• 전자진흥
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• 제3권7호
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• pp.60-63
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• 1983

• 한국정보통신학회논문지
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• 제9권2호
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• pp.316-321
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• 2005

새로운 전류원 모델과 이 전류원 모델에 대응하는 파라메터의 직접추출 방법을 제안하였다. 전류원 모델파라메터를 위한 정확하고 해석적인 계산방법을 유도하였다. 이러한 해석적 모델링 방법을 기반으로 스케일 가능한 H8T 모델을 만드는 방법에 적용되었다. 단조함수적 스케일링이 가능하도록 하도록 하기 위해, 모델링 과정에서, 몇몇 파라메터들의 증복성(redunduncy)을 제거하는 방법을 개발하였다. 이러한 방법에 기반을 둔 모델을 실제 소자에 적용 했을때, 소자의 온도, 바이어스 및 크기변화를 잘 예측할 수 있었다.

• 전자통신동향분석
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• 제27권4호
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• pp.96-106
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• 2012

차세대 에너지 절감 반도체로 각광을 받고 있는 GaN(Gallium Nitride) 전자소자의 연구개발 동향, 특히 전력증폭기용 GaN 기술동향에 관하여 기술하였다. GaN 전자소자는 와이드 밴드갭($E_g=3.4eV$)과 고온($700^{\circ}C$) 안정성 등 재료적인 특징으로 인하여 고출력 RF(Radio Frequency) 전력증폭기와 고전력 스위칭 소자로서 큰 장점을 갖는다. 본고에서는 차세대 GaN 전력소자의 주요 특성을 소개하고 미국, 유럽, 일본을 중심으로 한 대형 국책 연구 프로젝트 분석을 통한 GaN 전력소자 연구개발 방향 및 GaN 전력소자 시장과 주요 특허 현황을 살펴보았다. 또한 국내의 주요 연구개발 현황과 현재 수행 중이거나 완료된 연구개발 과제를 간략하게 언급하였다. 이러한 연구개발 현황분석을 통하여 GaN 기술의 중요성과 함께 국산화의 시급성을 강조하고자 한다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2007년도 추계종합학술대회
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• pp.751-753
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• 2007

최근에 유기물 전계효과 트랜지스터의 연구는 전자 소자 분야에서 널리 알려져 있다. 특히 본 연구에서는 CuPc 물질을 활성층으로 사용하여 Organic FET 소자를 제작하였다. Source와 Drain 전극을 Au와 Al을 사용하여 FET 소자의 전기적 특성을 비교하였다. CuPc FET 소자에서 CuPc 활성층의 두께는 40nm로 고정하였고, Au와 Al 전극의 두께는 200nm로 하여 소자를 제작하였다. 또한 C-V 특성을 측정하여 CuPc 유기물 층과 $SiO_2$ 절연층 계면에서의 특성 변화를 관측하였다. Au를 전극으로 사용한 FET 소자에서는 전형적인 FET 특성 곡선을 관측할 수 있었으나, Al을 전극을 사용한 FET 소자에서는 누설 전류가 흐르고 있음을 확인 할 수 있었다.

• 한국통신학회논문지
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• 제14권3호
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• pp.189-196
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• 1989

본 논문에서는 BICMOS 게이트 어레이 시스템 구성시 내부의 논리회로 부분은 CMOS 소자로 입출력부는 바이폴라 소자를 이용할 수 있는 공정과 소자 개발을 하고자 하였다. BICMOS게이트 어레이 공정은 폴리게이트 p-well CMOS 공정을 기본으로 하였고, 소자설계의 기본개념은 공정흐름을 복잡하지 않게 하면서 바이폴라, CMOS 소자 각각의 특성을 좋게 하는데 두었다. 시험결과로서, npn1 트랜지스터의 hFE 특성은 120(Ic=1mA) 정도이고, CMOS 소자에서는 n-채널과 p-채널이 각각 1.25um, 1.35um 까지는 short channel effect 현상이 나타나지 않았고, 41stage ring oscillator의 게이트당 delay 시간은 0.8ns이었다.

• 한국위성정보통신학회논문지
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• 제9권4호
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• pp.63-68
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• 2014

PPS 구조를 갖는 N형 실리콘 제어 정류기 소자에서 부분웰 구조가 정전기 보호 성능에 미치는 영향을 고찰하였다. 종래의 NSCR 표준소자는 온-상태 저항, 스냅백 홀딩 전압 및 열적 브레이크다운 전압이 너무 낮아 정전기 보호소자의 필요조건을 만족시키지 못해 적용이 어려웠으나, 본 연구에서 제안하는 부분웰 구조를 갖도록 변형 설계된 NSCR-PPS 소자는 안정한 정전기보호 성능을 나타내어 고전압 동작용 마이크로 칩의 정전기보호 소자로 적용 가능함을 확인하였다.

• 전자통신동향분석
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• 제36권3호
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• pp.12-22
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• 2021

Since the technical realization of self-aligned planar complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistors in 1960s, semiconductor manufacturing has aggressively pursued scaling that fruitfully resulted in tremendous advancement in device performances and realization of features sizes smaller than 10 nm. Due to many intrinsic material and technical obstacles, continuing the scaling progress of semiconductor devices has become increasingly arduous. As an effort to circumvent the areal limit, stacking devices in a three-dimensional fashion has been suggested. This approach is commonly called monolithic three-dimensional (M3D) integration. In this work, we examined technical issues that need to be addressed and overcome to fully realize energy efficiency, short latency and cost competency. Full-fledged M3D technologies are expected to contribute to various new fields of artificial intelligence, autonomous gadgets and unknowns, which are to be discovered.

• 한국통신학회논문지
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• 제11권3호
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• pp.153-163
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• 1986

III-V족 복합물 반도체인 GaAs를 이용한 초고속소자는 DBS(Direct Broadcast Satellite), 광통신, microwave 및 digital 집적회로에 널리 사용되낟. 이와 같은 GaAS를 substrate재료로 D/E MESFET'S을 이용한 4Kx4bit SRAM, HEMT'S에 의한 4K bit SRAM과 X-band용 수신기전단부의 MMIC화가 보고되였고, 3차원적인 광집적회로의 연구도 가까운 장래에 완성될 것이다. 본 논문에서는 현재까지 널리 사용되어온 GaAs반도체 재료, 제조공정기술, 소자응용과 집적회로 설계면을 고찰 검토한다. 마지막으로 초고속소자의 전망을 논의한다.

• 한국통신학회:학술대회논문집
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• 한국통신학회 1995년도 추계종합학술발표회 논문집
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• pp.1050-1053
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• 1995

• 전기의세계
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• 제53권8호
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• pp.24-30
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• 2004

현대 사회는 지식ㆍ정보화를 추구하며 변화하고 있다. 지식ㆍ정보화사회는 개인, 기업 및 사회 모든 주체에 대하여 영상, 음성, 데이터 등의 다양한 정보의 교환을 극대화할 수 있는 인프라를 제공하게 될 것이며 이는 인간생활의 새로운 혁신을 예고하고 있다. 한편 이러한 지식 정보화는 고도의 정보 저장 및 통신기술이 필수적으로 요구되며 현재보다도 더욱 고속, 대용량의 정보처리가 가능한 소자로의 발전을 요구하고 있다. 그럼에도 불구하고 현재의 반도체 기술은 90nm 이하의 나노기술에 이미 진입하여 물리적인 한계(현재 70nm로 추정)에 근접하고 있다. 이러한 상황에서 소자기술의 고도화를 위해서 기존 소자의 지속적인 축소화 이외의 대안으로 Bottom-Up 나노소자 기술이 90년대 이후 새로운 패러다임으로써 활발히 연구되고 있다. (중략)