• Title/Summary/Keyword: 표면압력

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Comparison of Dry Etching of AlGaAs/GaAs in High Density Inductively Coupled $BCl_3$ based Plasmas ($BCl_3$에 기초한 고밀도 유도결합 플라즈마에 의한 AlGaAs/GaAs 건식식각 비교)

  • ;;;;;S. J. Pearton
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2003.03a
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    • pp.63-63
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    • 2003
  • 플라즈마 공정은 DRAM, 이종접합 양극성 트랜지스터(HBTs), 레이저, 평면도파로(planar lightwave circuit)와 같은 전자소자 및 광조자 제작에 있어서 핵심 공정중의 하나이다. 최근 미세 구조의 크기가 극도로 감소하게 됨에 따라 실제 소작 제작에 있어서 미세한 모양을 식각하는 공정이 매우 중요하게 되었다. 그 중에서 고밀도 유도결합 플라즈마(high density inductively coupled plasma)를 이용한 기술은 빠르고 정확한 식각률, 우수한 식각 균일도와 높은 재현성 때문에 습식식각 기술보다 선호되고 있다. 본 연구는 평판형(planar) 고밀도 유도결합 플라즈마 식각장치를 이용하여 BCl$_3$와 BCl$_3$/Ar 플라즈마에 따른 AlGaAs/GaAs의 식각결과를 비교 분석하였다. 공정 변수는 ICP 소스(source power)파워, RIE 척(chuck) 파워, 공정 압력, 그리고 Ar 조성비(0-100%)이었다. BCl$_3$에 Ar을 첨가하게 되면 순수한 BCl$_3$ 플라즈마에서의 AlGaAs/GaAs 식각률(> 3000 $\AA$/min) 보다 분당 약 1000$\AA$ 이상 높은 식각률(>4000 $\AA$/min)을 나타내었다. 이 결과는 Ar 플라즈마의 이온보조(ion-assisted)가 식각률 증가에 기인한다고 예측된다. 그리고 전자주사 현미경(SEM)과 원자력간 현미경(AFM)을 사용하여 식각 후 표면 거칠기 및 수직 측벽도 둥을 분석하였다. 마지막으로 XPS를 이용하여 식각된 후에 표면에 남아 있는 잔류 성분 분석을 연구하였다. 본 결과를 종합하면 BCl$_3$에 기초한 평판형 유도결합 플라즈마는 AlGaAs/GaAs 구조의 식각시 많은 우수한 특성을 보여주었다.79$\ell/\textrm{cm}^3$, 0.016$\ell/\textrm{cm}^3$, 혼합재료 2는 0.045$\ell/\textrm{cm}^3$, 0.014$\ell/\textrm{cm}^3$, 혼합재료 3은 0.123$\ell/\textrm{cm}^3$, 0.017$\ell/\textrm{cm}^3$, 혼합재료 4는 0.055$\ell/\textrm{cm}^3$, 0.016$\ell/\textrm{cm}^3$, 혼합재료 5는 0.031$\ell/\textrm{cm}^3$, 0.015$\ell/\textrm{cm}^3$, 혼합재료 6은 0.111$\ell/\textrm{cm}^3$, 0.020$\ell/\textrm{cm}^3$로 나타났다. 3. 단일재료의 악취흡착성능 실험결과 암모니아는 코코넛, 소나무수피, 왕겨에서 흡착능력이 우수하게 나타났으며, 황화수소는 펄라이트, 왕겨, 소나무수피에서 다른 재료에 비하여 상대적으로 우수한 것으로 나타났으며, 혼합충진재는 암모니아의 경우 코코넛과 펄라이트의 비율이 70%:30%인 혼합재료 3번과 소나무수피와 펄라이트의 비율이 70%:30%인 혼합재료 6번에서 다른 혼합재료에 비하여 우수한 것으로 나타났으며, 황화수소의 경우 혼합재료에 따라 약간의 차이를 보였다. 4. 코코넛과 소나무수피의 경우 암모니아가스에 대한 흡착성능은 거의 비슷한 것으로 사료되며, 코코넛의 경우 전량을 수입에 의존하고 있다는 점에서 국내 조달이 용이하며, 구입 비용도 적게 소요되는 소나무수피를 사용하는 것이 경제적이라고 사료된다. 5. 마지막으로 악취제거 미생물균주를 접종한 소나무수피 70%와 펄라이트 30%의 혼합재료를 24시간동안 장기간 운전

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A Study on the Heat Flow Analysis of Infra-Red Signature Suppression System for Naval Ship (함정 적외선 신호저감 장치의 열 유동해석 연구)

  • Yoon, Seok-Tae;Cho, Yong-Jin;Ko, Dae-Eun
    • Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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    • v.18 no.11
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    • pp.740-746
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    • 2017
  • Infrared signatures emitted from hot exhaust gases generated by the internal combustion engine and generator of naval ships and from the metal surfaces of the funnel have become the targets of infrared homing missiles, which is the main cause of a reduced survivability of naval ships. The infrared signatures from the exhaust gas and the metal surface of a funnel can be reduced by installing an infrared signature suppression (IRSS) system on a ship. The IRSS system consists of three parts: an eductor that generates turbulent flow of the exhaust gas, a mixing tube that mixes the exhaust gas with ambient air, and a diffuser that forms an air film using the pressure difference between the inside and outside air. As a basic study to develop an IRSS system using domestic technology, this study analyzed the model test conditions of an IRSS system developed by an overseas engineering company and installed on a domestic naval ship, and a numerical heat-flow analysis was conducted based on the results of the aforementioned analysis. Numerical heat-flow analysis was performed using a commercial numerical-analysis application, and various turbulence models were considered. As a result, the temperature and velocity of the exhaust gas at the educator inlet and diffuser outlet and that of the metal surface of the diffuser were measured, and found to agree well with the measurement results of the model test.

A Study on Separation Control by Local Suction in Front of a Hemisphere in Laminar Flow (층류경계층 내 반구 전방의 국부적인 흡입에 의한 표면 박리 제어)

  • Kang, Yong-Duck;An, Nam-Hyun
    • Journal of the Korean Society of Marine Environment & Safety
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    • v.24 no.1
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    • pp.92-100
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    • 2018
  • Vortical systems are considered a main feature to sustain turbulence in a boundary layer through interaction. Such turbulent structures result in frictional drag and erosion or vibration in engineering applications. Research for controlling turbulent flow has been actively carried out, but in order to show the effect of vortices in a turbulent boundary layer, it is necessary to clarify the mechanism by which turbulent energy is transferred. For this purpose, it is convenient to demonstrate and capture phenomena in a laminar boundary layer. Therefore, in this study, the interactions of disturbed flow around a hemisphere on a flat plate in laminar flow were analyzed. In other words, a street of hairpin vortices was generated following a wake region formed after flow separation occurred over a hemisphere. Necklace vortices surrounding the hemisphere also appeared due to a strong adverse pressure gradient that brought high momentum fluid into the wake region thereby leading to an increase in the frequency of hairpin vortices. To mitigate the effect of these necklace vortices, local suction control was applied through a hole in front of the hemisphere. Flow visualization was recorded to qualitatively determine flow modifications, and hot-film measurements quantitatively supported conclusions on how much the power of the hairpin vortices was reduced by local wall suction.

The Effect of Diluent Gases on the Growth Behavior of CVD SiC (희석기체가 화학증착 탄화규소의 성장거동에 미치는 영향)

  • 최두진;김한수
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • v.34 no.2
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    • pp.131-138
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    • 1997
  • Silicon carbide films were chemically vapor deposited onto graphite substrates using MTS(Ch3SiCl3) as a source and Ar or H2 as a diluent gas. The experiments were performed at a fixed condition such as a de-position temperature of 130$0^{\circ}C$, a total pressure of 10 torr, and a flow rate of 100 sccm for each MTS and carrier gas. The purpose of this study is to consider the variation of the growth behavior with the addition of each diluent gas. It is shown that the deposition rate leads to maximum value at 200 sccm addition ir-respective of diluent gases and the deposition rate of Ar addition is faster than that of H2 one. It seems that these characteristics of deposition rate are due to varying interrelationship between boundary layer thick-ness and the concentration of a source with each diluent gas addition, when overall deposition rate is con-trolled by mass transport kinetics. The preferred orientation of (220) plane was maintained for the whole range of Ar addition. However, above 200 sccm addition, especially that of (111) plane was more increased in proportion to H2 addition. Surface morphologies of SiC films were the facet structures under Ar addition, but those were gradually changed from facet to smooth structures with H2 addition. Surface roughness be-came higher in Ar, but it became lower in H2 with increasing the amount of diluent gas.

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Robust Optimization of the Solenoid Assembly in Electromagnetic Limited Slip Differential by Considering the Uncertainties in Machining Variables (가공변수의 불확실성을 고려한 전자제어식 차동제한장치 솔레노이드 어셈블리의 강건 최적설계)

  • Oh, Sang-Kyun;Lee, Kwang-Ki;Suh, Chang-Hee;Jung, Yun-Chul;Kim, Young-Suk
    • Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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    • v.35 no.10
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    • pp.1307-1313
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    • 2011
  • The mechanical limited slip differential (LSD) in vehicles is being replaced by the electromagnetic LSD because of its fast response and better active control characteristics. The coil housing made of STS 304 is one of the most important parts in the solenoid assembly of the electromagnetic LSD. High geometrical accuracy is a prerequisite for the manufacture of such coil housings, but precision machining is difficult because of the use of STS 304 thin plate and the variance in machining variables. The aim of this study is to optimize the mean and variance of the shape accuracy in the coil housing by finding a robust solution for the machining process conditions. The mean and standard deviation of the jaw contact pressure, cutting speed, and feed rate are considered to be the major parameters for minimizing the geometrical mean and variance. The response surface model based on the second-order Taylor series is combined together to minimize the mean and variance of the shape accuracy of the coil housing.

Effects of Dispersivity of Clay on Thermal Stabilities of PP/Clay Nanocomposites (점토의 분산성이 PP/점토 나노복합재료의 열안정성에 미치는 영향)

  • 박수진;전병렬;송시용;최길영;이종문
    • Polymer(Korea)
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    • v.27 no.5
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    • pp.458-463
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    • 2003
  • The effect of ozone surface treatment of montmorillonite (MMT) was investigated in thermal stabilities of polypropylene (PP) nanocomposites. Sodium montmorillonite (Na$\^$+/-MMT) was organically modified with dodecylammonium chloride. The surface properties of MMT, including the specific surface area (S$\_$BET/), equilibrium spreading pressure ($\pi$$\_$e/), and London dispersive component (${\gamma}$s$\^$L/), were studied by the BET method with $N_2$ adsorption. Also, the thermal stabilities of the nanocomposites were investigated in DSC and TGA. As experimental results, $\pi$$\_$e/ and ${\gamma}$s$\^$L/ of the ozonized dodecylammonium chloride (DA-MK ( $O_3$)) were increased in about 1.7 and 3.5 mJ/ $m^2$, resulting from the increasing of the micropores. From the DSC results, it was found that the melting temperature and crystallization temperature of PP/DA-MK and PP/DA-MK ( $O_3$) were higher that those of pure PP. These results were explained that dodecylammonium chloride of nano-scale led to a nucleation effect for PP crystallization. Also, it was found that E$\_$t/ of the PP/DA-MK ( $O_3$) nanocomposies was increased within about 64 kJ/mol. These results were probably explained by the improvement of dispersivity of DA-MK ( $O_3$) in a PP matrix.

Electrical and Optical Characteristic Analysis of Silicon Nitride Film Deposited by $N_2$ Ambient (질소 가스 분위기에서 증착된 실리콘 질화막의 전기적, 광학적 특성 분석)

  • Gong, Dae-Yeong;Jung, Woo-Won;Yang, Doo-Hwan;Kim, Sun-Yong;Lee, Yong-Woo;Ko, Ji-Soo;Choi, Byoung-Deok;Yi, Jun-Sin
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2009.11a
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    • pp.384-384
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    • 2009
  • 최근 태양전지 개발이 본격화 되면서 태양전지 웨이퍼 표면에서의 재결합에 의한 손실을 줄이고 반사도를 감소시키기 위한 ARC 개발이 활발히 진행되고 있다. 이를 위해 널리 사용하는 ARC 물질로 수소화된 실리콘 질화막이 있다. 수소화된 실리콘 질화막은 PECVD 법으로 저온에서 실리콘 기판 위에 증착 가능한 장점이 있다. 또한 실리콘 질화막의 광학적, 전기적인 특성은 화학적 조성비에 의해 결정되며 증착온도 가변에 따라 균일도 및 굴절률 조절을 가능케 하여 태양전지의 효율을 향상 시킬 수 있다. 따라서 본 연구에서는 수소화된 실리콘 질화막을 태양전지에 적용하기 위해 질소 가스 분위기에서 PECVD를 이용하여 증착하고 그 특성을 분석하였다. 박막은 0.8 Torr의 압력에서 $150^{\circ}C{\sim}450^{\circ}C$의 기판 온도로 증착되었으며 이때의 RF power은 100W ~ 300W로 가변 하였다. 증착된 박막은 1.94 에서 2.23의 폭넓은 굴절률 값을 가지고 있었다. $SiH_4/NH_3$ 가스 비의 증가에 따라 박막 두께와 굴절률이 감소함을 확인 할 수 있었다. 이는 $NH_3$ 가스의 상대적인 증가에 따라 Si 생성을 선행하는 $SiH_4$ 가스의 부분압이 제한되기 때문이고, 이러한 결과로 박막내에 질소 원자가 증가함에 따라 N-H 결합이 증가하여 n-rich인 박막 상태가 되기 때문으로 분석된다. 증착된 실리콘 질화막의 소수반송자 수명 측정 결과 굴절률 2.23인 박막의 경우 약 87 us의 수명을 나타냈으며, 굴절률이 1.94로 줄어듦에 따라 소수반송자 수명 역시 79 us로 감소하였다. 수소화된 실리콘 질화막은 n-rich 보다 Si-rich 인 경우 effective 반송자 수명을 증가시켜 표면 재결합 속도를 줄이는데 유용함을 확인하였다. 또한 증착온도가 증가할수록, RF power가 증가 할수록 소수반송자 수명 역시 증가하였다. 반사도의 경우 $SiH_4$의 비율이 증가할수록 반사도가 감소함을 확인 하였으며, 증착온도 증가에 따라, RF power 증가에 따라 반사도가 감소하였다. 결과적으로 $450^{\circ}C$의 기판온도와 300W의 RF power에서 증착된 실리콘 질화막의 경우 가장 우수한 전기적, 광학적 특성을 보여주었다.

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Fundamentals of Ultrasonic Welding (초음파 용접의 기초)

  • ;Jeong, H. S.
    • Journal of Welding and Joining
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    • v.15 no.6
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    • pp.24-31
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    • 1997
  • 2매의 금속을 맞대어 그 한 쪽에 접촉면과 평행하게 고주파진동을 가하면 단 시간에 접합된다. 이공정을 초음파 용접이라고 하며 그 물리적인 본질은 아직 불분명 하지만, 첫째로는 강한 마찰에 의해 금속 자유면의 산화물층이 제거되기 때문이라는 점과 둘째로는 마찰에 의해 금속 표면이 강하게 가열되어 이에 따른 연화에 의해 접합 이 된다고 하는 점이다. 그러나 이와 같이 가열된다고 하더라도 가열은 표면부에만 국한되고 다른 부분은 가열되지 않는다. 따라서 초음파용접은 냉간접합이라고도 한다. 또 가압력과 진동에 의한 힘이 동시에 작용하기 때문에 용접할 면을 미리 청정하게 할 필요는 없고 용접전의 단계에서 자연적으로 청정화가 이루어진다고 하는 사실이 간접 적으로 증명되고 있다. 초음파 용접(Ultrasonic welding)의 특징을 요약하면 고상용접 의 일종으로서 용접중에 국부적으로 고주파 진동에너지와 압력을 가하여 용접하는 방법이다. 이 때 모재를 용융시키지 않고 건전한 야금학적 결합부가 얻어진다는 데에 큰 특징이 있다. 또한 초음파용접은 다른 용접법에 비해 경제성이 매우 높고, 초음파 용접에 필요한 출력이 전기아크 용접에 필요한 출력의 5 - 10%로 충분한 경우가 많다. 초음파 용접은 통상의 방법으로는 용접하기 어려운 동종 금속이나 이종 금속의 용접에 널리 사용된다. 이 용접법은 반도체, 미세회로, 전기 접점의 형성에 대한 생산기술 로서 사용되고 있는데 소형 모터, 알루미늄 박의 가공, 알루미늄 합금의 조립 등에 이용되고 있다. 한편 최근에는 자동차, 우주항공산업 분야의 구조제 용접용으로도 채용되고 있다.출함이 바람직하다.분비되는 배설-분비 항원의 자극과 깊은 관계가 있음을 알 수 있었다.넌트 명세서를 대한 XML DTD(Document Type Definition)를 정의하고, HTML 기반 검색 방법과 XML 기반 검색 방법에 대한 컴포넌트 검색 성능을 비교한다.따라 NO 생산 및 세포독성이 증가하였고. NO 생산을 저하시키는 약제들은 활성화된 복강 대식세포 및 RAW264.7 세포에 의한 질편모충에 대한 세포독성을 현저히 감소시키는 것으로 보아 NO는 질편모충에 대한 대식세포의 숙주 방어기전에서 중요한 역할을 감당할 것으로 생각된다.nction index) 와 최대개구시 동통의 정도는 시술전과 시술 4주후간에 유의한 차이가 관찰되었다.피부온도는 검사자간에는 특정부위에 따라 다소 차이가 있을 수 있으나 일반적으로 높은 재현성을 보여줌으로서 향후 교근 및 측두근의 임상연구 평가에 피부온도조사는 도움이 되리라 사료된다. lactobacilli의 양은 peroxidase system을 함유하거나(p < 0.01) 함유하지 않은(p < 0.05) 치약을 사용한 군 모두에서 양치전에 비해 유의성있게 감소하였다. 6. 양치후 30분에 채취한 구강건조증 환자의 자극성 전타액내 S. mutans 양은 peroxida system을 함유한 세치제를 사용한 군에서 대조군에 비해 유의성있게 낮았다(p < 0.05). 7. 양치후 30분에 채취한 구강건조증 환자의 자극성 전타액내 lactobacilli양은 peroxidase system을 함유한 세치제를 사용한 군에서 대조군에 비해 상대적으로 낮게 나타났으나(p = 0.067)

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Preparation of AI-21Ti-23Cr High Temperature Protective Coating for TiAo Intermatallic Compounds by RF Magnetron Sputtering (RF Magnetron Sputtering에 의한 금속간화합물 TiAI 모재위의 AI-21Ti-23Cr 고온내산화코팅)

  • Park, Sang-Uk;Park, Jeong-Yong;Lee, Ho-Nyeon;O, Myeong-Hun;Wi, Dang-Mun
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.6 no.7
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    • pp.742-751
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    • 1996
  • Ti-48Al(at.%) specimens were coated with Al-21Ti-23Cr(at.%) film by RF magnetron sputtering. Ti-48Al specimen coated at 200, 0.8Pa and 573K showed the best oxidation resistance property in the isothermal oxidation test. Al-21Ti-23Cr film was amophous after depostion, but crystallized and fromed a protective ${Al}_{2}{O}_{3}$ layer on the surface during oxidation. Ti-48Al specimens coated at 573K have been sassessed by isothermal oxidation test for 100 hours at 1073K, 1173K and 1273K. The mass gain curves showed that parabolic stage continued at al tested temperature range in isothermal oxidation test, and the excellent oxidation resistance is attriutable to the formation of a protective ${Al}_{2}{O}_{3}$ layer on the surface of Al-21Ti-23Cr film. After oxidation test at 1273K, the matrix of Al-21Ti-23Cr film had transformed into TiAlCr phase due to the depletion of Al during oxidation and the diffusion of Ti from the substrate, and the extent of mass gain of the specimen increased compared with that of specimens tested at lower temperature.

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Pore Structure Modification and Characterization of Porous Alumina Filter with Chemical Vapor Infiltration (CVI) SiC Whisker (화학증착 탄화규소 휘스커에 의한 다공성 알루미나 필터의 기공구조 개질 및 특성 평가)

  • 박원순;최두진;김해두
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • v.41 no.7
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    • pp.518-527
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    • 2004
  • In this study, SiC whiskers were grown in porous alumina substrate in order to enhance the filtering efficiency, performance, and durability by controlling pore morphology. This experiment was performed by Chemical Vapor Infiltration (CVI) in order to obtain the whiskers on the inside of pores as well as on the surface of porous the A1$_2$O$_3$ substrate. The deposition behavior was changed remarkably with the deposition position, temperature, and input gas ratio. First, the mean diameter of whisker was decreased as the position of observation moved into the inside of substrate due to the reactant gas depletion effect'. Second, the deposition temperature caused the changes of the deposition type such as debris, whiskers and films and the change in morphology affect the various properties. When SiC films were deposited. the gas permeability and the specific surface area decreased. However, the whisker showed the opposite result. The whiskers increase not only the specific surface area and minimizing pressure drop but also mechanical strength. Therefore it is expected that the porous alumina body which deposited the SiC whisker is the promising material for the filter trapping the particles.