정전형 펄스파워시스템에서 핵심은 투입 스위치라고 해도 과언이 아니다. 이러한 투입 스위치 중 진공 아크를 이용하는 스위치로는 로렌츠력을 이용 아크를 회전시켜 전극의 손상을 억제한 횡자계형과 전극의 축방향으로 자계를 발생시켜 아크가 확산되도록 함으로써 z-pinch에 의한 전극 손상을 감소시키는 종자계형으로 대별 할 수 있다. 본 논문에서는 고전압/대전류용 횡자계형과 종자계형 진공스위치의 동작특성을 파악하기위해 아크전압-전류 특성에 대해서 기술하였다. 횡자계형 전극과 종자계형 전극을 동크롬(75:25 [wt%])으로 제작하여 진공 챔버 내에서 실험을 통해 아크 전압과 전류를 측정하였으며, 이를 통해 아크 저항과 손실 전력을 구하였다.
본 연구의 목적은 Pspice를 이용하여 SI Thyristor의 구조적인 특징과 스위칭 동작을 설명하면서도 비교적 간략화된 등가 모델을 개발하는 것에 있다. 이러한 목표로 등가모델은 SI Thyristor의 구조적 형태에 기반을 두어 BJT 소자를 이용한다. 또 게이트 구조와 스위칭 매커니즘을 고려한 MOSFET, Steady state Turn on 상태에서 dominant 모델인 PIN Diode로 구성되어 있다. 개발된 등가모델을 스너버회로와 함께 스위칭 과도응답을 시뮬레이션하였으며 그 결과는 실제 실험결과와 비교하여 검증하였다. 비교적 간단하게 고안된 회로를 통해 Turn On/Off 동작에서 스위칭 특성을 예측할 수 있으므로 펄스파워용 스위치로서 SI Thyristor의 시동특성을 해석하는 데 본 등가모델을 활용할 수 있을 것으로 전망한다.
The design and fabrication technologies of pulse power reversely switched-on dynistor have been developed 1200V/120kA pulse power reversely switched-on dynistor device have been designed by analytically and numerically using commercial modeling S/W The important characteristics of reversely switched-on dynistors are breakover voltage $V_{BO}$, commutative peak voltage before steady state $V_m$, on-state voltage in steady state $V_o$, turn-off time $t_q$, dV/dt capability.
본 연구의 목적은 Pspice를 이용하여 SI Thyristor의 구조적인 특징과 스위칭 동작을 설명하면서도 비교적 간략화된 등가 모델을 개발하는 것에 있다. 이러한 목표로 등가모델은 SI Thyristor의 구조적 형태에 기반을 두어 BJT 소자를 이용한다. 또 게이트 구조와 스위칭 매커니즘을 고려한 MOSFET, Steady state Turn on 상태에서 dominant 모델인 PIN Diode로 구성되어 있다. 개발된 등가모델을 스너버회로와 함께 스위칭 과도응답을 시뮬레이션하였으며 그 결과는 실제 실험결과와 비교하여 검증하였다. 비교적 간단하게 고안된 회로를 통해 Turn On/off 동작에서 스위칭 특성을 예측할 수 있으므로 펄스파워용 스위치로서 SI Thyristor의 시동특성을 해석하는 데 본 등가모델을 활용할 수 있을 것으로 전망한다.
The high frequency pulsed power system is widely available for use in high frequency generator applications. We designed and fabricated our own high frequency pulsed power system to obtain very sort pulse width and high peak value and investigated microbe removal characteristics using it. This paper introduces a simple high voltage high frequency pulsed power system for removing various bacteria caused by dirty water. This system include power supply circuit, switching MOSFET, and flyback converter. We can also control the switching using a PIC one chip microprocessor. As a result, we can obtain good removing characteristics of various bacteria by adjusting the charging voltage, the pulse repetition rate and the electrical field inducing time.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.17
no.10
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pp.9-12
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2016
The process parameters of DC pulsed sputtering to produce a multi-layer thin film with light reflectance at a specific wavelength region were studied. The optical simulation of multi-layer thin films of the silicon dioxide ($SiO_2$) films with a low refractive index and the titanium dioxide ($TiO_2$) films with a high refractive index was done. Under a DC pulsed sputtering power of 2kW and 200 sccm(standard cubic centimeter per minute) argon gas, the silicon dioxide films with a refractive index of 1.46 in the range of oxygen gas ratios of 12% and a titanium dioxide film with a refractive index of 2.27 in the range of oxygen gas ratios of 1% were produced. The multi-layer structure of high refractive index/low refractive index/high refractive index was designed and fabricated. The characteristics of the fabricated multi-layer thin film structure showed a reflectance of more than 45% in the range, 780 to 1200nm. This multi-layer structure is expected to be used to block the near infrared wavelength light.
Ha, Job;Jhang, Kyung-Young;Sasaki, Kimio;Tanaka, Hiroaki
Journal of the Korean Society for Nondestructive Testing
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v.26
no.2
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pp.77-83
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2006
Ultrasonic nonlinearity has been considered as a solution for the detection of microcracks or interfacial delamination in a layered structure. The distinguished phenomenon in nonlinear ultrasonics is the generation of higher-order harmonic waves during the propagation. Therefore, in order to quantify the nonlinearity, the conventional method measures a parameter defined as the amplitude ratio of a second-order harmonic component and a fundamental frequency component included in the propagated ultrasonic wave signal. However, its application In field inspection is not easy at the present stage because no standard methodology has yet been made to accurately estimate this parameter. Thus, the aim of this paper is to propose an advanced signal processing technique for the precise estimation of a nonlinear ultrasonic parameter, which is based on power spectral and bispectral analysis. The method of estimating power spectrum and bispectrum of the pulse-like ultrasonic wave signal used in the commercial SAM (scanning acoustic microscopy) equipment is especially considered in this study The usefulness of the proposed method Is confirmed by experiments for a Newton ring with a continuous air gap between two glasses and a real semiconductor sample with local delaminations. The results show that the nonlinear parameter obtained tv the proposed method had a good correlation with the delamination.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.70-70
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2009
Si 도핑한 $Ge_2Sb_2Te_5$ 박막은 비정질상에서의 열적 안정성증가, fcc에서 hex상으로의 상전이 억제, 활성화 에너지 증가 등의 특성을 보인다. 본 연구에서는 Si 도핑에 의한 $Ge_2Sb_2Te_5$ 박막의 전기적 그리고 구조적인 특성에 관한 실험을 진행하였다. 실험에 사용된 Si 도핑 $Ge_2Sb_2Te_5$ 박막은 Si 기판 위에 radio frequency power supply를 사용해 Si과 $Ge_2Sb_2Te_5$ 타겟을 co-sputtering하여 증착하였다. Si의 sputtering 파워를 달리하여 실리콘의 농도를 다르게 증착 하였고 X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)를 사용하여 박막의 Si 농도를 측정하였다. 증착된 박막은 질소 분위기 하에서 $5\;^{\circ}C$/min으로 열처리 하여 여러 온도와 Si 농도에서의 박막의 특성을 측정하였다. 열처리 전, 후의 박막은 X-ray diffraction (XRD) 분석을 통하여 각각의 온도에서의 구조적 특성을 분석하였다. 열처리 온도에 따르는 필름의 전기적 특성 파악을 위해서 four-point probe를 이용하여 박막의 면저항을 측정하였고 그 값은 3 회 이상 측정하여 평균값을 사용하였다. Nano-pulse scanner를 사용하여 다양한 파워범위와 펄스폭 범위에서의 박막의 상변화에 따른 반사도 차이를 측정하여 각 조성에서의 비정질-결정질상 변화속도를 분석하였다.
This paper presents a design of LLC resonant converter IC for LED backlight unit based on PFM/PWM dual-mode feedback. Dual output LLC resonant architecture with a single inductor is proposed, where the master output is controlled by the PFM and slave output is controlled by the PWM. To regulate the master output PFM is used as feedback to control the frequency of the power switch. On the other hand, PWM feedback is used to control the pulse width of the power switch and to regulate the slave output. This chip is fabricated in 0.35um 2P3M BC(Bipolar-CMOS-DMOS) Process and the die area is $2.3mm{\times}2.2mm$. Current consumptions is 26mA from 5V supply.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.39
no.8
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pp.1-11
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2002
A multi-section DFB-LD shows optical bistability subject to externally injected light signal, then it has potential applications such as wavelength conversion and optical logic gates. In this paper, we have studied the optical bistability in multi-section DFB-LD using split-step time-domain model. It is confirmed that the multi-section DFB-LD, which is excited inhomogeneously, shows bistability. The optical bistable characteristics are investigated when input light is injected into a absorptive region. Simulation results show that multi-section DFB-LD works as a flip-flop depending on the set-reset optical pulse which has a few ns in switching time and a few pj in switching energy, so that it can act as a optical logic device. Besides, if we change the carrier lifetime and the differential gain coefficient, it is expected that the response time of optical output signal can be reduced.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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