 1000(W) inverter through the active clamp voltage resonating inverter.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2020년도 전력전자학술대회
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• pp.221-223
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• 2020

반도체 기반 고전압 펄스 발생장치에 적용 가능한 고전압 스위치는 주로 수 kV 정격의 반도체 스위치를 직렬로 스태킹하여 구성되며, 이때 각 스위치 소자에는 절연과 동기화된 각각의 게이트 신호가 인가되어야 한다. 본 논문에서는 짧은 펄스 폭의 온, 오프 게이트 펄스와, 단일 턴의 고전압 전선을 일차측으로 갖는 게이트 변압기를 통해 직렬로 구성된 반도체 스위치 스택 기반의 펄스 모듈레이터에 적용 가능한 간단한 구조의 게이트 구동회로가 설계되었다. 각 스위치에 게이트 신호를 전달하기 위해 온, 오프 게이트 펄스를 사용함으로써 게이트 변압기의 포화를 방지할 수 있으며, 이때 각 스위치의 게이트 턴-온, 오프 전압은 변압기 이차측의 제너 다이오드와 스토리지 커패시터를 통해 유지된다. Pspice 시뮬레이션을 통해 12개의 IGBT를 직렬로 구성하여 설계된 구조의 게이트 회로를 적용, 최대 10kV 펄스 출력 조건에서 안정적인 동작을 확인하고 설계를 검증하였으며 1200V 급 IGBT를 사용하여 실제 스위치 스택과 게이트 구동회로 모듈을 1리터 이내의 부피로 고밀도화하여 제작하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.236-236
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• 2011

본 연구 축전 결합형 고주파 플라즈마(CCP) 식각장비에 펄스 직류(Pulse DC) 전원을 인가하여 오실로스코프(oscilloscope)를 분석하여 전기적 특성을 평가하는 것이다. 펄스 직류전원 플라즈마 시스템에서는 다양한 변수를 이해하여야 한다. 본 실험에서 사용한 공정 변수는 Pulsed DC Voltage 300~500 V, Pulsed DC reverse time $0.5{\sim}2.0{\mu}s$, Pulsed DC Frequency 100~250 kHz 이었다. 실험 결과를 정리하면 1) Pulsed DC Voltage 가 증가할수록 Input voltage의 최대값은 336~520 V, 최소값은 -544~-920 V로 변하여 피크 투 피크 (peak to peak)값은 880~1460 V로 증가였다. Input current 또한 최대값은 1.88~2.88 A, 최소값은 -0.84~-1.28 A로 변하여 피크 투피크 값은 2.88~4.24 A로 증가하였다. 이는 척에 인가되는 전류와 파워의 증가를 의미한다. 2) Pulsed DC reverse time이 증가하면 Input voltage와 Input current값이 증가했다 (Input voltage의 피크 투 피크 값은 1200~1440 V, Input current의 피크 투 피크 값은 3.56~4.56 A). 3) Pulsed DC frequency가 증가하면 주기가 짧아져 Input voltage와 Input current값이 증가 한다 (Input voltage의 피크 투 피크 값은 900~1320 V, Input current의 피크 투 피크 값은 2.36~3.64 A). 결론적으로 펄스 직류 플라즈마의 다양한 전기적 변수들은 반응기 내부에 인가되는 Input voltage와 Input current의 값에 큰 영향을 준다는 것을 알 수 있었다.