Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics (대한전자공학회논문지)
- Volume 26 Issue 4
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- Pages.67-72
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- 1989
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- 1016-135X(pISSN)
Study on the Material and Electrical Characteristics of the New Semi-Recessed LOCOS by Room Temperature Plasma Nitridation
상온 플라즈마 질화막을 이용한 새로운 부분산화공정의 물성 및 전기적 특성에 관한 연구
- Lee, Byung-Il (Dept. of Metallurgical Eng., Seoul Nat'l Univ.) ;
- Joo, Seung-Ki (Dept. of Metallurgical Eng., Seoul Nat'l Univ.)
- Published : 1989.04.01
Abstract
Room Temperature Plasma Nitridation of silicon was investigated as a new LOCOS (local oxidation of silicon) process in order to reduce the bird's beak length. In
부분산화공정(LOCOS : local oxidation of silicon)에서 발생하는 새부리의 길이를 줄이기 위하여 상온 플라즈마 질화막을 잉요한 시로운 공정에 대해 연구하였다. 400W, 100kHz의 교류 전력에 의한 질소 플라즈마로 실리콘 위에 두께가
Keywords