• 정보와 통신
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• 제9권8호
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• pp.37-45
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• 1992

• 정보와 통신
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• 제15권6호
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• pp.101-115
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• 1998

• 전자공학회지
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• 제37권8호
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• pp.31-40
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• 2010

1947년 트랜지스터의 발명을 시작으로 사이리스터, MOSFET 및 IGBT 등의 전력반도체 소자가 개발되면서 산업, 가전 및 통신 등의 다양한 분야에서 실리콘 기반의 전력반도체 소자가 활용되고 있다. 개발 당시에는 10A/수백V 정도의 전류통전능력 및 전압저지능력을 가지고 있었지만, 현재에는 8000A/12kV급의 대용량 소자까지 생산되고 있다. 이러한 전력반도제 소자는 다양한 응용분야에 서 높은 전압 저지능력, 큰 전류 통전 능력 및 빠른 스위칭 특성을 요구하고 있다. 특히 최근의 전력변환장치들은 고온동작특성 및 고효율화에 대한 요구가 더욱 강조되고 있다. 일반적인 실리콘 전력반도체소자는 물질적인 특성한계로 고온에 서의 동작 시 소자 특성이 떨어지는 특징을 보이고 있어 고온 환경에 적합한 전력반도체 소자의 필요성이 증가되어 실리콘에 비해 밴드�b이 넓은 SiC 및 GaN 등의 wide bandgap 반도체 물질의 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히 SiC는 단결정 성장을 통한 웨이퍼화가 용이하고 소자 제작공정이 기존 실리콘공정과 유사하여 많은 연구가 진행되었으며 일부 소자에서 상용화가 진행되었다. 본고에서는 현재 활발히 진행되고 있는 탄화규소 전력반도체소자의 기술동향에 대해 소개하고자 한다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제14권5호
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• pp.1071-1077
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• 2010

본 논문에서는 집중 소자형 6단자 위상 상관기 구조를 설계 제작하고, 이를 바탕으로 집중 소자형 6단자 위상 상관기를 이용한 L-대역 직접변환 수신 성능을 분석하였다. 제작된 L-대역 집중 소자형 6단자 위상 상관기 소자는 저항형 전력 분배기와 twist-wire 동축케이블을 사용하였으며, 낮은 대역에서 소형화 구조가 가능하고, 광역 특성을 갖는다. 집중 소자형 6단자 위상 상관기를 사용한 L-대역 직접변환 수신 성능은 집중 소자형 6단자 위상 상관기의 LO 단자와 RF 입력 단자에 각각 중심 주파수가 1.69 GHz이고 전력이 -20 dBm인 LO 신호와 QPSK 신호를 입력하여 측정하였다. 집중 소자형 6단자 위상 상관기를 사용한 직접변환 구조는 양호한 I/Q 디지털 신호를 복원할 수 있었다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제10권3호
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• pp.295-301
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• 1997

다양하고 방대한 양의 정보를 효과적으로 처리, 분배하는 멀티미디어 정보통신 시스템이 광신호에 의한 처리를 통해 구현되어갈 전망이다. 이를 위해 빛을 발생시키는 발광소자, 빛을 검출하는 소광소자, 광신호를 처리하는 광신호 처리소자 그리고 광신호를 전달해주는 광섬유 및 화상정보의 표시를 위한 표시소자 등이 중요한 요소기술이다. 이같은 소자의 제작에 있어 기존 물질로는 요구에 대한 대응이 어려워 보다 우수한 성능의 소재개발이 요구된다. 이에 대한 대체물질로 최근 유기물 또는 고분자가 각광을 받고 있으며, 이를 사용한 소자개발이 활발히 진행되고 있다. 이제까지 무기물로 달성하기 힘들었던 많은 기술들이 유기물로 쉽게 구현이 가능하게 되면 고성능의 소재 및 소자기술은 다가오느 정보화 시대를 더축 풍요롭게 하는데 크게 기여할 것이다.

• ETRI Journal
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• 제14권3호
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• pp.75-96
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• 1992

이중 매몰층, $1.5\mum$ 에피두께, 이중 well, LOCOS 소자격리, LDD MOS 소자와 이중 다결정실리콘 전극을 갖는 바이폴라 소자에 의하여 구성된 BiCMOS 소자를 제작하였다. 제작된 소자를 측정 및 분석한 결과, 31단 CML 바이폴라($A_E=2X8\mum^2$)링 발진기와 31단 CMOS( $A_E=1.25X5\mum^2$) 인버터 링 발진기로부터 94ps/5V 와 330ps/12V의 게이트 전달 지연시간/소자 강복전압을 갖는 바이폴라 및 MOS소자특성을 얻을 수 있었다. 또한 BiCMOS 소자의 경우, 31단 BiCMOS 링 발진기로부터 약 700ps의 게이트 전달 지연시간을 얻었으며, 출력부하의 증가에 따른 속도의 감속비가 완만한 전기적 특성을 얻을 수 있었다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제15권2호
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• pp.189-194
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• 2015

본 논문에서는 열전소자의 구조에 따른 COB LED의 방열성능을 비교 분석하였다. COB LED의 발열부분과 접합하는 열전소자는 구리박판 구조와 세라믹 구조의 열전소자를 사용하였다. COB LED와 열전소자의 접합부분은 접촉식 온도계를 통해 온도 분포를 측정하였고, 각각의 열전소자는 0.1A, 0.3A, 0.5A, 0.7A의 전류를 입력시켜서 온도 변화를 측정하였다. COB LED의 열 응집현상이 나타나는 접합부분의 온도는 0.7A를 인가하였을 때 구리박판 구조의 열전소자에서 $59^{\circ}C$로 측정되었고, 세라믹 구조의 열전소자는 $67^{\circ}C$로 나타났으며, 구리박판 열전소자가 세라믹 구조의 열전소자 보다 $9^{\circ}C$가 낮게 측정됨으로써 방열성능이 더 우수함을 보였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제16권10호
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• pp.2335-2340
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• 2012

비냉각 방식의 검출기는 검출기 내부에 냉각기 기능을 하는 열전소자(TEC : Thermal Electric Cooler)를 탑재하여 냉각기의 기능을 대신하고 있다. 이 열전소자의 기능은 검출기의 기준온도를 제어하여 온도변화에 따른 영상화질의 저하를 방지하는 역할을 수행한다. 최근에는 이 열전소자를 삭제하여 크기, 가격을 줄일 수 있는 노력이 많이 연구되고 있다. 본 논문에서는 비냉각 형태의 적외선 검출기는 내부에 열전소자가 없는 검출기를 보다 효과적으로 제어하여 영상의 화질저하를 최소화 하면서 크기를 최소화 하고 가격경쟁력을 높일 수 있는 효율적인 제어기법에 대해 실제 챔버를 활용한 시험결과를 제시하고자 한다.

• 한국통신학회논문지
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• 제24권8A호
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• pp.1245-1251
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• 1999

1.25Gb/s 처리용량의 디지털 신호들의 경로를 제어하는 스위치 소자가 COMPASS 툴로 설계되었고 0.8$\mu\textrm{m}$ CMOS 게이트 어레이로 LG 반도체에서 제작되었다. 이 소자는 초고속국가망의 전송노드 역할을 하는 SDH 전송 시스템에서 디지털 종속신호들의 자기복구동작을 가능하게 한다. 본 논문에서 제안한 경로 제어 스위치 소자는 SDH 선형 전송망과 단방향 링과 같은 환형 전송망에도 적용 가능한 구조로 설계되었다. 경로 제어 스위치 소자의 자기복구동작은 스위치내의 데이터 레지스터에 저장된 설정 데이터들을 변경시킴으로 이루어진다. SDH 전송시스템에의 적용시험 결과, 이 소자는 임의의 광선로 장애 시 즉시 복구가 가능함을 보여 주었으며 BER 10-11~10-12 정도로 양호하게 동작됨이 검증되었다. 2개의 동일한 혹은 그 이상의 스위치를 병렬구조로 구성하면 2.5Gb/s 혹은 그 이상의 처리용량도 얻을 수 있다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제18권12호
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• pp.3079-3084
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• 2014

펄스 방사선에 의해 전자소자가 받는 영향으로는 Upset, Latchup, Burnout 등이 있다. 이 가운데 Latchup은 대상 소자에 회복 불가능한 영구손상(Permanent Damage)을 가져오게 되며 Burnout으로도 이어져 장비전체에 치명적 기능마비를 유발하기도 한다. 본 연구에서는 전자소자의 내부 공정설계 및 구조정보 활용이 불가능한 상황에서 실험을 통해서 펄스 방사선에 의한 Latchup 발생을 분석하고자 시도하였다. 소자를 전자빔변환 고준위 펄스 감마선 조사한 직후 수행한 전원제공 회로의 차단, 적외선 카메라의 열원측정, 그리고 손상발생 소자의 내부 회로분석의 세 단계별 확인과정은 펄스 방사선에 의해 유발된 Latchup임을 검증하는 효율적 방안으로 여겨진다.