• 한국전자통신학회논문지
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• 제16권3호
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• pp.443-450
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• 2021

플라스틱 기판 중에서 열적 안정성과 광학적 특성이 우수한 PES 기판을 선택한 후, 흡습성이 높은 단점을 보완하기 위해 플라즈마 화학기상증착 법으로 SiO₂ 박막을 버퍼층으로 20nm 두께로 증착하였다. 그 후 ITZO 박막을 고주파 마그네트론 스퍼터링 법으로 증착하여 RF파워에 따른 전기적 및 광학적 특성들을 조사하였다. RF파워 50W에서 증착한 ITZO 박막이 8.02 × 10^-4 Ω-cm의 비저항과 50.13 Ω/sq.의 면저항으로 가장 우수한 전기적 특성을 나타내었다. ITZO 박막의 가시광 영역(400-800 nm)에서의 평균 투과도는 RF파워가 40, 50W인 경우 80% 이상으로 비교적 높은 값을 나타내었다. 재료 평가 지수들인 Φ_TC와 FOM은 RF파워 50W에서 증착한 ITZO 박막에서 각각 23.90×10^-4 Ω^-1와 5883 Ω^-1cm^-1로 가장 큰 값을 나타내었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2004년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1694-1696
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• 2004

$Si_3N_4$ 박막을 동일한 공정 파라메터로 저압 화학기상증착법(LPCVD)으로 증착하고, IS, LOCOS- IS 및 ISFET의 세 가지 각각 다른 구조로 하여 용약 중 pH 농도 감지용 센서소자를 제작하였다. 이 세 가지 다른 센서소자에 대하여 pH 농도변화에 따른 감지도, 감지특성곡선의 선형성, 히스테리시스 등 주요 특성을 각각 조사한 후 비교 분석하였다. LOCOS-IS 구조의 pH 센서는 ISFET 구조의 pH 센서와 유사한 우수한 제반 pH 감지특성을 보였으나, 간단한 IS 구조의 pH 센서는 이들에 비해 상대적으로 열악한 pH 감지특성을 보였다. 동일공정으로 제작된 Si3N4 박막으로 제작되었음에도 불구하고 간단한 IS 구조의 pH 센서의 비교적 열악한 특성을 보이는 원인을 규명하기 위하여, pH 농도 변화에 따른 C-V특성 변화에 의한 pH 감지특성 조사시의 IS 및 LOCOS-IS 구조의 정전용량의 변화를 비교하고 고찰하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제50권1호
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• pp.43-49
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• 2013

${\beta}$-SiC was deposited onto a graphite substrate by a LPCVD method and the effect of the crystallographic orientation on mechanical properties of the deposited SiC was investigated. The deposition was performed at $1300^{\circ}C$ in a cylindrical hot-wall LPCVD system by varying the deposition pressure and total flow rate. The texture and crystallographic orientation of the SiC were evaluated by XRD. The deposition rate increased linearly with the gas flow rate from 800 sccm to 1600 sccm. It also increased with the pressure but became saturated above a total pressure of 3.3 kPa. In the range of 3.3 - 10 kPa, the preferred orientation changed from the (220) and (311) planes to the (111) plane. The hardness and elastic modulus showed maximum values when the SiC had the (111) preferred orientation, though it gradually decreased upon a change to the (220) and (311) preferred orientations.

• 한국진공학회지
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• 제11권2호
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• pp.97-102
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• 2002

유기금속화학기상증착방법 (metal-organic chemical vapor deposition : MOCVD)을 이용하여 실리콘 (100) 기판위엔 ZnO막을 증착하였다. 공정온도 ($250^{\circ}C$~$400^{\circ}C$)와 Ar과 $O_2$가스의 유량 비 변화에 따른 ZnO막의 특성변화를 조사하였다. 막의 결정성은 공정온도가 증가함에 따라 향상되었으며 $400^{\circ}C$에서 $0.4^{\circ}$의 반치폭(full width at half maximum : FWHM)을 얻었다. 공정온도 변화에 따른 표면 평활도(surface smoothness)변화는 결정성과 반대의 경향성을 보였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제28권1호
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• pp.67-71
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• 2021

본 연구에서는 금속 와이어를 촉매로 화학기상증착법을 이용하여 그래핀을 합성하고 구조 및 전기적 특성 변화를 분석하였다. 구리와 니켈의 탄소에 대한 용해도 차이로 인해 구리와이어에서는 단층 그래핀이 성장하였고, 니켈와이어의 표면에는 다층 그래핀이 성장되었다. 또한. 고온의 그래핀 성장 조건에서 구리와 니켈의 재결정화를 통해 결정립의 크기가 증가한 것을 확인하였다. 표면에 그래핀이 합성된 구리와이어의 경우, 최대전류허용치는 1.91×105 A/㎠으로 합성 전 구리와이어에 비해 약 27% 향상되었다. 이와 유사하게, 다층 그래핀이 합성된 니켈와이어의 경우에도 최대전류 허용치는 순수한 니켈와이어 대비 약 36% 향상된 4.41×104 A/㎠으로 측정되었다. 이러한 그래핀/금속 복합소재의 우수한 전기적 특성은 고전류를 요구하는 소자 및 부품에서 안정적인 전기적 흐름을 공급하는데 기여할 수 있을 것이다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.323-323
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• 2014

기존의 태양전지 기술은 기술 장벽이 매우 낮고 대량 생산을 통한 단가 절감하는 구조를 가지고 있어 대규모 자본을 가진 후발 기업에게 잠식되기 쉽다. 그러나, III-V족 화합물 반도체를 이용한 집광형 고효율 태양전지는 기술 장벽이 매우 높은 기술 집약 산업이므로 독자적인 기술을 확보하게 되면 독점적인 시장을 확보 할 수 있어 미래 고부가 가치 산업으로 적합하다. 특히 III-V족 화합물 반도체 태양전지는 III족 원소(In, Ga, Al)와 V족 원소(As, P)의 조합으로 0.3 eV~2.5 eV까지 밴드갭을 가지는 다양한 박막 제조가 가능하여 다양한 흡수 대역을 가지는 태양전지 제조가 가능하기 때문에 다중 접합 태양전지 제작이 가능하다. 또한 III-V 화합물 반도체는 고온 특성이 우수하여 온도 안정성 및 신뢰성이 우수하고, 또한 집광 시 효율이 상승하는 특성이 있어 고배율 집광형 태양광 발전 시스템에 가장 적합하다. Si 태양전지의 경우 100배 이하의 집광에서 사용하나, III-V 화합물 반도체 태양전지의 경우 500~1000배 정도의 고집광이 가능하다. 이러한 특성으로 III-V 화합물 반도체 태양전지 모듈 가격을 낮출 수 있고, 따라서 Si 태양전지 시스템과 비교하여 발전 단가 면에서 경쟁력을 확보할 수 있다. III-V 화합물 반도체는 다양한 밴드갭 에너지를 가지는 박막 제조가 용이하고, 직접천이(direct bandgap) 구조를 가지고 있어 실리콘에 비해 광 흡수율이 높다. 또한 터널정션(tunnel junction)을 이용하면 광학적 손실과 전기적 소실을 최소화 하면서 다양한 밴드갭을 가지는 태양전지를 직렬 연결이 가능하여 한 번의 박막 증착 공정으로 넓은 흡수대역을 가지며 효율이 높은 다중접합 태양전지 제작이 가능하다. 이에 걸맞게 본연구에서는 화학기상증착장치(MOCVD)를 이용하여 InAsP 나노선을 코어 쉘 구조로 성장하여 태양전지를 제작하였다. P-type Dopant로는 Disilane (Si2H6)을 전구체로 사용하였다. 또한 Benzocyclobutene (BCB) 폴리머를 이용하여 Dielectric을 형성하였고 Sputtering 방법으로 증착한 ZnO을 투명 전극으로 사용하여 나노선 끝부분과 실리콘 기판에 메탈 전극을 형성하였다. 이를 통해 제작한 태양전지는 솔라시뮬레이터로 측정했을때 최고 7%에 달하는 변환효율을 나타내었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제42권3호
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• pp.178-181
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• 2005

Silicon oxynitride (SiON) 막은 플라즈마 화학기상증착법(PECVD)으로 $SiH_4,\;N_2O$와 $N_2$ 가스를 사용하여 $SiO_2/Si$ 위해 증착되었다. 증착 변수에 따라서 SiON 막의 굴절률은 prism coupler를 사용하여 1552nm 파장에서 $1.4480\~1.4958$까지 변화하였다. 평판 광도파로 코어로 사용되는 SiON 막의 두께는 $6{\mu}m$이고, buffer 막과의 굴절률 차이(An)는 $0.36\%$이다. 또한 식각 공정으로 $SiO_2$ 막 위에 증착된 SiON 막은 건식식각을 통해서 수행되었다. 광화이버에 $1.55{\mu}m$ 파장의 레이저론 입력단에 조사하였다. 결과적으로 저굴절률 차이 SiON 광도파로를 제작하였으며, 출력단에서 single-mode 형상을 확인하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제15권3호
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• pp.47-52
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• 2008

높은 종횡비를 갖는 비아 및 트렌치 상에 절연 막으로서 $SiO_2$를 증착하고 증착 특성 및 막의 특성을 연구하였다. 실리콘 관통 전극에서 절연 막은 전극의 벽면과 그 내부에 충진 된 물질간의 상호 확산 감소와 물질 간 접착, 전기적 절연, 디바이스로의 전기적 누수 차단 등의 역할을 해야 한다. 따라서 이러한 특성을 확인하기 위해 3종의 화학 기상 증착법인 PECVD, PETEOS, ALD을 선정하고 절연 막 증착 후 특성평가를 진행 하였다. 특성평가 항목 중 step coverage는 PECVD : <30%, PETEOS : 45%, ALD : 75%, 표면 거칠기는 PECVD : 27.8 nm, PETEOS : 2.1 nm, ALD : <2.0 nm으로 측정되어 막질의 특성은 ALD가 가장 우수하게 평가 되었으나, 실제 기술의 적용에서 가장 중요한 요소인 증착률에서 ALD는 $18\;\AA/1cycle$로서 $10\;\AA/min$ 이라는 대략적 시간이 소요되어 $5000\;\AA/min$의 증착률을 보인 PETEOS에 비해 매우 낮은 수준으로 최소 $1000\;\AA$ 이상의 두께가 요구되는 절연 막의 적용에는 어려움이 있고, 따라서 PETEOS가 본 연구에서 최적의 recipe라 평가되었다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제14권5호
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• pp.887-892
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• 2019

본 연구에서는 플라스틱 기판 중에서 가장 내열성이 우수하다고 알려진 PES 기판위에 버퍼층으로 20nm두께로 $SiO_2$ 박막을 플라즈마 화학기상증착 법으로 증착한 후, ITZO 박막을 고주파 마그네트론 스퍼터링 법으로 증착하여 공정압력에 따른 ITZO 박막의 전기적 및 광학적 특성을 조사하였다. 공정압력 3 mTorr 에서 증착한 ITZO 박막이 $8.02{\times}10^{-4}{\Omega}-cm$의 비저항과 $50.13{\Omega}/sq.$의 면저항으로 가장 우수한 전기적 특성을 보였다. 모든 ITZO 박막의 가시광 영역(400-800 nm)에서 평균 투과도는 공정압력에 무관하게 80 %이상으로 나타났다. 재료평가지수는 3 mTorr에서 증착한 ITZO 박막에서 $23.90{\times}10^{-4}{\Omega}^{-1}$로 가장 큰 값을 나타내었다. 본 연구를 통해 ITZO 박막이 차세대 플렉시블 디스플레이 소자에서 ITO 박막을 대체할 매우 유망한 재료라는 것을 알 수 있었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제13권3호
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• pp.13-17
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• 2006

밀도가 높고 주기적인 배열의 기공과 나노패턴이 된 텅스텐 나노점이 실리콘 산화물/실리콘 기판위에 형성이 되었다. 기공의 지름은 25 nm이고 깊이는 40 nm 이었으며 기공과 기공 사이의 거리는 60 nm이었다. nm 크기의 패턴을 형성시키기 위해서 자기조립물질을 사용했으며 폴리스티렌(PS) 바탕에 벌집형태로 평행하게 배열된 실린더 모양의 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA)의 구조를 형성했다. 폴리메틸메타아크릴레이트를 아세트산으로 제거하여 폴리스티렌만 남아있는 건식 식각용 마스크를 만들었다. 실리콘 산화막은 불소 기반의 화학반응성 식각법을 이용하여 식각했다. nm크기의 트렌치 안에 선택적으로 증착된 텅스텐 나노점을 만들기 위해서 저압화학기상증착(LPCVD)방법을 이용하였다. 텅스텐 나노점과 실리콘 트렌치의 지름은 26 nm 와 30 nm였다.