Using the Vienna ab initio simulation package (VASP) incorporating van der Waals interaction, we have explored structural, adsorption, and magnetic properties of Ni(111)/BN/Co(111) systems. We have found that both Ni(111) and Co(111) layers shows half metallic state, while the spacer BN layer becomes weak metal for one monolayer (ML) thickness and an insulating barrier for two ML thickness. The half metallic states in both Ni(111) and Co(111) layers are robust because it is unchanged independently on the magnetic coupling of Ni(111) and Co(111). This finding suggests that the Ni(111)/BN/Co(111) systems can be utilized for perfect tunneling magnetoresistance system. Moreover, it can be applied for potential spin injecting into semiconductor in FM/semiconductor system due to the fact that the half metallic state in FM layers at the interface will be unchanged.
고체상 켜쌓기법(solid phase epitaxy)으로$Ge_xSi_{1-x}/Si$(111) 이종접합을 형성하기 위해 Si(111) 기판위에 먼저 Au를 1000A 증착하고 그 위에 Ge을 1000A 증착시켜 a-Ge/Au/Si(111)구조를 형성하고 이를 고진공 조건에서 이단계 열처리 하였다. 열처리 후 Auger 전자분광분석(AES), X-ray 회절(XRD), 고분해 투과전자현미경(HRTEM) 등을 통해 Au와 Ge의 거동과 형성된 $Ge_xSi_{1-x}$막의 특성을 열처리 조건에 따라 분석하였다. a-Ge/Au/Si(111)구조는 열처리에 의해 Au/GeSi/Si(111)의 구조로 변했으며 형성된$Ge_xSi_{1-x}/$((111)층은 Si(111) 기판의 면 방향과 잘 일치하였다. 그러나 $Ge_xSi_{1-x}/Si$((111)층 내부에 적층결함, 전이, 쌍정, planar defect 등이 주로 (111)면 방향으로 형성되어 있음을 알 수 있었다.
본 연구에서는 Si(111) 기판을 이용하여 고품질의 GaN 박막을 성장하기 위하여 다양한 패턴을 갖는 Si 기판을 제작하였다. Si(111) 기판위에 이온 스퍼터(ion-sputter)를 이용하여 Pt 박막을 증착한 후 열처리(thermal annealing)하여 Pt 금속 마스크를 형성하고 유도 결합 플라즈마 이온 식각(inductively coupled plasma-reactive ion etching, ICP-RIE) 공정을 통하여 기둥(pillar)형태의 나노 패턴된 Si(111) 기판을 제작하였고 리소그래피 공정을 통하여 마이크로 패턴된 Si(111) 기판을 제작하였다. 일반적인 Si(111) 기판, 마이크로 패턴된 Si(111) 기판 및 나노 패턴된 Si(111) 기판위에 유기화학기상증착(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD) 방법으로 GaN 박막을 성장하여 표면 특성과 결정성 및 광학적 특성을 분석하였다. 나노 패턴된 Si(111) 기판위에 성장한 GaN 박막은 일반적인Si(111) 기판과 마이크로 패턴된 Si(111) 기판위에 성장한 GaN 박막보다 표면의 균열과 거칠기가 개선되었다. 나노 패턴된 Si(111) 기판위에 성장한 GaN (002)면과 (102)면에 x-선 회절(x-ray diffraction, XRD) 피크의 반폭치(full width at half maximum, FWHM)는 576 arcsec, 828 arcsec으로 다른 두 기판위에 성장한 GaN 박막 보다 가장 낮은 값을 보여 결정성이 향상되었음을 확인하였다. Photoluminescence(PL)의 반폭치는 나노 패턴된 Si(111) 기판위에 성장한 GaN 박막이 46.5 meV으로 다른 기판위에 성장한 GaN 박막과 비교하여 광학적 특성이 향상되었음을 확인하였다.
무단체 Ag-111의 상태를 여과법에 의하여 연구하였다. 이 연구는 막여과자에 의하여 수용액에 있어서 Ag-111의 pH 및 농도변화에 대한 효과를 조사하였다. 이 연구결과 막여과지에 대한 Ag-111의 부착은 Freundlich 흡착 등온식에 따르고 Ag-111의 흡착상태는 AgOH 형태로 존재하며 높은 pH에서 흡착성이 없는 $Ag(OH)_{2}-$는 Ag의 흡착을 방해하는 것으로 생각된다. 또한 무단체 Ag-111는 수용액중에서 $Ag^+$상태로 존재하고 있다.
감염병소와 진단을 위해 여러 방사성성핵종 표지 사람비특이항체들이 임상이용되었으나, $^{123}I,\;^{99m}Tc,\;^{111}In$등 표지 핵종과 표지방법에 따른 체내동태의 차이에 대한 자료가 필요하며, 감염병소의 진단에 표준적으로 이용되어지던 $^{111}In$-oxine표지백혈구와 비교평가도 요구된다. 저자들은 $10^9$개의 포도상구균을 좌측 대퇴부에 주사하여 농양을 유발한 백서에서 $^{123}In$ 표지, iminothiolane을 이용한 $^{99m}Tc$ 표지, DTPA이용 $^{111}In$ 표지 사람비특이항체와 $^{111}In$-oxine 표지 백혈구의 체내동태 및 농양섭취율을 비교하였다. $^{123}In$-IgG는 갑상선 및 위의 방사능이 높아 체내 탈요드반응이 빠름이 시사되었으며, $^{99m}Tc$-iminothiolane IgG는 신장방사능이 높아 신장으로 IgG 또는 대사물이 배설됨을 알 수 있었다. $^{111}In$-oxine표지 백혈구는 간 및 비장의 방사능이 높았고, 혈액방사능 제거율이 가장 빨랐다. 주사 24시간 후의 농양섭취율은 $^{111}In$-DTPA IgG가 가장 높았고, 농양 대 혈액 방사능비는 $^{111}In$-oxine표지 백혈구가 가장 높았으며, $^{111}In$-DTPA IgG와 $^{99m}Tc$-iminothiolane IgG가 다음으로 비슷하였다. $^{111}In$-oxine표지 백혈구보다는 방사성핵종표지 IgG가 간편하게 이용될 수 있으며, $^{111}In$ 이 $^{99m}Tc$나 $^{123}In$보다 지연영상의 촬영에 유리함을 알 수 있었다.
강유전성 BaTiO3의 분역 구조를 이해하는 것은 폴링과정에 있어서 대단히 중요하면 대부분의 BaTiO3 세라믹스에서 흔히 발견되는 구조 쌍정 계면에서의 배향관계는 아직까지 보고된 바 없다. 본 연구에서는 {111} 쌍정을 이루고 있는 길정시편을 이용하여 편광현미경하에서 분역구조를 관찰하고, 열처리에 의하여 상전이되는 동안 {111} 쌍정과 강유전성 분역의 거동을 현미경하에서 직접적으로 관찰하였다. {111} 쌍정면 암측으로 대칭적 분역구조가 발될되며, 그 배열 형태는 'V'자 모양과 수직하게 관통하는 것처럼 직선 모양의 두가지 형으로 분류된다. 열처리에 의하여 새로운 분역구조가 형성될때 {111} 쌍정면 주위에서는 대칭적 관계를 유지하면서 분역이 발달되며, 분역형성에 기인하는 표면변형도 {111} 쌍정에 대하여 항상 대칭적으로 발달된다. 이는 {111} 계면에서도 분극반향이 바뀌어지며 "머리-꼬리"의 전지적 안정성의 배향관계를 유지하는 것으로 설명할 수 있다.
The effects of adsorption and desorption of alkali-metals on Si(111) surface were investigated by using AES and RHEED-system. The adsorption system is a fundamental interest because of its unique electronic properties such as measurement of work function change, adatom-core level shift. It was found that the growth node of K on Si(111) surface was layer by layer growth and the saturation coverage was 2.0ML at room temperature. Superstructure changes on Si(111) surface according to the alkali-metal thickness and substrate temperatures were accurately defined. By applying the isothermal desorption method, the desorption energies of Li/Si(111) and K/Si(111) surfaces was measured. On Li/Si(111) and K/Si(111) surfaces, the desorption energies were 3.07 eV, 2.19 eV respectively.
[ $^{111}$ ]In has wide applications in nuclear medicine for labelling and in-vivo distribution studies. A method is developed for the production of carrier free $^{111}$In using the reaction $^{nat.}Cd(p,\;xn)$$^{111}$In with MC-50 cyclotron. Carrier free $^{111}$In was separated from the irradiated metallic cadmium by liquid-liquid extraction and cation exchange chromatography. The yield of $^{111}$In at EOB is $0.8mCi/{mu}\;Ahr$ and the nuclidic purity is over 99%. $^{111}In-DTPA\;and\;^{111}In-bleomycin$ were prepared for medical study.
Comparing the adsorption properties and dissociation on a Pt(111) iththat ona Fe(111) surface, we have con-sidered seven coordination modes of the adsorbed binding site: $di-${\sigma}$${\Delta}$\mu\pi/\mu$, 1-fbld,2-fold, and 3-fbld sites. On the Pt(111) surface, t he adsorbed binding site of carbon dioxide was strongestat the1-fold site and weakest at the $\pi/\mu-site.$ The adsorbed binding site on the Fe(111) surface was strongest at the di-бsite and weakest at the 3-fold site. We have found that the binding energy at each site that excepted 3-fold on the Fe(111) surface was stronger than the binding energy on the Pt(111) surface and that chemisorbed $CO_2bends$ because of metal mixing with $2\piu${\rightarrow}$6a_1CO_2orbital.$, The dissociation reaction occured in two steps, with an intermediate com-plex composed of atomic oxygen and ${\pi}bonding$ CO forming. The OCO angles of reaction intermediate com-plex structure for the dissociation reaction $were115^{\circ}Con$ the Pt(111), and $117^{\circ}C$ on the Fe(111) surface. We have found that the $CO_2dissociation$ rea11) surface proceeds easily,with an activationenergy about 0.2 eV lower than that on the Pt(111) surface.
[ $Li/Ge(111)-3{\times}1$ ] 표면의 구조를 고찰하기 위해, Ge 3d core-level 광전자 스펙트럼을 분석하였다. Curve fitting을 통하여 스펙트럼에서 bulk Ge 3d peak에 해당하는 peak의 양쪽에 각각 하나씩의 표면 성분이 있음을 확인하였다. $Li/Ge(111)-3\times1$ 표면의 core-level spectrum에서의 두 표면 peak의 존재와 그 위치는 같은 금속에 의해 유도된 $Si/Ge(111)-3\times1$의 경우와 유사하며, 이는 두 표면의 구조fl서의 유사성을 시사한다. $Li/Ge(111)-3\times1$ 표면의 core-level 광전자 스펙트럼에서 보이는 두 개의 표면 성분의 존재와 위치는 알칼리 금속으로부터 유도되는 $Si/Ge(111)-3\times1$의 구조 모형으로 제안된 honeycomb-chain 모형과 잘 일치한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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