• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.05a
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• pp.145-146
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• 2009

크롬 도금된 AISI 316L 스테인리스강에 펄스 바이어스를 사용한 유도결합 플라즈마로 질화 처리하여 고분자 전해질 연료전지용 분리판에 적합한 물성을 확인하였다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.26 no.4
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• pp.67-72
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• 1989

Room Temperature Plasma Nitridation of silicon was investigated as a new LOCOS (local oxidation of silicon) process in order to reduce the bird's beak length. In $N_2$ plasma formed by 100kHz, 400W AC power, a thin silicon nitride film (<100${\AA}$) was uniformly grown on a silicon substrate. SEM studies showed that the nitride layer formed by this method can effectively protect the silicon from oxidation and reduce the bird's beak length to $0.2{mu}m$ when 4000${\AA}$ field oxide is grown. This is a considerable improvement comparing with 0.7${mu}m,$ the bird's beak, for the conventional LOCOS process using a thick LPCVD nitride. No appreciable crystalline defect could be found around the bird's beak with SEM cross-section afrer Secco etch. Leakage current tests were carried out on the $N^+/P^-$ well and $P^+/N^-$ well diodes formed by this new LOCOS process. The electrical tests indicate that this new process has electrical properties similar or superior to those of the conventional LOCOS process.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.7 no.4
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• pp.320-327
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• 1998

The chemical aspects of nitridated surface of sapphire(0001) have been studied by X-ray photoelectron spectroscopy. Nitridated layer was formed by remote plasma enhanced-ultrahigh vacuum deposition at a low temperature range. It was confirmed that this nitridated surface was mainly consists of AIN layer. The relative amounts of nitrogen reacted with AL on the sapphire surface and their surface morphology were investigated with X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and atomic force microscopy (AFM) as a function of radio-frequency power, reaction temperature, and reaction time. The amounts of atomic nitrogen activated by plasma which was subsequently incorporated into sapphire were increased with RF power. But the amounts of nitrogen reacted with AI in sapphire was initially increased and then remained constant. However, the relative amounts of AIN were nearly constant with irrespective of nitridation temperature and time. Furthermore, a depth porfile of nitridated layer with XPS showed that the nitridated surface consisted of three layers with different stoichiometry.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.446-446
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• 2009

표면 패시베이션 기술로 이용되는 수소화된 실리콘 질화막은 제조원가의 절감을 위한 실리콘 기판재료의 두께 감소에 따른 특성상의 문제점을 해결하기 위해 중요한 영향을 미치는 요소이다. 실리콘 질화막은 강한 기계적 강도, 우수한 유전적 특성, 수문에 의한 부식과 유동적 이온에 대한 우수한 저항력 때문에, 반도체 소자 산업에서 널리 사용되고 있다. 수소화된 실리콘 질화막은 반사방지 특성과 함께 표면 패시베이션의 질을 향상시킬 수 있다. 굴절률 1.9 ~ 2.3 범위에서 쉽게 변화 가능한 수소화된 실리콘 질화막은 굴절률 1.4 ~ 1.5 사이의 열적 산화막 보다 효과적인 반사방지막이다. 수소화된 실리콘 질화막을 사용한 태양전지에서는 효율을 높이기 위해서 기판 표면에서의 케리어 재결합이 억제되어져야한다. 또한, 수소화된 실리콘 질화막은 최적화된 두께와 굴절률을 가져야한다. 본 연구에서는 고효율 태양전지에 적용하기 위해 반송자 수명이 향상된 수소화된 실리콘 질화막을 플라즈마 화학 기상 증착법을 이용하여 증착하였다. 박막은 $250^{\circ}C\;{\sim}\;450^{\circ}C$에서 증착되었으며 증착된 박막은 1.94 to 2.05 굴절률 값을 가지고 있다. 반송자 수명을 증가시키기 위해 $650^{\circ}C\;{\sim}\;950^{\circ}C$에서 어닐링 하였고 반송자 수명을 측정하여 패시베이션 특성을 분석하였다. 수소화된 실리콘 질화막은 $850^{\circ}C$의 어닐링 온도와 굴절률 2.0 조건에서 가장 좋은 반송자 수명을 나타냈다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.05a
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• pp.30-30
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• 2015

가전 전자 제품의 대형화 추세와 함께 사용 금형 역시 정밀대형화가 추진되고 있다. 금형의 대형화로 인해 금형표면에 대한 경화 및 내마모 표면처리에 대한 중요성이 더욱 증대되고 있는 상황인 바, 본 연구에서는 고밀도 이온에 의한 플라즈마 질화처리 기술을 활용하여 금형 사용에 있어 충분한 내구성의 확보와 열 변형 최소화, 후 가공비용의 절감, 기타 금형용 상용화 질화처리 전반에 대한 연구를 진행하였다. 그 결과 금형 소재의 저변형 처리를 위한 적정 에너지 조건, 소형 금형 부품의 고품위 처리를 위한 저비용 공정 기술, 금형 생산 상용화 효율 향상을 위한 가열 및 냉각 공정 개선 성과를 확보할 수 있었다.

• Journal of Power System Engineering
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• v.9 no.1
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• pp.76-81
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• 2005

The effect of micro-pulse plasma nitriding temperature and time on the case thickness, hardness and nitride formation in the surface of Fe-12Cr-22Mn-X alloy with 3% Co and 1% Ti alloys elements investigated. External compound layer and internal diffusion layer was constituted in plasma nitride case of Fe-12Cr-22Mn-X alloys and formed nitride phase such as ${\gamma}'-Fe4N\;and\;{\varepsilon}-Fe2-3N$. Case depth increased with increasing the plasma nitriding temperature and time. Surface hardness of nitrided Fe-12Cr-22Mn-X alloys obtained the above value of Hv 1,600 and case depth obtained the above value of $45{\mu}m$ in Fe-12Cr-22Mn-3Co alloy and $60{\mu}m$ in Fe-12Cr-22Mn-1Ti alloy. Wear-resistance increased with increasing plasma nitriding time and showing the higher value in Fe-12Cr-22Mn-1Ti alloy than Fe-12Cr-22Mn-3Co alloy.

• 전기의세계
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• v.34 no.11
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• pp.696-701
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• 1985

glow나 arc방전에 의해서 생기는 플라즈마는 고융점을 갖는 refractory금속이나 superalloy의 용해, 제조에 이용되며, 플라즈마를 이용한 repid solidification방법은 amorphous metal이나 suepralloy제조에 이용되는 최신의 방법이다. 또한 기상반응을 이용해서 신소재로써 관심이 증대되고 있는 fine ceramics나 polymer를 만들수 있고, 높은 강도와 내마모성이 요구되는 금형, 절삭공구, 베어링, 치차부품의 표면에 질화막이나 TiC, TiN의 박막을 입히는데 이용될 수 있다. 플라즈마를 이용한 방법의 피처리물이 저온으로 유지될 수 있고, 에너지소비가 적은 점등의 여러가지 장점이 있어서 앞으로 이용이 활발해지리라고 생각되며 플라즈마의 기본성질의 이해가 성공적인 이용의 첫걸임을 부언하고 싶다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.5 no.4
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• pp.377-386
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• 1996

Austenitic stainless steel type 304L has been nitrided under the low pressure of high nitrogen environment for 5 hours by the square-wave-pulse-d.c. plasma as a function of temperature 400~$600^{\circ}C$ and of pulsation. At the temperature range lower than $500^{\circ}C$ and at the relatively high ratio of pulse duration to pulse period, nonstoichiometric stainless steel nitride has been developed in the form of a thin layer which has many cracks. At the temperature range higher than $500^{\circ}C$, with the increasing temperature or with the increasing ratio of the pulse duration to pulse period up to 50s/100s, the nitrided layer was composed mainly of CrN and Fe4N phases and became thick, uniform, columnar and nearly crack-free. The nitrided layer at $500^{\circ}C$ was mixed with the low-temperature layer and the high temperature layer and was very brittle.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.05a
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• pp.147-148
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• 2009

스테인리스강인 AISI 316L의 질화처리를 통하여 고분자 전해질 연료전지에 분리판에 적용가능한 특성을 측정하였다. 질화처리를 통하여 면간접촉저항을 $20m{\Omega}cm^2$ 정도로 낮게 만들었으며 부식특성도 원래의 스테인리스강과 비슷한 값을 나타내었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2007.11a
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• pp.142-146
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• 2007

플라즈마 이온 확산법을 이용하여 $N_2$ $CH_4$와 Ar의 기체 혼합물로부터 탄절화 타이타늄을 제조하였다.. 타이타늄 합금에 형성된 탄질화 타이타늄은 증착온도가 증가할수록 TiCN(200)으로 우선성장 하였고, 온도에 증가함에 따라 탄질화층의 두께도 증가하는 경향이 나타났으며, 미소경도의 증가와 좋은 내마모성특성이 나타났다.