• 한국광학회지
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• 제22권6호
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• pp.262-268
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• 2011

한국천문연구원이 개발한 다목적적외선영상시스템(Multi-purpose IR Imaging System, MIRIS)은 과학기술위성 3호(STSAT-3)의 주탑재체이다. 지구관측카메라(Earth Observation Camera, EOC)는 MIRIS를 구성하는 두 개의 적외선 카메라 중에 하나로, 지구의 $3{\sim}5{\mu}m$ 파장대의 적외선을 관측하기 위한 카메라이다. EOC의 광학계는 카세그레인 방식으로써 구경이 100 mm이고, 주경과 부경은 모두 비구면 반사경이다. EOC 주경의 플렉서는 링 타입으로써 발사환경에서 주경이 겪을 수 있는 충격과 진동을 견디도록 예압을 가하며 주경을 지지한다. 이는 마치 리테이너로 렌즈를 지지하는 것과 같은 메커니즘으로 주경을 지지하기 위한 시도이다. 광기계 해석을 통해 EOC 주경이 효과적으로 지지되고 있음을 확인했다.

• 대한방사선기술학회지:방사선기술과학
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• 제28권4호
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• pp.327-332
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• 2005

본 연구는 초등학생, 중학생, 고등학생 및 대학생 등 청소년 2,787명을 대상으로 100 mm Mirror Camera을 이용하여 Cobb's Angle이 $10^{\circ}$이상인 특발성 척추 측만증 이상자의 유병율을 성별과 연령별로 분석하였다. 연구 결과 Cobb's Angle이 $10^{\circ}$이상으로 특발성 척추 측만증인 자는 전체 2.787명 중 257명(9.2%)이었으며, 13세 이하(초등학생)가 132명, 16세 이하(중학생)가 52명, 18세 이하(고등학생)가 35명, 19세 이상(대학생)이 38명이었고, 연령 따른 1차 검사에서의 $x^2-test$ 분석결과 유의성이 없는 것으로 나타났으며, Cobb's Angle이 $10^{\circ}$이상인 대상자들의 측만발생 부위는 흉-요추부 147명(57.2%), 흉추부 81명(31.5%), 경-흉추부위 20명(7.8%), 요추부위 7명(2.7%), 경추부위 2명(0.8%)으로 흉-요추부위에서 가장 많은 빈도를 보였으며, 측만방향으로는 우측 183명(71.2%)으로 좌측 74명(28.8%)보다 높게 나타났다. 척추 측만증이 $10^{\circ}$이상인 대상자 중에서 주요 호소 부위는 느끼지 못함이 219명이었으며, 요추부위 18명, 경추부위 9명, 흉추부위 7명, 견부부위 2명, 골반부위와 온몸이 다 아프다고 한 대상자는 각각 1명으로 총 257명이었고, 척추 측만증이 있는 자와 대상자의 주요 호소증상간의 분산분석의 결과는 유의성이 있는 것으로 나타났다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권4호
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• pp.301-307
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• 2002

Direct bonded SOI wafer pairs with $Si ll SiO_2/Si_3N_4 ll Si$ the heterogeneous insulating layers of SiO$_2$-Si$_3$N$_4$are able to apply to the micropumps and MEMS applications. Direct bonding should be executed at low temperature to avoid the warpage of the wafer pairs and inter-diffusion of materials at the interface. 10 cm diameter 2000 ${\AA}-SiO_2/Si(100}$ and 560 $\AA$- ${\AA}-Si_3N_4/Si(100}$ wafers were prepared, and wet cleaned to activate the surface as hydrophilic and hydrophobic states, respectively. Cleaned wafers were pre- mated with facing the mirror planes by a specially designed aligner in class-100 clean room immediately. We employed a heat treatment equipment so called fast linear annealing(FLA) with a halogen lamp to enhance the bonding of pre mated wafers We kept the scan velocity of 0.08 mm/sec, which implied bonding process time of 125 sec/wafer pairs, by varying the heat input at the range of 320~550 W. We measured the bonding area by using the infrared camera and the bonding strength by the razor blade clack opening method, respective1y. It was confirmed that the bonding area was between 80% and to 95% as FLA heat input increased. The bonding strength became the equal of $1000^{\circ}C$ heat treated $Si ll SiO_2/Si_3N_4 ll Si$ pair by an electric furnace. Bonding strength increased to 2500 mJ/$\textrm{m}^2$as heat input increased, which is identical value of annealing at $1000^{\circ}C$-2 hr with an electric furnace. Our results implies that we obtained the enough bonding strength using the FLA, in less process time of 125 seconds and at lowed annealing temperature of $400^{\circ}C$, comparing with the conventional electric furnace annealing.