• 제목/요약/키워드: 피크 영향

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펄스 직류 $CF_4$/ Ar 플라즈마 발생 장치의 전기적 특성 평가

  • 김진우;최경훈;박동균;송효섭;조관식;이제원
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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    • pp.236-236
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    • 2011
  • 본 연구 축전 결합형 고주파 플라즈마(CCP) 식각장비에 펄스 직류(Pulse DC) 전원을 인가하여 오실로스코프(oscilloscope)를 분석하여 전기적 특성을 평가하는 것이다. 펄스 직류전원 플라즈마 시스템에서는 다양한 변수를 이해하여야 한다. 본 실험에서 사용한 공정 변수는 Pulsed DC Voltage 300~500 V, Pulsed DC reverse time $0.5{\sim}2.0{\mu}s$, Pulsed DC Frequency 100~250 kHz 이었다. 실험 결과를 정리하면 1) Pulsed DC Voltage 가 증가할수록 Input voltage의 최대값은 336~520 V, 최소값은 -544~-920 V로 변하여 피크 투 피크 (peak to peak)값은 880~1460 V로 증가였다. Input current 또한 최대값은 1.88~2.88 A, 최소값은 -0.84~-1.28 A로 변하여 피크 투피크 값은 2.88~4.24 A로 증가하였다. 이는 척에 인가되는 전류와 파워의 증가를 의미한다. 2) Pulsed DC reverse time이 증가하면 Input voltage와 Input current값이 증가했다 (Input voltage의 피크 투 피크 값은 1200~1440 V, Input current의 피크 투 피크 값은 3.56~4.56 A). 3) Pulsed DC frequency가 증가하면 주기가 짧아져 Input voltage와 Input current값이 증가 한다 (Input voltage의 피크 투 피크 값은 900~1320 V, Input current의 피크 투 피크 값은 2.36~3.64 A). 결론적으로 펄스 직류 플라즈마의 다양한 전기적 변수들은 반응기 내부에 인가되는 Input voltage와 Input current의 값에 큰 영향을 준다는 것을 알 수 있었다.

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Hot Wall Epitaxy의 성장조건이 ZnSe/GaAs 이종접합구조의 구조적, 광학적 특성에 미치는 영향 (Role of growth Conditions of Hot Wall)

  • 이종원
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제5권1호
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    • pp.45-54
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    • 1998
  • 본 연구에서는 열벽성장법에 의해 ZnSe 에피막을 GaAs 기판에 성장하고 double crystal x-ray diffractometer와 Photoluminescence (PL) 등의 장치를 이용하여 구조족, 광학 적 특성을 연구하였다. x-선 반치폭과 PL피크강도로부터 최적의 기판온도가 34$0^{\circ}C$임을 알 수 있었다. 또한 기판온도, 열벽부온도, 원료부온도, 성장시간등의 성장조건이 표면거칠기 성 장률, x-선 반치폭, PL 피크강도 등에 미치는 영향에 대하여 살펴보았다. 최적 성장조건하 에성장된 ZnSe 에피막의 x-선 반치폭은 149sec로 나타났는데 이는 HWE 성장법으로 성장 된 ZnSe 에피막에 대하여 보고된 수치 중 가장낮은 값이다. PL 스펙트럼에서 I2 피크와 DAP 피크의 강도는 높고, SA 피크의 강도는 낮다는 사실로부터 본 연구에서 성장된 ZnSe 에피막의 결정질이 매우 우수함을 확인하였다.

광 픽업 장치에서의 지-터 특성개선을 위한 회절 광학소자의 설계 (Design of Diffractive Optical Element for Improving Jitter Characteristics of Optical Pickup)

  • 이건기;정원근;이주원;김영일;전재철
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제8권8호
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    • pp.1810-1817
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    • 2004
  • 본 연구에서는 CD, DVD의 기록 및 재생기에 사용되는 광 픽업 장치에서의 빔의 특성을 좋아지게 하기 위하여 DOE(회절광학소자)를 무족화(apodization)와 첨예화의 두 가지 방법으로 설계하여 최적화 알고리즘으로 심플렉스법을 적용하여 기존 광 픽업 장치와 비교 분석하였다. 분석된 결과 무족화에 있어서 기존 광 픽업 장치와 비교하여 2차 피크와 3차 피크는 39%, 63%로 억제되어 현저한 효과를 볼 수 있었고, 첨예화에서는 1차 피크의 폭이 4.8% 줄일 수 있었다. 그러나 이 역시 2차 피크가 커지는 부작용이 동반되는데 광 픽업 장치가 2차 피크의 영향이 적은 환경에서는 지터특성의 개선이 있을 것으로 기대하지만 1차와 2차 피크가 복합적으로 영향을 미치는 경우에는 광시스템에 대한 면밀한 고려하면, 원형창의 경우 단일 슬릿에 비하여 2차 피크의 밝기가 37%에 불과하여 실제의 산업현장에서 2차 피크를 무시하는 것을 고려하면 4.8%의 폭을 줄여 지터 특성이 개선되었다.

신.재생에너지 전원설비의 전력수요 피크 시 공급영향분석 (Impact Analysis of the Power Generation Capacities of New and Renewable Energy on Peak Electricity Supply)

  • 김수덕;김영산
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 한국신재생에너지학회 2005년도 제17회 워크샵 및 추계학술대회
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    • pp.609-617
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    • 2005
  • 본 연구는 신재생전원설비가 추가적으로 전력공급설비로서의 역할을 키워감에 따라 나타날 수 있는 공급 상의 문제를 신재생에너지원별로 확률적인 분석을 시도하였다. 각 원별 패턴은 풍속, 일사량, 그리고 월력에 근거한 조수간만의 차이 등에 의해 영향을 받으며 이들은 확률적 분포를 갖는다는 점에 주목하여 피크공급에 대한 각 원별 기여도에 대한 확률적 분석을 시도하였다. 분석의 결과, 저자는 통상적인 전력수급계획에서 각 에너지원별 혹 발전원별 설비이용률을 갖고 설비계획에 반영하는 기존의 방법론이 갖는 문제점을 지적한다.

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인구·경제·조직 측면에서 공기업 임금피크 근로자 분석 (A Study on Public Enterprise Workers with Wage Peak System -Population, Economic and Organizational Aspects-)

  • 윤재희;이수경
    • 한국콘텐츠학회논문지
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    • 제19권1호
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    • pp.174-186
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    • 2019
  • 본 연구는 고령인력 증가가 다른 영역보다 빨리 진행되며, 인적자원관리가 쉽지 않은 공기업 임금피크 근로자의 인구 경제 조직적 특성과 임금피크제 및 퇴직 간 관계에 대해 살펴보고자 하였다. 연구대상은 임금피크제 실시 공기업 19개사에 종사하는 임금피크 근로자 211명이었다. 연구결과에 따르면 인구 경제적 특성에 있어서, 교육수준, 가계총수입, 퇴직 후 생활비, 퇴직대비저축과 투자금액은 임금피크만족도, 임금피크수용도, 퇴직준비와 퇴직태도에 영향을 미치는 것으로 나타났다. 조직적 특성에서는 직급과 직군, 근무기간과 정년퇴직잔여기간, 퇴직준비프로그램 참여 그리고 임금피크 적용 여부에 따라 각각 차이가 나타났다. 연구 결과를 바탕으로 고령사회를 위한 실효성 있는 임금피크제 시행을 위해서는 복지지원, 교육훈련, 전직지원과 같은 고령친화인사제도의 직군, 직급, 경제수준 및 교육수준 별 시행의 필요성을 시사함과 동시에 후속 연구를 위한 제언을 논의하였다.

제조용 단백질 크로마토그래피의 시뮬레이션 (Simulation of Preparation Protein Chromatography)

  • 김인호;이선묵;황우성
    • KSBB Journal
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    • 제14권3호
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    • pp.371-376
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    • 1999
  • 제조용 액체 크로마토그래피를 전산모사하는 것은 최적의 분리와 조건을 위해 필수적이다. 제조용 액체 크로마토그래피에서의 단일 성분과 2성분 용출 피크의 거동을 설명하는 수학적 모델을 equilibrium-dispersive model을 이용해 계산을 수행하였다. 모델의 전산모사를 통해 주입되는 시료부피, 시료속의 용질의 농도, 유속, 컬럼길이가 용출되는 피크에 미치는 영향을 확인해 보았다. Equilibrium-dispersive model로 전산모사된 data를 이용하여 단일 성분 시료 주입에 대해 주입 농도와 유속에 대한 영향을 알아본 결과 주입 농도를 증가시킬수록 용출이 일어나는 시점이 앞당겨져 평균 체류 시간이 감소하고 날카로운 피크를 얻을 수 있다. 유속을 증가시키면 시료의 용출 시점이 앞당겨지고, 고정상과의 충분한 상호 작용을 일으키기 전에 용출되기 때문에 피크가 날카로와 진다. 2성분 시료 주입에 대해 분리도값들을 계산한 결과 두번째로 용출되는 시료의 농도를 증가시킬수록 이 시료성분이 더 빨리 용출되므로 분리도값이 감소함을 알 수 있다. 칼럼길이가 분리도에 미치는 영향을 보면 칼럼길이를 길게 할수록 시료성분이 고정상과의 완전한 상호작용으로 분리가 잘되고, 시료의 주입량을 증가시키면 두 성분간의 용출 피크의 간격이 좁아져 분리도 값이 감소함을 알 수 있다. 이 내용을 바탕으로 다성분 분리에 대한 simulation 연구로 확장할 수 있다.

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NaI(T1) 검출기 스펙트럼의 에너지-채널 관계 자동결정 (Automatic Determination of the Energy Pulse-height Relationship in NaI(TI) Spectra)

  • 이모성
    • Journal of Radiation Protection and Research
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    • 제22권3호
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    • pp.143-151
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    • 1997
  • NaI(TI) 검출기의 파고는 용도에 따라 변하기 때문에, 온도 변화는 분광분석기의 에너지 교정에 영향을 미친다. 외부 선원을 사용하여 파고의 온도 의존성을 보상할 수 있으나 이것은 바람직하지 않은 콤프턴 영향을 야기한다. 이 연구에서는 환경중의 감마선 스펙트럼에서 뚜렸한 $^{212}Pb$로부터의 239 keV 피크, $^{214}Pb$로부터의 351 keV 피크, 40K로부터의 1460 keV 피크, $^{208}Tl$으로 부터의 2614 keV 피크를 에너지 교정의 기준 피크로 사용하였다. 이들 피크를 이용하는 방법은 마이크로소프트사의 Visual Basic으로 프로그램화하였다. 이렇게 개발된 프로그램은 신뢰성과 적용성을 검증하기 위해 $-20^{\circ}C$ 부터 $10^{\circ}C$까지 변하는 온도에서 30분 간격으로 측정한 환경 스펙트럼에 적용하였다. 그 결과로써 일상의 기온에서 측정한 $3'{\times}3'$ NaI(Tl) 검출기의 스펙트럼에 대해 이 방식의 에너지 교정은 효과적임이 입증되었다.

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InGaAsP 에피막의 도핑농도 및 미세조직구조가 photoluminescence 분산특성에 미치 는 영향 (Effects of Doping Concentration and Microstructures on Photoluminescence Dispersion of InGaAsP Semiconductors)

  • 이종원
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제4권2호
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    • pp.71-78
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    • 1997
  • 본 논문에서는 InGaAsP 에피막에서 도핑 농도와 에피막의 미세조직구조가 photoluminescence (PL) 스펙트럼의 위치 및 형상에 어떤 영향을 미치는가를 연구하였고, 그 결과를 설명하기 위해 가능한 모델을 제시하였다. InGaAsP 에피막(발진파장 ~1.3$\mu$m) 을 액상증착법(liquid phase epitaxy, LPE)으로 성장하여 9K에서 PL측정을 했을 때 InGaAsP 활성층 내 Zn 억셉터의 유무에 따라 PL 피크의 위치가 최대 30nm (24meV)까지 shift하고 피크의 선폭도 넓어지는 현사을 발견하였다. 이와같은 피크 분산현상은 inGaAsP 에피막이 유기금속 기상증착법으로 성장되거나 Zn로 고농도로 도핑되거나 고온에서 어닐링 될 경우 대폭 감소하였다. 이를 설명하기 위해 여러 가지 모델을 설정하여 실험을 하였으며 이 중 InGaAsP 에피막의 미세조직구조 특히 Spinodal 분해에 의한 조성이 모듈레이션과 Zn의 상호작용의 관계가 이 현상을 설명하는 데 가장 적절하다는 것을 밝혔다.

낸드 플래시 기반 저장장치의 피크 전류 모델링을 이용한 전력 최적화 기법 연구 (Power Optimization Method Using Peak Current Modeling for NAND Flash-based Storage Devices)

  • 원삼규;정의영
    • 전자공학회논문지
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    • 제53권1호
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    • pp.43-50
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    • 2016
  • 낸드플래시 기반 저장장치는 성능 향상을 위해 다중 채널, 다중 웨이 구조를 통해 다수의 낸드 디바이스를 병렬 동작시키고 있다. 하지만 동시 동작하는 낸드 디바이스의 수가 늘어나면서 전력 소모 문제가 가시화되었으며, 특히 디바이스 간 복수의 피크 전류가 서로 중첩되면서 높은 전력소모로 인해 데이터 신뢰성과 시스템 안정성에 큰 영향을 미치고 있다. 본 논문에서는 낸드 디바이스에서 지우기, 쓰기, 읽기 동작에 대한 전류 파형을 측정, 이를 프로파일링하여 피크 전류에 대한 정의와 모델링을 진행하였고, 나아가 다수의 낸드에서 피크 전류 중첩 확률을 계산한다. 또한 시스템 수준의 TLM 시뮬레이터를 개발하여 다양한 시뮬레이션 시나리오를 주입하여 피크 전류 중첩 현상을 분석 한다. 본 실험 결과에서는 낸드간 피크 중첩 현상을 차단할 수 있는 간단한 전력 관리 기법을 적용하여 피크 전류 중첩과 시스템 성능 간의 관계를 살펴보고 이를 통해 성능 저하 최소화를 위한 피크 중첩 비율을 제시하였다.