• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.38 no.7
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• pp.667-671
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• 2001

Sawyer-tower 회로를 이용한 강유전 이력곡선의 측정과정에서의 주요 오차 원인을 살펴보고 이에 대한 대안을 제시해 보았다. 강유전체 시편에 존재하는 직류 누설성분에 의해 잔류분극과 항전계는 과대평가될 수 있는 위험성이 항상 있음을 알 수 있었으며 이러한 오차의 보정에 대하여 논의하였다. 또한 강유전 이력곡선의 측정에서 측정하는 시간이 증가되면서 시편의 발열로 인해서 시편의 온도가 증가하게 되어 잔류분극 값과 항전계 값이 감소하는 경향으로 나타남을 관찰하였고, 그 대책을 제안하였다.

• Journal of the Korean Applied Science and Technology
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• v.35 no.4
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• pp.1206-1212
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• 2018

In this study, the polarization reversal characteristics of thin film capacitors with a thickness of 100 nm or less fabricated with ferroelectric polymer were measured and analyzed. For the fixed film thickness, polarization reversal occurred at higher coercive fields as the applied maximum electric field increased. For the fixed maximum electric field, polarization reversal occurred at the same coercive field irrespective of the thickness of the thin film. The proportional constant values between the logarithmic electric field and the logarithmic scale frequency were $0.12{\pm}0.01$ for all measurements. As a result, the ferroelectric polymer capacitors consistently exhibited polarization reversal characteristics without any size effects up to a thickness of 40 nm. This study shows the possibility of a polymer memory device that can operate at low voltage, which is useful for predicting the behavior of a low-voltage operating polymer memory device.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.37 no.10
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• pp.975-980
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• 2000

스테인레스 스틸 기판 위에 Pb($Zr_{0.45}$ $Ti_{0.55}$) $O_3$후막을 졸-겔 스핀 코팅법으로 제조하였다. 스테인레스 스틸은 그 자체로 좋은 도체이지만 PZT 후막의 강유전 특성을 개선하고자 Ru $O_2$박막을 중간층 겸 하부전극으로 사용하였다. PZT 전구체 용액을 코팅하고 급속 열처리하였을 때 5$50^{\circ}C$ 이하에서 pyrochlore 상이 먼저 나타났고 이 transient 상은 61$0^{\circ}C$에서 모두 perovskite 상으로 변화하였다. $600^{\circ}C$에서 열처리된 PZT 후막은 잔존하는 pyrochlore로 인해 걸어준 전기장에 무관하게 5-7$\mu$C/$ extrm{cm}^2$의 낮은 $P_{r}$값을 나타내었으나 61$0^{\circ}C$ 이상에서 열처리된 시편들은 모두 25$\mu$C/$\textrm{cm}^2$ 이상의 잔류분극을 가지고 있었다. 또한 Ru $O_2$중간층이 PZT의 강유전성에 미치는 영향을 조사하였을 때 잔류분극 값은 거의 영향을 받지 않았으나 항전계 값은 상당한 영향을 받았다. 즉 100nm 두께의 Ru $O_2$박막을 중간층으로 사용할 경우 중간층 없이 직접 스테인레스 스틸 위에 코팅할 때에 비해 항전계 값을 45% 가량 줄일 수 있었다.

• Korean Journal of Crystallography
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• v.12 no.2
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• pp.65-91
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• 2001

Errors and its compensation in the measurement of dielectric hysteresis in ferroelectric by using Sawyer-Tower circuit were discussed. When ferroelectrics are lossy, remanent polarization and coercive field are likely to be over-estimated. As the DC conductivity and measuring time increases, measurement errors in ferroelectric properties increase. Current hysteresis measurement was suggested for compensation such errors.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 1999.11a
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• pp.199-202
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• 1999

반강유전 물질인 Pb[(Zr. Sn)Ti]NbO₃를 La/sub 0.5/Sr/sub 0.5/CoO₃/Pt/Ti/SiO₂/Si 기판상에 RF 마그네트론 스퍼터링 방법으로 박막화하여 그 결정성과 전기적 특성을 조사하였다. 80 W의 RF power, 400℃의 기판온도, Ar:O₂= 9:0.5의 분위기에서 증착되고, 650 ℃에서 10초동안 RTP(Rapid Thermal Process) 방법으로 열처리된 박막이 가장 우수한 페로브스카이트 구조를 보였으며, 10 ㎑ 에서 유전상수(ε')는 721, 유전손실(tan δ)은 0.06을 나타내었다. 잔류분극(Pr)은 15.5 μC/㎠ 였으며, 항전계(Ec)는 51 ㎸/㎝로 비교적 낮은 값을 나타내었다.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.11 no.2
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• pp.128-132
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• 1998

2/65/35 PLZT stock solution prepared by Sol-Gel processing was spin-coated on ITO coated glass and annealed by RTA(Rapid Thermal Annealing). The crystal structure of films was reported based on the observation of crystallization process and microstructure of the film fabricated at different fabrication condition. Films were crystallized into rhombohedral structure by annealing at $750^{\circ}C$ for 5 min. As the annealing temperature increased, the size of rosette structure of the films was grown up from $2.4{\mu}m$ to $15{\mu}m$, dielectric constant was increased, coercive field was decreased 33.82 kV/cm, remnant polarization was increased to 39.84 ${\mu}C/cm^2$ and Optical transmittance was decreased.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.7 no.5
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• pp.381-385
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• 1997

PEMOCVD에 의해서 SrBi$_{2}$Ta$_{2}$O$_{9}$밥막이 낮은 온도에서 성공적으로 Pt/Ti/SiO$_{2}$Si위에 증착되었다. 5$50^{\circ}C$에서 증착된 200nm박막은 치밀하고 작은 결정립을 보였으며 3V의 인가전압하에서 이력곡선은 포화되기 시작하였다. 3V에서 박막은 잔류분극 (P$_{r}$)과 항전계(E$_{c}$)는 각각 15$\mu$/$\textrm{cm}^2$과 50kV/cm이었다. 6V bipolar square pulse의 피로측정에서 박막은 1.0x$10^{11}$cycles까지 피로 현상을 보이지 않았다. PEMOCVD에 의해서 5$50^{\circ}C$에서 증착된 SBT박막은 비휘발성 기억소자에 충분히 활용할 수 있다.다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.3 no.4
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• pp.287-294
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• 1990

이 논문은 메모리 재료의 기록, 소거의 반복시험에 의한 재료의 열화정도, 기록시의 열안정성, 신뢰성 등을 조사한 결과 다음과 같은 것을 알았다. 1)Ex/Ec가 0.69의 경우 $10^{7}$ 회 이상의 기록, 소거의 반복시험에도 분극의 변화는 없었으며 또한 1.78배에 있어서도 $10^{3}$회 까지는 문제가 없음을 알았다. 2)항전계의 1/2을 초과하는 역펄스 전게에서도 분극에는 전혀 변화가 없었다. 3)열처리 시험에 있어서 열에 의한 분극의 감쇠는 15분 이내에 일정치에 달했으며 또한 불화 비닐덴의 조성비가 클수록 열안정성이 증가했다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.10 no.2
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• pp.156-165
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• 1997

D-E hysteresis loops have been measured for the 65/35 mole % copolymer of vinylidene fluoride and trifluoroethylene over wide temperature range. The remanent polarization and the coercive field at room temperature were estimated to be 75 mC/m$^{2}$ and 55 MV/m respectively. D-E hysteresis loops were observed even below the glass transition temperature(-20.deg. C) and the remanent polarization and the coercive field were larger, as the temperature lower. It seems that the remanent polarization and the coercive field depend on the amorphous region as well as crystalline region in this copolymer. And the ferroelectric-to-paraelectric phase transition was observed at 90.deg. C on heating and 80'C on cooling. Double hysteresis loops were observed at the temperature(85.deg. C) of paraelectric phase.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics T
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• v.36T no.3
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• pp.7-12
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• 1999

In this paper, dielectric and strain properties of (1-f-y)PMN-yPT-xST ceramics investigated with the amount of $\textrm{SrTiO}^3$(ST). The $\textrm{SrTiO}^3$ content is ranged within 1~6㏖%. Another compositions with excess MgO also investigated. As the amount of ST is increased, dielectric constant has a maximum value at 5㏖% composition. The Curie temperature is decreased linearly with increasing the amount of ST. Coercive field and ramnant polarization has a maximum value at l㏖% composition. As for the effects of excess MgO, the dielectric constant has been increased by the addition of excess MgO up to 3㏖% to a 0.8PMN-0.12PT-0.04ST specimen. But the strain has been decreased by the addition of excess MgO.