• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.181.1-181.1
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• 2016

플렉서블 디스플레이 및 태양전지가 지향하고 있는 저가, 고속의 대량 생산을 위해서는 필름을 기반으로 하는 연속 공정에 의한 대량의 ITO 박막의 증착이 필수적이다. 이로 인해 롤투롤(roll-to-roll) 스퍼터링법을 이용한 ITO 박막의 연속 증착 공정이 차세대 플렉서블 디스플레이 및 태양전지의 대량 생산을 위한 해결책으로 각광받고 있다. 그러나 대부분의 폴리머 필름의 경우 증착 시 발생되는 열 또는 플라즈마에 의해 방출되는 수분과 유기 솔벤트 같은 오염 물질들에 의한 ITO 박막의 특성 저하와, 낮은 열적 안정성을 가지는 기판 특성상 고온(>$200^{\circ}C$)에서 증착이나 후 열처리를 할 수가 없기 때문에, 낮은 저항과 높은 광투과도 특성을 가지는 ITO 필름을 제작하기 위한 공정 최적화가 필요하다. 따라서, 본 연구에서는 롤투롤 스터링법으로 PET 필름 위에 Sn함량이 각각 3, 5, 7.5 10% 도핑된 ITO 타겟을 사용하여 ITO 박막을 증착 하였고, 전기적 광학적 특성을 조사하여 롤투롤 스퍼터링법으로 우수한 전기 전도도와 광투과도 특성을 가지는 ITO/PET 필름의 증착 조건을 최적화 하였다. 또한, ITO 증착 시 필름에서 발생하는 수분에 의한 ITO 박막의 특성 저하 현상에 대하여 조사하였다.

• Polymer(Korea)
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• v.31 no.6
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• pp.469-473
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• 2007

In this study, oligo(3-methylthiothiophene) was synthesized from thiophene derivative according to the method of reductive coupling using palladium catalyst. For the preparation of monomer, 3-methylthiothiophene was first synthesized through the metal-halogen exchange reaction of 3-bromothiophene with n-butyllithiuim, and the corresponding 2,5-dibromo-3-methylthiothiophene was formed by bromination. Their synthesis and characterization were determined by $^1H-NMR$ and ATR analyses. Thermal stability of the oligothiophene was monitored by thermogravimetric analysis (TGA). Thermal evaporation of the oligo(3-methylthiothiophene) on the substrate was attempted for OTFT applications.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.12 no.8
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• pp.595-599
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• 2002

A homogeneous and stable, amorphous-type, anorthite (CaO $Al_2$$O_3$ $2SiO_2$)powder was synthesized by an organic-inorganic steric entrapment route. Polyvinyl alcohol ( PVA) was used as an organic carrier for the precursor ceramic gel. The PVA content, its degree of polymerization and type of silica sol had a significant influence on the calcination and crystallization behavior of the precursors. For densifiction and crystallization at low temperature, porous and soft, amorphous-type anorthite powder was planetary milled for 20h. The milled powder crystallized to stable anorthite phase and densified to a relative density of 94% below $1000^{\circ}C$. In the development of crystalline phases of the planetary milled powder, omisteinbergite phase was unusually observed at $900^{\circ}C$, and then anorthite was observed at $950^{\circ}C$. The sintered anorthite had a thermal expansion coefficient of $4.6$\times$10^{-6}$ /$^{\circ}C$ and a dielectric constant of 7.5 at 1 MHz. Finally, the anorthite synthesized by the new process is expected to be an useful material for low-firing ceramic substrate.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.22 no.8
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• pp.645-649
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• 2009

We investigated the effects of a high density $O_2$ plasma treatment on the structural and electrical properties of Ga-, B- codoped ZnO (GZOB) films. The GZOB films were deposited on polymer substrate without substrate heating by DC magnetron sputtering. Prior to the GZOB film growth, we treated a polymer substrate with highly dense inductively coupled oxygen plasma. The optical transmittance of the GZOB film, about 80 %, was maintained regardless of the plasma pre-treatment. The resistivity of the GZOB film on PC substrate decreased from 9.08 ${\times}$ $10^{-3}$ ${\Omega}-cm$ without an $O_2$ plasma pre-treatment to 2.12 ${\times}$ $10^{-3}$ ${\Omega}-cm$ with an $O_2$ plasma pre-treatment. And PES substrate decreased from 1.14 ${\times}$ $10^{-2}$ ${\Omega}-cm$ without an $O_2$ plasma pre-treatment to 6.13 ${\times}$ $10^{-3}$ ${\Omega}-cm$ with an $O_2$ plasma pre-treatment.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.1262-1263
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• 2008

Recently film-typed dye sensitized solar cell(DSC) attracts much attention with increasing applications for its flexibility and transparency. The ZnO:Al thin film, which serves mainly as transparent conducting electrode, Aluminium-doped zinc oxide(ZnO:Al) thin film has emerged as one of the most promising transparent conducting films since it is inexpensive, mechanically stable, and highly resistant to deoxidation. In this paper ZnO:Al thin film was deposited on the polyethylene terephthalate(PET) substrate by the capacitively coupled r. f. magnetron sputtering method. The effects of gas pressure and r. f. discharge power on the morphological, electrical and optical properties of ZnO:Al thin film were studied. Especially the variation in substrate thickness after sputtering and surface morphology of the substrate were investigated and clarified. The results showed that the film deposited on the PET substrate at r. f. discharge power of 180 W showed the minimum resistivity of about $1.5{\times}10^{-3}{\Omega}-cm$ and a transmittance of about 93%.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.1352-1353
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• 2008

In this study, aluminium - doped zinc oxide (ZnO:Al) transparent conducting film was deposited on PET(polyethylen terephthalate) substrate by r.f. magnetron sputtering method. PET substrate was surface-treated in an atmospheric pressure DBD(dielectric barrier discharge) plasma to increase deposition rate and to improve electrical propesties. Morphological changes by DBD plasma were obsered using contact angle measurement. The contact angle of water on PET was reduced from 62$^{\circ}$ to 42$^{\circ}$ by DBD plasma surface treatment. The plasma treatment also increased deposition rate and electrical propesties. The electrical resistivity as low as $4.97{\times}10^{-3}[{\Omega}-cm]$ and the deposition rate of 234[${\AA}$-m/min] were obtained in ZnO:Al film with surface treatment time of 5min, and 20min., respectively.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.1277-1278
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• 2008

Pentacene 박막 트랜지스터의 소스/드레인 전극을 폴리머인 Poly(3,4-ethylene dioxythiophene) poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS)를 사용하여 잉크젯 프린팅 방법으로 제작하였다. 펜타신 박막 트랜지스터는 열 증착법을 사용하여 폴리며 기판위에 100nm의 두께로 증착하였다. 게이트 절연막은 $SiO_2$ 위에 Polymethly Methacrylate (PMMA)를 증착시킨 double layer를 사용하였다. PMMA 위에 증착시킨 pentacene 결정립이 $SiO_2$ 위에 증착한 pentacene 결정립 보다 크게 성장하였고, double layer의 절연막을 씀으로 인해 게이트 누설 전류가 감소함을 보였다. Pentacene 증착 온도에 따른 결정립 크기를 비교하여 가장 적절한 온도를 찾았다. 프린팅 방법을 사용하여 만든 박막 트랜지스터는 전계효과 이동도가 ${\mu}_{FET}=0.023cm^2/Vs$ 이고, 문턱이전 기울기 S.S=0.49V/dec, 문턱전압 $V_{th}=-18V$, $I_{on}/I_{off}$ 전류비 >$10^3$의 전기적 특성을 보였다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2006.05a
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• pp.339-343
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• 2006

전기발광소자는 바이폴라소자로서 전자와 정공의 주입, 이동 및 재결합에 의하여 발광한다. 소자에 사용되는 발광층의 대표 물질인 $Alq_3$를 한층(single layer)만 사용하고 정공의 주입을 도와주기위하여 폴리테트라플로로에틸렌(테플론)층을 얇게 증착하여 두께 변화에 따른 소자의 전기적 발광 특성을 측정하였다. 테플론은 좋은 부도체 폴리머로서 정공 터널링 전류가 두께 2 nm에서 가장 크게 증가하였으며 효율도 최대에 이르렀다. 주사전자현미경을 이용하여 실리콘 기판에 증착시킨 테플론 박막의 조직을 조사한 결과 두꺼워 질수록 라멜라(섬유조직)가 발달함을 알 수 있었다. 전자 주입을 도와주는 터널링층으로서 알루미늄산화막을 $Alq_3$ 위에 3 ${\AA}$ 증착한 결과 전류와 효율이 더 증가하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.11a
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• pp.170-171
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• 2015

최근 고성능이며 유연하고 투명한 전자 기기의 제작에 대한 관심이 높아지고 있으며 이에 대한 연구가 많이 수행되고 있다. 유연 전자제품을 제작하기 위해서는 고성능의 전자소자를 스탬프를 이용해 모재에서 유연한 기판으로 옮겨 붙이는 전사공정이 필요하다. 성공적인 전사공정을 수행하기 위해 스탬프 표면의 점착력을 제어하는 것이 중요하며, 이를 위해 다양한 표면 패터닝 및 표면처리 방법이 연구되고 있다. 대기압 플라즈마 표면처리는 공정 과정이 단순하여 대면적 연속적 전사 장비에 적용하기에 적합한 표면처리 공정으로, 본 연구에서는 대기압 플라즈마 표면 처리된 스탬프의 점착특성을 조사하고, 표면 처리된 스탬프를 이용하여 전자소자의 전사여부를 확인하는 실험을 수행하였다. 플라즈마 처리되지 않은 스탬프 표면은 높은 접착력을 가지며, 이를 이용하여 전자소자를 모재에서 떼어낼 수 있었다. 반면에 스탬프에 대기압 플라즈마 표면처리를 하면 실리카 재질의 경화층이 형성되며 이 층에 의해 점착력이 감소하여 전자소자를 모재에서 떼어낼 수 없었다. 따라서 스탬프에 대기압 플라즈마 표면처리를 함으로써 스탬프와 전자소자 사이의 점착력을 변화시킬 수 있으며, 이를 이용하면 선택적 전사가 가능함을 확인하였다.

• Polymer(Korea)
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• v.31 no.5
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• pp.442-446
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• 2007

Alkali soluble and photo-curable polyesters were prepared from fluorene epoxy acrylate and various aromatic dianhydrides. To make a black matrix for LCD color-filter application, photo-resist solution was made by mixing synthesized polyester as binder, carbon black as pigment, initiator and multifunctional monomer in solvent. Black matrix pattern was formed on the glass substrate by lithography process. In this study, we synthesized various polyester-based binder polymers for LCD color-filter applications, and compared the analytical properties of those polymers and lithography patterns.