• 대한전자공학회논문지SD
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• 제43권4호
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• pp.16-22
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• 2006

본 논문에서는 CMOS 공정을 사용하여 기가비트 이더넷 응용을 위한 전치증폭기 회로를 구현하였다 대역폭 확장 및 노이즈 성능개선을 위해, regulated cascade 설계기법을 사용하였고 이로써, 광다이오드 및 TIA 입력단의 큰 기생 캐패시턴스를 대역폭 결정으로부터 효과적으로 차단하였다. 0.6um CMOS공정을 사용하여 구현한 1.25Gb/s 전치증폭기의 칩 측정 결과 58dBohm의 트랜스 임피던스 이득, 0.5pF 기생 광다이오드 캐패시턴스에 대해 950MHz의 대역폭과 6.3pA/sqrt(Hz)의 평균 노이즈 전류 스펙트럼 밀도, 5V 단일 전원전압으로부터 85mW의 전력소모를 보였다. 또한, 0.18um CMOS 공정을 사용하여 설계한 10Gb/s 전치증폭기는 RGC 기법과 인덕티브 피킹기술을 동시에 사용함으로써, 59.4dBohm의 트랜스 임피던스 이득, 0.25pF 기생 캐패시턴스에 대해 8GHz의 대역폭, 20pA/sqrt(Hz)의 노이즈 전류 스펙트럼 밀도, 1.8V 단일전압에 대해 14mW의 전력소모를 보였다.

• Journal of Oral Medicine and Pain
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• 제30권4호
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• pp.427-432
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• 2005

본 연구는 구강안면통증 환자의 음성적 특징과 청각 환경에 따른 음성적 변화를 살펴보기 위한 것이다. 구강안면통증 환자 29명과 정상인 31명을 대상으로 그들의 일반 음성과 청각 조건(소음, 음악)에서의 음성 파라미터들을 비교 분석하여 다음과 같은 결론을 얻을 수 있었다. 1. 구강안면통증 환자는 정상인의 음성과 비교해 낮은 F0(Hz) 값과 높은 jitter(%), shimmer(%)값을 가져 정상인에 비해 낮고 불안정한 음성 특징(feature)을 나타내었다. 2. 구강안면통증 환자의 음성은 소음 환경과 비교해 음악 환경에서 낮은 F0(Hz)값과 shimmer(%)값을 가져 보다 이완되고 안정된 음성 특징을 나타내었다. 3. 정상인의 음성은 소음 환경에서 높은 F0(Hz)값을 가졌으나 음악, 소음 환경에 따른 특징적인 차이를 나타내지 않았다. 이상의 결과를 통해 구강안면통증 환자는 정상인의 음성과 비교해 특징적인 차이를 보였으며 외부적인 청각 환경에도 다른 반응 양상을 나타내었다. 따라서 구강안면통증 환자들의 기능적 장애를 보다 효율적으로 치료하기 위해서는 음악과 같은 긍정적인 정서 환경이 제공되어야 할 것으로 사료된다.

• 한국자기학회지
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• 제6권4호
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• pp.264-271
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• 1996

본 연구에서는 SQUID를 이용한 생체자기 계측연구에 사용될 자기차폐실의 설치 및 차폐 특성에 대해 소개한다. 차폐실 내부공간의 크기는 $2m(길이){\times}2m(폭){\times}2.5m(높이)$이고 차폐재료는 높은 투자율을 가진 Mumetal과 전기 전도도가 높은 알루미늄으로 구성되어 있다. 직류 지구자장에 대한 차폐율은 차폐실 중심에서 60 dB 이상이며 교류자장에 대한 차폐율은 1 Hz에서는 60 dB, 10 Hz에서는 80~100 dB의 값을 가진다. 차폐실내에서의 자장 잡음은 1 Hz에서 $500\;fT/{\sqrt}Hz$, 10 Hz에서 $100\;fT/{\sqrt}Hz$의 값을 가지며 자장구배잡음은 1 Hz에서 $7\;fT/cm{\sqrt}Hz$ 이하로서 SQUID 자력계에 의한 심자도와 SQUID gradiometer에 의한 뇌자도측정이 가능한 수준이다. 자체 개발된 SQUID 센서를 이용하여 차폐실내에서 심장 및 노로부터 발생하는 자기신호를 검출하였다.

• ETRI Journal
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• 제26권6호
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• pp.583-588
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• 2004

In this paper we investigate the effect of a shield metal line inserted between adjacent bit lines on the refresh time and noise margin in a planar DRAM cell. The DRAM cell consists of an access transistor, which is biased to 2.5V during operation, and an NMOS capacitor having the capacitance of 10fF per unit cell and a cell size of $3.63{\mu}m^2$. We designed a 1Mb DRAM with an open bit-line structure. It appears that the refresh time is increased from 4.5 ms to 12 ms when the shield metal line is inserted. Also, it appears that no failure occurs when $V_{cc}$ is increased from 2.2 V to 3 V during a bump up test, while it fails at 2.8 V without a shield metal line. Raphael simulation reveals that the coupling noise between adjacent bit lines is reduced to 1/24 when a shield metal line is inserted, while total capacitance per bit line is increased only by 10%.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권7호
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• pp.545-549
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• 2010

Low-frequency noise (1/f noise) has been measured in order to analyze the Vth instability of ZnO TFTs having two different active layer thicknesses of 40 nm and 80 nm. Under electrical stress, it was found that the TFTs with the active layer thickness of 80 nm shows smaller threshold voltage shift (${\Delta}V_{th}$) than those with thickness of 40 nm. However the ${\Delta}V_{th}$ is completely relaxed after the removal of DC stress. In order to investigate the cause of this threshold voltage instability, we accomplished the 1/f noise measurement and found that ZnO TFTs exposed the mobility fluctuation properties, in which the noise level increases as the gate bias rises and the normalized drain current noise level($S_{ID}/{I_D}^2$) of the active layer of thickness 80 nm is smaller than that of active layer thickness of thickness 40 nm. This result means that the 80 nm thickness TFTs have a smaller density of traps. This result correlated with the physical characteristics analysis performmed using XRD, which indicated that the grain size increases when the active layer thickness is made thicker. Consequently, the number of preexisting traps in the device increases with decreasing thickness of the active layer and are related closely to the $V_{th}$ instability under electrical stress.

• 대한전자공학회논문지
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• 제20권1호
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• pp.55-62
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• 1983

임펄스 잡음과 동일 채널 간섭 환경하에서 PSK 시스템의 오율 특성을 반송파대 잡음 전력비, 반송파대 간섭파 전력비, 임펄스 지수 및 신호와 간섭파간의 위상차의 함수로써 구명했다. 동기 위상 검출기의 출력에 대한 확률 밀도 함수(p.6.f.)의 일반식을 도출하여 2상 PSK 신호의 경우에 대한 수치 계산의 결과를 그래프로 나타냈다. 해석 결과 신호와 간섭파 간의 상대 위상차가 90℃일때 오율 특성이 가장 좋게됨을 알 수 있었다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2005년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.137-139
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• 2005

본 논문에서는 30W급 스위칭형 직류전원장치 (Switching Mode Power Supply : SMPS)에 준공진형 프라이 백 스위칭 레귤레이터(quasi-resonant flyback switching regulator)를 적용하여 방사노이즈(radiation-noise)를 억제한 사례에 대하여 설명하고 있다. 기존의 PI사(社)의 TOP IC 시리즈$^{[1]}$와 같이 보편적으로 사용되고 있는 일명, 하드 스위칭(hard-switching)형 레귤레이터를 사용할 경우, 고속 스위칭시에 스위칭 손실(switching loss)과 스위칭 노이즈(switching noise)가 발생한다. 이로 인하여 SMPS의 발열에 따른 효율저화와 방사 노이즈에 의한 전파방해 등이 문제점이 된다. 본 논문에서는 일본의 Sanken사(社)에서 개발/시판중인 준공진형 스위칭 레귤레이터인 STR-F6000 IC 시리즈$^{[2]}$를 이용하여 프라이백 SMPS를 구성하여 방사노이즈를 저감하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.322-325
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• 2002

In this study, noise figures of 0.3 $\mu\textrm{m}$-GaAs MESFETs are predicted experimentally with different temperatures. Both the noise figure and the gate leakage current are obtained with wide range of temperatures(27$^{\circ}C$∼300$^{\circ}C$). From the results, gate leakage current increases with temperatures. It is expected that gate leakage current contributes directly to the increase of shot noise current. It is therefore highly recommended to apply an accurate noise analysis to the design of the devices and modules at high temperatures. Fini,Uy the relation between the gate currents resulting in the increase of noise and the noise figures of submicron GaAs MESFETs are traced with different temperatures

• Progress in Superconductivity
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• 제4권1호
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• pp.68-73
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• 2002

We have fabricated YBCO SQUID 1st order gradiometers on $30^{\circ}$STO bicrystal substrate. The pickup coil size was 3.8mm$\times$3.8mm and baseline was 5mm. Three types of SQUID gradiometer were designed and tested for unshielded operation; solid pickup coil, pickup coil consisting of 4 parallel $ 50\mu\textrm{m}$-wide loops, and solid pickup coil with flux dam. We have investigated external magnetic field dependence of the SQUID gradiometers on the magnetic field noiseproperties. Significant increase of low frequency noise with the application of static field has been observed in the case of parallel and flux dam type pickup coil above threshold field of $1.3 \mu$T. Magnetic field noise at 1 Hz measured in the magnetically shielding room was 30, 165, 480 fTcm／sup -1／Hz／sup -1/2／ for solid type and slot type and parallel loops type, respectively.

• Progress in Superconductivity
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• 제8권1호
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• pp.33-39
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• 2006

We have developed a second-order double relaxation oscillation SQUID(DROS) gradiometer with a baseline of 35 mm, and constructed a poorly magnetically-shielded room(MSR) with an aluminum layer and permalloy layers for magnetocardiography(MCG). The 2nd-order DROS gradiometer has a noise level of 20 $fT/{\surd}Hz$ at 1 Hz and 8 $fT/{\surd}Hz$ at 200 Hz inside the heavily-shielded MSR with a shielding factor of $10^3$ at 1 Hz and $10^4-10^5$ at 100 Hz. The poorly-shielded MSR, built of a 12-mm-thick aluminum layer and 4-6 permalloy layers of 0.35 mm thickness, is 2.4mx2.4mx2.4m in size, and has a shielding factor of 40 at 1 Hz, $10^4$ at 100 Hz. Our 64-channel second-order gradiometer MCG system consists of 64 2nd-order DROS gradiometers, flux-locked loop electronics, and analog signal processors. With the 2nd-order DROS gradiometers and flux-locked loop electronics installed inside the poorly-shielded MSR, and with the analog signal processor installed outside it, the noise level was measured to be 20 $fT/{\surd}Hz$ at 1 Hz and 8 $fT/{\surd}Hz$ at 200 Hz on the average even though the MSR door is open. This result leads to a low noise level, low enough to obtain a human MCG at the same level as that measured in the heavily-shielded MSR. However, filters or active shielding is needed fur clear MCG when there is large low-frequency noise from heavy air conditioning or large ac power consumption near the poorly-shielded MSR.