화학적 산화막을 이용한 epitaxial $\textrm{CoSi}_2$ 형성과 계면구조
(Formation and Interface Mophologies of the Epitaxial $\textrm{CoSi}_2$ Using the Chemical Oxide on Si(100) Substrate)
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- 한국재료학회지
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- 제8권10호
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- pp.912-917
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- 1998