• 제목/요약/키워드: 10 GHz

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무선 주파수 전력 측정을 위한 광대역 전력 센서 개발 (Development of a Wideband Power Sensor for the Measurement of Wireless Power)

  • 황문수;나인호;구자경;임종식;안달
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제10권12호
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    • pp.3600-3607
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    • 2009
  • 본 논문에서는 300~3800MHz 주파수 대역에서 150mW~150W의 평균전력과 피크 전력을 검출할 수 있는 무선전력 검출센서의 개발에 대하여 기술하고 있다. 제안된 무선전력 센서는 기본적으로 전력의 크기를 검출하는 기능 외에 입력 신호의 주파수를 알아낼 수 있는 기능과 VSWR 측정 기능을 가지고 있다. 본 논문의 검출 센서는 듀얼 방향성 결합기의 설계, 입력 전력을 검출하여 DC 데이터로 분석할 수 있는 전력 검출부의 설계, 정확한 캘리브레이션 데이터 추출 방법 등의 세부 과정을 통하여 개발이 완성된다. 개발된 듀얼 방향성 결합기는 300~3800MHz 대역에서 0.085dB의 삽입손실과 3.8GHz에서 최소 30dB의 directivity 성능을 가지고 있다. 개발된 무선전력 센서는 주파수 결정능력과 함께 순방향 입력전력의 크기를 0.25dB 이내의 오차로 분석할 수 있고, 300~3800MHz의 주파수에서 150W의 고출력 동작에서도 1.17~1.96의 VSWR을 측정할 수 있는 성능을 지닌다.

다중점 위상검출기를 이용한 클럭 및 데이터 복원회로 설계 (Design of a Clock and Data Recovery Circuit Using the Multi-point Phase Detector)

  • 유순건;김석만;김두환;조경록
    • 한국콘텐츠학회논문지
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    • 제10권2호
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    • pp.72-80
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    • 2010
  • 본 논문에서는 다중점 위상검출기(Phase detector: PD)를 이용한 1Gbps 클럭 및 데이터 복원(Clock and data recovery: CDR)회로를 제안한다. 제안된 위상검출기는 데이터의 천이 모서리와 클럭의 상승/하강 모서리 3점을 비교하여 up/down 신호를 생성한다. 기존의 위상검출기 회로는 클럭 주기의 배수 만큼의 up/down 펄스폭을 갖는 출력으로 전압제어발진기(Voltage controlled oscillator: VCO)를 조절하는 펄스폭변조(Pulse width modulation: PWM)방식을 사용한다. 제안된 위상검출기 회로는 클럭 반주기만큼의 up/down 펄스폭을 갖는 출력으로 전압제어발진기를 조절하는 펄스수변조(Pulse number modulation: PNM)방식을 사용하여, 전압제어발진기를 미세하게 조절함으로써 지터를 줄일 수 있다. 제안된 위상검출기를 이용한 클럭 및 데이터 복원회로는 1Gbps의 전송률을 갖는 231-1개의 랜덤 데이터를 이용하여 테스트되었고, 지터와 전력소비는 각각 7.36ps와 12mW로 저전력, 적은 지터의 특징을 보였다. 제안된 회로는 0.18um CMOS 공정에서 1.8V 전원으로 설계되었다.

짧은 천이길이를 갖는 Ku-대역 감소단축도파관 대 마이크로스트립 모드 변환기 (A Ku-Band Reduced Height Waveguide to Microstrip Mode Converter with a Short Transition Length)

  • 오현석;염경환
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제19권12호
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    • pp.1435-1444
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    • 2008
  • 본 논문에서는 짧은 천이길이를 갖는 감소단축도파관(redured-height waveguide) 대 마이크로스트립 모드 변환기(mode converter)를 설계하였다. 모드 변환기는 E-평면 프로브를 이용한 모드 변환기와 변형된 임피던스 변환기로 구성되어진다. E-평면 프로브를 이용한 모드 변환기는 50 ohm 릿지(ridge) 도파관의 릿지 상단에 단락된 프로브를 이용하여 설계하였다. 이 모드 변환기에 이용된 50 ohm 릿지 도파관과 감소단축도파관을 연결하기 위해 변형된 임피던스 변환기를 설계하였다. 이와 같이 구성된 전체 모드 변환기의 대역을 넓히기 위해, 두 구조의 결합도를 조정하였다. 저손실 및 Ku-대역 전체에서 동작하도록 구조를 최적화한 후 모드 변환기를 제작하였다 제작된 2개의 모드 변환기를 직접 연결(thru)한 S-파라미터와 모드 변환기 사이에 라인(line) 도파관을 삽입한 후 S-파라미터를 측정하였다. 측정된 2개의 S-파라미터를 이용하여 단일 모드 변환기의 성능을 추출하였다. 이렇게 추출된 모드 변환기의 성능은 커텍터 손실을 포함하고 있어, 커백터 손실을 측정하여 보상하였다. 모드변환기는 직각구조로 7.2 mm의 천이길이를 가지며, 중심 주파수에서 0.12 dB 삽입 손실과 Ku 전대역에서 10dB 이상의 반사 손실을 갖는 우수한 특성을 보였다.

중유전율 LTCC 기판용 $CaZrO_3-CaTiO_3$계 세라믹스의 저온소결 및 유전특성 (Low-temperature Sintering and Dielectric Properties of $CaZrO_3-CaTiO_3$ Ceramics for Middle- Permittivity LTCC Substrate)

  • 박정현;최영진;고원준;박재환;박재관
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제11권3호
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    • pp.17-22
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    • 2004
  • [ $CaZrO_3$ ]세라믹스에 대하여 $CaTiO_3$세라믹스의 첨가량 변동에 따른 마이크로파 유전특성을 조사하였다. 또한 중유전율 LTCC 기능성 기판으로 활용하기 위하여 저융점의 유리 프리트를 첨가하여 $CaZrO_3-CaTiO_3$ 세라믹스의 저온 소결 거동과 마이크로파 유전특성을 평가하였다. 저온 소결 조제로 사용된 저응점의 유리 프리트를 $10-20 wt\%$ 범위로 첨가함으로서 $CaZrO_3-CaTiO_3$ 세라믹스의 소결온도를 $1450^{\circ}C$에서 $900^{\circ}C$이하로 낮출 수 있었다. 음의 온도계수를 갖는 $CaZrO_3$ 및 유리프리트에 대하여 양의 온도계수를 갖는 $CaTiO_3$ 세라믹스의 분율을 적정히 제어함으로서 제로의 온도계수를 구현할 수 있었다. $CaZrO_3-CaTiO_3$ 세라믹스에 저온 소결용 유리 프리트를 $15 wt\%$ 첨가하여 $875^{\circ}C$에서 소결한 경우. 유전율(k) 23, 품질계수(Q${\times}$f) 2500, 공진 주파수 온도계수$(T_f) -3 ppm/^{\circ}C$의 매우 양호한 마이크로파 유전특성을 나타내었다.

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새로운 디지털 인코딩 기법을 적용한 8비트 1GS/s 프랙셔널 폴딩-인터폴레이션 ADC (A 8b 1GS/s Fractional Folding-Interpolation ADC with a Novel Digital Encoding Technique)

  • 최동귀;김대윤;송민규
    • 전자공학회논문지
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    • 제50권1호
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    • pp.137-147
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    • 2013
  • 본 논문에서는 폴딩 구조에 저항열 인터폴레이션 기법을 적용한 1.2V 8b 1GS/s CMOS folding-interpolation A/D 변환기(ADC)에 대해 논한다. 기존 폴딩 ADC가 갖는 경계조건 비대칭 오차를 최소화하기 위해 홀수개의 폴딩 블록과 프랙셔널 폴딩 비율(fractional folding rate)을 사용하는 구조를 제안한다. 또한, 프랙셔널 폴딩기법을 구현하기 위해 덧셈기를 사용하는 새로운 디지털 인코딩기법도 제안한다. 그리고 iterating offset self-calibration 기법과 디지털 오차 보정 회로를 적용하여 소자 부정합과 외부 요인에 의한 노이즈 발생을 최소화하였다. 제안하는 A/D 변환기는 1.2V 0.13um 1-poly 6-metal CMOS 공정을 사용하여 설계 되었으며 $2.1mm^2$ 유효 칩 면적과(A/D 변환기 core : $1.4mm^2$, calibration engine : $0.7mm^2$), 350mW의 전력 소모를 나타내었다. 측정결과 변환속도 1GS/s에서 SNDR 46.22dB의 특성을 나타내었다. INL 과 DNL 은 자체보정회로를 통해 모두 1LSB 이내로 측정되었다.

B2O3와 CuO가 첨가된 Ba(Mg1/3Nb2/3)O3 세라믹스의 저온소결과 마이크로파 유전특성 연구 (Low-temperature Sintering and Microwave Dielectric Properties of the B2O3 and CuO-added Ba(Mg1/3Nb2/3)O3 Ceramics)

  • 임종봉;손진옥;남산;유명재;이우성;강남기;이확주
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제18권1호
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    • pp.38-42
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    • 2005
  • B$_2$O$_3$ added Ba(Mg$_{1}$3/Nb$_{2}$3/)O$_3$ (BBMN) ceramics were not sintered below 900 $^{\circ}C$. However, when CuO was added to the BBMN ceramic, it was sintered even at 850 $^{\circ}C$. The amount of the $Ba_2$B$_2$O$_{5}$ second phase decreased with the addition of CuO. Therefore, the CuO additive is considered to react with the B$_2$O$_3$ inhibiting the reaction between B$_2$O$_3$ and BaO. Moreover, it is suggested that the solid solution of CuO and B$_2$O$_3$ might be responsible for the decrease of the sintering temperature of the specimens. A dense microstructure without pores was developed with the addition of a small amount of CuO. However, a porous microstructure with large pores was formed when a large amount of CuO was added. The bulk density, the dielectric constant ($\varepsilon$$_{r}$) and the Q-value increased with the addition of CuO but they decreased when a large amount of CuO was added. The variations of those properties are closely related to the variation of the microstructure. The excellent microwave dielectric properties of Qxf = 21500 GHz, $\varepsilon$$_{r}$ = 31 and temperature coefficient of resonance frequency($\tau$$_{f}$) = 21.3 ppm/$^{\circ}C$ were obtained for the Ba(Mg$_{1}$3/Nb$_{2}$3/)O$_3$+2.0 mol%B$_2$O$_3$+10.0 mol%CuO ceramic sintered at 875 $^{\circ}C$ for 2 h.h.2 h.h.

전자파의 신경계통에 대한 영향

  • 이근호
    • 한국전자파학회지:전자파기술
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    • 제8권2호
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    • pp.37-55
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    • 1997
  • 최근 선진국가들에서는 전자파 장애 증후군에 관심이 집중되고 있는데, 전자파에 장기 노출 되는 인구에서 뇌암이나 유방암, 백혈병 등의 발생률이 높다는 보고(Kolmodin-Hedman 등, 1988 ; Demers등, 1991)가 있어서 전자제품의 생산업체는 물론이고 사용자에 대해서도 불안한 관심사가 되 어 있다. 전자파가 생체에 미치는 영향은 열적 효과와 비열적 효과에 의한 것으로 구분된다. Microwave는 약 300MHz에서 300GHz 사이(파장 1m에서 1mm사이)의 주파수를 가지는 전자파로서 이온의 운동이나 쌍극자분자(dipole molecule)들을 진동시키므로서 조직에 열이 발생한다. 열이 과도하게 발생하면 세포 단백질이 응고하게 되는 등 일반적으로 생각할 수 있는 고열로 인한 여러 가지 유해환경이 조직 에 조성될 수 있다. 실제로 고전압의 전자파에 노출된 안구의 수정체에 백내장 등의 병변이 발생한 것 으로 보고된 바 있다(Adey,1981). 일반적으로 전자파의 생체에 대한 작용으로는 이렇듯 조직에 흡수 되는 전자파의 에너지에 의한 열작용이 지배적인 것으로 생각되어 왔다. 그러나 초저주파역대(Extre- mely low frequency, EMF)의 변조 및 펄스파 등의 영향에 관해서도 조직의 온도상승으로는 설명할 수 없는 현상이 보고된 바 있다. 이러한 비열적 효과가 신경계에 끼치는 영향에 대해서는 혈액뇌관문 의 투과성 변화(Oscar와 Hawkins, 1977), 뇌종양 발생, 칼슘대사 이상 및 신경전달물질에 대한 영향 등이 주장(Anderson, 1993)되고 있으나 아직 그 분명한 기전이 밝혀져 있지 않은 상태이다. 또한 그 영향의 평가에 서도 일정한 기준이나 지표가 정해지지 않은 실정이다. 그러므로 신경계에 대한 대체적인 소개와 더불어 전자기파의 영향에 대한 이제까지의 보고를 종합 하고 향후 연구의 방향을 소개하고자 한다.> 이온이 공동 첨가제로 더 적합하다.u(30 .angs. )/CoFe(35 .angs. )/NiO(800 .angs. ) 구조를 갖는 spin-valve 박막은 극대 MR비 6.3%, 유효자기장감응도 약 0.5(%/Oe)를 보여 spin-valve head 재료로 적합함을 알 수 있었다.다.다.다.는 각각 148 meV .angs. $^{2}$, 103.8 meV .angs. $^{2}$와 1.77 * $10^{-6}$ erg/cm, 0.67 * $10^{-6}$ erg/cm 였다.다.자 노인들을 영주권자와 귀화 시민권자의 구분없이 하나의 집단으로 간주하고 분석해 왔던 것을 볼 때, 앞으로의 연구는 이론적으로나 방법론적으로 시민권의 유무가 주거형태에 끼치는 영향도 함께 고려해야 할 것이다.에 나타난 인도의 영향은 여성복식과 남성복식에 있어서 서로 유사점과 차이점이 보이는데, 인도의 영향이 여성복식에 있어서 그 빈도가 더 높고, 종류가 더 다양함을 볼 수 있다. 여성복식에 있어서는 12가지의 다양한 인도복식스타일이 나타났으며, 그중 가장 많이 보이는 스타일은 Indian Shirt/Blouse/Smock/ Dress이며, 그 뒤를 이어 Madras, Indian lowery등을 볼 수 있다. 남성복식애 나타난 7가지의 스타일 중에는 Madras가 가장 빈도가 높으며 그외의 스타일들은 그 빈도가 매우 낮음을 볼 수 있다. 인도의 영향의 정도 (Attribution Categories) 있어서는 여성과 남성복식 모두에 있어서 인도에서 직접 수입된(originated) item이 각각 전체의 90%와 81%를 차지하여, 인도복식의 영향은 받았으나 미국내에서 제작된(attributed and connotated) item 보다 휠씬 더 많은 수를 보였다. 인도복식스타일이 가장

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전기 도금법으로 제작한 Ni 박막의 강자성 공명 선폭 분석 (Analysis of Ferromagnetic Resonance Linewidth in Ni Thin Film Fabricated by Electrodeposition Method)

  • 김동영;윤석수
    • 한국자기학회지
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    • 제24권2호
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    • pp.60-65
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    • 2014
  • 전기 도금법으로 제작한 Ni 박막(240 nm)의 자기장 각도에 따른 강자성 공명 신호를 측정하여 공명 자기장($H_{res}$) 및 선폭(${\Delta}H_{PP}$)을 도출하였다. 자기장 각도에 따른 $H_{res}$는 이론적인 분석 결과와 일치하였으며 이들 결과로부터 제조된 Ni 박막의 g-factor는 2.18임을 확인하였다. 자기장 각도에 따른 ${\Delta}H_{PP}$는 박막의 수평 방향에서 매우 큰 값을 나타냈으며, 이러한 특성은 Gilbert 감쇠에 기인하는 균일한 선폭 특성과 약 1 nm의 표면에서 나타나는 자구들의 각도 변화 및 자화량 변화에 기인하는 비균일한 선폭 특성으로는 설명되지 않았다. 따라서 본 연구에서는 박막의 두께가 10 GHz에서 임계 두께(약 50 nm) 이상으로 증가하면 나타나는 two magnon scattering 이론을 적용하여 비균일한 선폭 특성을 분석하였다. 이러한 분석 결과로부터 전기 도금법으로 제작한 240 nm 두께를 갖는 Ni 박막에서 각도에 따른 비균일한 선폭 변화의 주요한 원인은 재료 내부 결함들에 의한 스핀파 산란이었음을 알 수 있었다.

녹차 Catechin의 마이크로웨이브 조사 흰쥐 심장 조직의 Phospholipae $A_2$ 활성과 Arachidonic Acid Cascade계 개선 효과 (Effects of Green Tea Catechin on Microsomal Phospholipase $A_2$ Activity and Arachidonic Acid Cascade in Rat's Heart When Exposed to Microwave)

  • 김미지
    • 동아시아식생활학회지
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    • 제23권3호
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    • pp.311-319
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    • 2013
  • The purpose of the present study is to investigate the effects of green tea catechin on microsomal phospholipase $A_2(PLA_2)$ activity and the arachidonic acid (AA) cascade in hearts of microwave exposed rats. Sprague-Dawley male rats weighing $100{\pm}10$ g were randomly assigned to one normal group and three microwave exposed groups. The microwave exposed groups were subdivided into three groups: catechin free diet (MW) group, 0.25% catechin (MW-0.25C group and 0.5% catechin (MW-0.5C) group according to the levels of dietary catechin supplementation. Rats were sacrificed $6^{th}$ day after microwave irradiations (2.45 GHz, 15 min). The heart microsome $PLA_2$ activity in the MW group was 130% greater than that of normal groups, whereas there was no significant difference between normal group and MW-0.25C, MW-0.5C group. The per- centage phosphatidyl ethanolamine (PE) hydrolyzed in the heart microsome in the MW was increased 54% by microwave irra- diation, whereas there was no significant difference between normal group and MW-0.5C group. The percentage phosphatidyl choline (PC) hydrolyzed in the heart microsome in the MW group was increased by 104% and by microwave irradiation, whereas there was no significant difference between normal group and MW-0.5C group. The formation of thromboxane $A_2(TXA_2)$ in the heart microsome was 70% greater in the MW group than in the normal group. However, the MW-0.25C and MW-0.5C group maintained the normal level. The formation of prostacyclin ($PGI_2$) in the heart microsome was 21% lower in the MW group than in the normal group, while that of MW-0.25C and MW-0.5C group were maintained in the normal group. The heart microsomal thiobarbituric acid reactive substances (TBARS) concentrations, as an index of lipid peroxide, were 71% greater in the MW group, as compared with normal group. However, the MW-0.25C and MW-0.5C group were 4.6% and 9.2% lower, respectively, than that of MW group. In conclusion, heart function appeared to be improved by green tea catechin supplementation due to its antithrombus action, which in return controls the AA cascade system.

협대역 고출력 전자기파에 의한 CMOS IC의 전기적 특성 분석 (An Electrical Properties Analysis of CMOS IC by Narrow-Band High-Power Electromagnetic Wave)

  • 박진욱;허창수;서창수;이성우
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제30권9호
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    • pp.535-540
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    • 2017
  • The changes in the electrical characteristics of CMOS ICs due to coupling with a narrow-band electromagnetic wave were analyzed in this study. A magnetron (3 kW, 2.45 GHz) was used as the narrow-band electromagnetic source. The DUT was a CMOS logic IC and the gate output was in the ON state. The malfunction of the ICs was confirmed by monitoring the variation of the gate output voltage. It was observed that malfunction (self-reset) and destruction of the ICs occurred as the electric field increased. To confirm the variation of electrical characteristics of the ICs due to the narrow-band electromagnetic wave, the pin-to-pin resistances (Vcc-GND, Vcc-Input1, Input1-GND) and input capacitance of the ICs were measured. The pin-to-pin resistances and input capacitance of the ICs before exposure to the narrow-band electromagnetic waves were $8.57M{\Omega}$ (Vcc-GND), $14.14M{\Omega}$ (Vcc-Input1), $18.24M{\Omega}$ (Input1-GND), and 5 pF (input capacitance). The ICs exposed to narrow-band electromagnetic waves showed mostly similar values, but some error values were observed, such as $2.5{\Omega}$, $50M{\Omega}$, or 71 pF. This is attributed to the breakdown of the pn junction when latch-up in CMOS occurred. In order to confirm surface damage of the ICs, the epoxy molding compound was removed and then studied with an optical microscope. In general, there was severe deterioration in the PCB trace. It is considered that the current density of the trace increased due to the electromagnetic wave, resulting in the deterioration of the trace. The results of this study can be applied as basic data for the analysis of the effect of narrow-band high-power electromagnetic waves on ICs.