한국신재생에너지학회:학술대회논문집
- 2009.11a
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- Pages.384-384
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- 2009
Electrical and Optical Characteristic Analysis of Silicon Nitride Film Deposited by $N_2$ Ambient
질소 가스 분위기에서 증착된 실리콘 질화막의 전기적, 광학적 특성 분석
- Gong, Dae-Yeong ;
- Jung, Woo-Won ;
- Yang, Doo-Hwan ;
- Kim, Sun-Yong ;
- Lee, Yong-Woo ;
- Ko, Ji-Soo ;
-
Choi, Byoung-Deok
;
-
Yi, Jun-Sin
- 공대영 (성균관대학교) ;
- 정우원 (성균관대학교) ;
- 양두환 (성균관대학교) ;
- 김선용 (성균관대학교) ;
- 이용우 (성균관대학교) ;
- 고지수 (성균관대학교) ;
-
최병덕
(성균관대학교) ;
-
이준신
(성균관대학교)
- Published : 2009.11.25
Abstract
최근 태양전지 개발이 본격화 되면서 태양전지 웨이퍼 표면에서의 재결합에 의한 손실을 줄이고 반사도를 감소시키기 위한 ARC 개발이 활발히 진행되고 있다. 이를 위해 널리 사용하는 ARC 물질로 수소화된 실리콘 질화막이 있다. 수소화된 실리콘 질화막은 PECVD 법으로 저온에서 실리콘 기판 위에 증착 가능한 장점이 있다. 또한 실리콘 질화막의 광학적, 전기적인 특성은 화학적 조성비에 의해 결정되며 증착온도 가변에 따라 균일도 및 굴절률 조절을 가능케 하여 태양전지의 효율을 향상 시킬 수 있다. 따라서 본 연구에서는 수소화된 실리콘 질화막을 태양전지에 적용하기 위해 질소 가스 분위기에서 PECVD를 이용하여 증착하고 그 특성을 분석하였다. 박막은 0.8 Torr의 압력에서