Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical Engineers (대한전기학회)
권호 표지

Pentacene Thin-Film Transistor with PEDOT:PSS S/D Electrode by Ink-jet Printing Method

잉크젯 프린팅 방법을 이용한 Pentacene 박막 트랜지스터의 제작 및 특성 분석

  • Kim, Jae-Kyoung (Dept. of Nano Science & Engineering, Myongji University) ;
  • Kim, Jung-Min (Dept. of Nano Science & Engineering, Myongji University) ;
  • Lee, Hyun Ho (Dept. of Chemical Engineering, Myongji University) ;
  • Yoon, Tae-Sik (Dept. of Nano Science & Engineering, Myongji University) ;
  • Kim, Yong-Sang (Dept. of Nano Science & Engineering, Myongji University)
  • Published : 2008.07.16
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Abstract

Pentacene 박막 트랜지스터의 소스/드레인 전극을 폴리머인 Poly(3,4-ethylene dioxythiophene) poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS)를 사용하여 잉크젯 프린팅 방법으로 제작하였다. 펜타신 박막 트랜지스터는 열 증착법을 사용하여 폴리며 기판위에 100nm의 두께로 증착하였다. 게이트 절연막은 $SiO_2$ 위에 Polymethly Methacrylate (PMMA)를 증착시킨 double layer를 사용하였다. PMMA 위에 증착시킨 pentacene 결정립이 $SiO_2$ 위에 증착한 pentacene 결정립 보다 크게 성장하였고, double layer의 절연막을 씀으로 인해 게이트 누설 전류가 감소함을 보였다. Pentacene 증착 온도에 따른 결정립 크기를 비교하여 가장 적절한 온도를 찾았다. 프린팅 방법을 사용하여 만든 박막 트랜지스터는 전계효과 이동도가 ${\mu}_{FET}=0.023cm^2/Vs$ 이고, 문턱이전 기울기 S.S=0.49V/dec, 문턱전압 $V_{th}=-18V$, $I_{on}/I_{off}$ 전류비 >$10^3$의 전기적 특성을 보였다.

Keywords