• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제28권2호
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• pp.59-64
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• 2021

차세대 반도체 기술은 이종소자 집적화(heterogeneous integration)를 이용한 시스템-인-패키징(system-inpackage, SIP) 기술로 발전하고 있고, 저온 Cu 본딩은 SIP 구조의 성능 향상과 미세 피치 배선을 위해서 매우 중요한 기술이라 하겠다. 본 연구에서는 porous한 Ag 나노막을 이용하여 Cu 표면의 산화 방지 효과와 저온 Cu 본딩의 가능성을 조사하였다. 100℃에서 200℃의 저온 영역에서 Ag가 Cu로 확산되는 것보다 Cu가 Ag로 확산되는 것이 빠르게 관찰되었고, 이는 저온에서 Ag를 이용한 Cu간의 고상 확산 본딩이 가능함을 나타내었다. 따라서 Ag 나노막을 이용한 Cu 본딩을 200℃에서 진행하였고, 본딩 계면의 전단 강도는 23.27 MPa로 측정되었다.

• 한국해양공학회지
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• 제12권3호통권29호
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• pp.1-8
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• 1998

The purpose of this study is to determine the distribution of the suspended matter caused by dredging at the northeastern part of Kwangyang Bay and to determine the effect of the single silt protector for it. According to the direction of the tidal current, six sampling stations were chosen from the dredging site to the southeast. At the high tide, the high concentration of the suspended matter was observed below the mid-depth near the dredging site. As the tidal currents were stronger. its concentrations below the mid-depth at the inner stations of the single silt protector were rapidly increased, but those of the outer stations did not show any significant change. The concentrations at the inner stations of the silt protector at that time were from 20~140mg/l and those of the outer stations, which was only about 30 m apart from the inner station, were from 20~30mg/l. It suggests that the large amount of suspended matter caused by dredging were moved to the inner stations near the silt protector at the ebb tide and that the silt protector is very effective for the suspended matter.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.112-112
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• 2008

최근 Ruthenium (Ru) 은 높은 화학적 안정성, 누설전류에 대한 높은 저항성, 저유전체와의 높은 안정성 등과 같은 특성으로 인해 금속층-유전막-금속층 캐패시터의 하부전극으로 각광받고 있다. 또한 Cu와의 우수한 Adhesion 특성으로 인해 Cu 배선에서의 Cu 확산 방지막으로도 주목받고 있다. 그러나 이렇게 형성된 Ru 하부전극의 각 캐패시터간의 분리와 평탄화를 위해서는 CMP 공정이 도입이 필요하다. 이러한 CMP 공정에 공급되는 Slurry 에는 부식액, pH 적정제, 연마입자 등이 첨가되는데 이때 연마입자가 응집하여 Slurry의 분산 안전성 저하에 영향을 줄수 있다. 이로 인해 응집된 Slurry는 Scratch와 Delamination 과 같은 표면 결함을 유발할 수 있으며, Slurry의 저장 안정성을 저하시켜 Slurry의 물리적 화학적 특성을 변화시킬 수 있다. 그리하여 본 연구에서는 Ru CMP Slurry에서의 Surfactant와 같은 분산 안정제에 따른 Surface tension, Zeta potential, Particle size, Sedimentation의 분석을 통해 Slurry 안정성에 대한 영향을 살펴보았다. 그 결과 pH9 조건의 31ppm Dispersant 농도에서 50%이상의 Sedimentation 상승효과를 얻을 수 있었다. 또한 선택된 Surfactant가 첨가된 Ru CMP Slurry를 제조하여 Ru wafer의 Static etch rate, Passivation film thickness 와 Wettability를 비교해 보았다. 그리고 CMP 공정을 실시하여 Ru의 Removal rate와 TEOS에대한 Selectivity를 측정해 보았다.

• 한국재료학회지
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• 제15권9호
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• pp.577-584
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• 2005

Thin Ni-B layer, $1{\mu}m$ thick, was electrolessly deposited on Cu electrode fabricated by electro-deposition. The purpose of the layer is to encapsulate Cu electrodes for preventing Cu oxidation and to serve as a diffusion barrier. The layers were annealed at $580^{\circ}C$ with and without pre-annealing at $300^{\circ}C$ for . 30minutes. In the layer with pre-annealing, the amount of Cu diffusion was lower about 5 times than the layer without pre-annealing. The difference in Cu concentration may be attributed to $Ni_3B$ formation prior to Cu diffusion. However, the difference in Cu concentration decreased during the annealing time of 5 h due to the grain growth of Ni.

• 한국막학회:학술대회논문집
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• 한국막학회 1996년도 제5회 산학협동 심포지움 (먹는 물과 막분리공정)
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• pp.65-93
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• 1996

우리나라에서는 1962년부터 현재까지 여섯 차례에 걸쳐 경제개발 5개년 계획이 성공리에 추진되어, 지속적인 고도성장을 가져왔다. 그 결과 국민소득과 함께 생활수준은 크게 향상되었다. 그러나 이러한 성장과정에서의 급속한 산업화와 도시화가 수질오염을 크게 증가시키게 되었지만, 여기에 대응하는 하수도 정비 등 환경기술시설의 수질오염 방지를 위한 기반에서 국지적으로 나타났던 수질오염현상이 이제는 넓은 지역으로 확산되어 광역적인 수질오염 현상으로 나타나고 있다. 따라서 정부는 '92년부터 '96년까지 5개년 간의 중기환경종합계획을 세워, 권역별 수질관리계획을 수립하였고, 영양염 배출 규제의 실시, 하구처리시설의 확충 등의 시책을 추진해 나감과 동시에 폐하수의 처리기술 개발등 수질보전 국책 연구과제를 계속 2002년까지 실시하게 되었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제8권2호
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• pp.307-314
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• 1998

졸-겔법을 이용하여 PZT박막을 제조하였다. 출발물질로는 Pb-acetate trihydrate, Zr-normal propoxide와 Ti-ispropoxide를 사용하였으며, 용매로는 2-Methoxyethanol과 iso- Propanol을 사용하였다. 기판에 따른 Pb 이온 및 Si 이온의 확산을 고찰하기 위해 bare Si와 열산화된 $SiO_2/Si$ 그리고 산화된 기판 위에 졸-겔 spin-coating법으로 $TiO_2$를 입힌 $TiO_2/SiO_2/Si$ 기판을 사용하였다. 박막의 치밀화 및 기판과의 접착상태는 SEM을 이용하였고, 상생성 온도는 XRD, 그리고 Pb 이온 및 Si 이온의 확산 정도는 ESCA를 사용하였다. 기판으로 bare Si 및 $SiO_2/Si$를 사용한 경우, $700^{\circ}C$에서 perovskite상을 얻을 수 있었으며, SiO2/Si 기판을 사용하여 Si의 막으로의 확산을 다소 방지할 수 있었다. $TiO_2/SiO_2/Si$기판을 사용한 경우, $500^{\circ}C$에서 perovskite상을 얻을 수 있었고, Pb 이온 및 Si 이온의 확산을 방지할 수 있었다.

• 한국사이버테러정보전학회:학술대회논문집
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• 한국사이버테러정보전학회 2004년도 제1회 춘계학술발표대회
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• pp.181-185
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• 2004

최근에 피해가 보고되고 있는 인터넷 웜은 최초발생 후 단 며칠 만에 전 세계적인 피해를 입히고 있다. 이들 웜들은 메일을 비롯한 기타 여러 가지 경로를 통해 스스로 복제하는 성질을 이용하여 매우 빠른 속도로 전파가 가능하다. 하지만 이를 제대로 막을 수 있는 수단은 마련되지 못하고 있다. 따라서, 인터넷 웜으로부터 네트워크 자산을 보호하기 위해, 체계화되고 자동화된 방지 메카니즘의 인터넷 웜 분야의 연구가 필요하다 이에, 본 논문에서는 인터넷 일의 확산과 방어 모델을 기술하고자 한다.

• 한국정보과학회:학술대회논문집
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• 한국정보과학회 2004년도 가을 학술발표논문집 Vol.31 No.2 (1)
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• pp.496-498
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• 2004

무선 ad-hoc 네트워크는 이동 노드만으로 구성된 자율적이고 수평적인 네트워크이다. 무선 ad-hoc 네트워크에서의 라우팅 프로토콜은 table driven 방식과 on-demand 방식으로 나뉘는데, 이 중 라우팅 메시지의 오버헤드가 비교적 적은 on-demand 방식이 주로 사용되고 있다. 이 프로토콜은 경로를 찾기 위해서 경로 요청 메시지를 브로드캐스팅 하는데, 경로 요청 메시지는 네트워크 전체로 확산되기 때문에 이를 이용한 공격이 가능하다 공격자는 연속적으로 경로 요청 메시지를 보냄으로써 패킷 충돌과 네트워크 큐오버플로우 등의 장애를 일으켜 정상적인 메시지나 데이터의 전송을 방해할 수 있다. 본 논문에서는 기존의 라우팅 프로토콜에 별도의 인증 절차 없이 경로 요청 패킷의 확산을 이용한 공격을 막는 방법을 제안하고자 한다. 각각의 노드는 경로 요청 메시지의 시작 주소와 수신 시간을 경로 요청 테이블을 이용해 관리함으로써 정상적인 경로 요청 패킷과 공격자의 경로 요청 패킷을 구분한다. 수신된 경로 요청 패킷이 공격자의 패킷이라고 판단된 경우, 공격자의 패킷을 이웃 노드에 전달하지 않음으로써 전체 네트워크에 가해지는 공격을 막을 수 있다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2000년도 하계학술발표회
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• pp.172-173
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• 2000

TiN 박막은 부착력이 좋은 기계적 성질을 갖고 있으며 화학적 안정성이 뛰어난 장점을 갖고 있어 수명이 긴 박막으로 사용 할 수 있다. 또한 반도체 집적 회로소자에서는 Al과 Si 사이의 확산 방지막으로 널리 사용하고 있으며, 티타늄과 질소의 화학 조성비를 적절히 조절하여 노란 금빛을 띠는 TiN 박막을 시계나 장신구 등의 표면에 코팅하여 장식에도 많이 사용하고 있다$^{[1]}$ . 최근에는 얇은 전도성 TiN 박막을 사용하여 무반사 영역을 넓히고, 무정전 효과를 지니며, TiN 박막의 두께를 변화시켜 투과율을 조절하여 명도대비(contrast)를 향상시킬 수 있는 2층 무반사 무정전 박막을 연구하고 있다.$^{[2]}$ 여기서는 티타늄과 질소의 원소조성비에 따른 TiN 박막의 복소수 굴절률의 분산이 단 2층으로 넓은 가시광선 영역에서 무반사 효과를 가질 수 있도록 TiN 박막을 증착해야 한다. (중략)

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2012년도 춘계학술발표대회
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• pp.84-84
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• 2012

소자가 고집적화 됨에 따라, 비저항이 낮고 electro migration (EM), Stress Migration (SM) 특성이 우수한 구리(Cu)를 배선재료로서 사용하고 있다. 그러나, 구리는 Si과 $SiO_2$의 내부로 확산이 빠르게 일어나, Si 소자 내부에 deep donor level을 형성하고, 누설 전류를 증가시키는 등 소자의 성능을 저하시킬 수 있는 문제점을 가지고 있다. 그러나, electroplating 을 이용하여 증착한 Cu 박막은 일반적으로 확산 방지막으로 쓰이는 TiN, TaN, 등의 물질과의 접착 (adhesion) 특성이 나쁘다. 따라서, Cu CMP 에서 증착된 Cu 박막의 벗겨지거나(peeling), EM or SM 저항성 저하 등의 배선에서의 reliability 문제를 야기하게된다. 따라서 Cu 와 접착 특성이 좋은 새로운 확산방지막 또는 adhesion layer의 필요성이 대두되고 있다. 본 연구에서는 이러한 Cu 배선에서의 접착성 문제를 해결하고자 Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)을 이용하여 제조한 코발트(Co) 박막을 $Cu/TaN_x$ 사이의 접착력 개선을 위한 adhesion layer로 적용하려는 시도를 하였다. Co는 비저항이 낮고, Cu 와 adhesion이 좋으며, Cu direct electroplating 이 가능하다는 장점을 가지고 있다. 하지만, 수소 분위기에서 $C_{12}H_{10}O_6(Co)_2$ (dicobalt hexacarbonyl tert-butylacetylene, CCTBA) 전구체에 의한 MOCVD Co 박막의 경우 탄소, 산소와 같은 불순물이 다량 함유되어 있어, 비저항, surface roughness 가 높아지게 된다. 따라서 구리 전착 초기에 구리의 핵 생성(nucleation)을 저해하고 핵 생성 후에도 응집(agglomeration)이 발생하여 연속적이고 얇은 구리막 형성을 방해한다. 이를 해결하기 위해, MOCVD Co 박막 증착 시 수소 반응 가스에 암모니아를 추가로 주입하여, 수소/암모니아의 분압을 1:1, 1:6, 1:10으로 변화시켜 $Co/TaN_x$ 박막의 특성을 비교 분석하였다. 각각의 수소/암모니아 분압에 따른 $Co/TaN_x$ 박막을 TEM (Transmission electron microscopy), XRD (X-ray diffraction), AES (Auger electron spectroscopy)를 통해 물성 및 조성을 분석하였고, AFM (Atomic force microscopy)를 이용하여, surface roughness를 측정하였다. 실험 결과, $Co/TaN_x$ 박막은 수소/암모니아 분압 1:6에서 90 ${\mu}{\Omega}-cm$의 낮은 비저항과 0.97 nm 의 낮은 surface roughness 를 가졌다. 뿐만 아니라, MOCVD 에 의해 증착된 Co 박막이4-6 % concentration 의 탄소 및 산소 함량을 가지는 것으로 나타났고, 24nm 크기의 trench 기판 위에 약 6nm의 $Co/TaN_x$ 박막이 매우 균일하게 형성된 것을 확인 할 수 있었다. 이러한 결과들은, 향후 $Co/TaN_x$ 박막이 Cu direct electroplating 공정이 가능한 diffusion barrier로서 성공적으로 사용될 수 있음을 보여준다.