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Effects on the ESD Protection Performance of PPS(PMOS Pass Structure) Embedded N-type Silicon Controlled Rectifier Device with different Partial P-Well Structure  

Yang, Jun-Won (세한대학교 컴퓨터교육과)
Seo, Yong-Jin (세한대학교 나노정보소재연구소)
Publication Information
Journal of Satellite, Information and Communications / v.9, no.4, 2014 , pp. 63-68 More about this Journal
Abstract
Electrostatic Discharge(ESD) protection performance of PPS(PMOS pass structure) embedded N-type silicon controlled rectifier(NSCR_PPS) device with different partial p-well(PPW) structure was discussed for high voltage I/O applications. A conventional NSCR_PPS standard device shows typical SCR-like characteristics with low on-resistance, low snapback holding voltage and low thermal breakdown voltage, which may cause latch-up problem during normal operation. However, our proposed NSCR_PPS devices with modified PPW demonstrate the stable ESD protection performance with high latch-up immunity.
Keywords
ESD(Electrostatic Discharge); NSCR(N-type Silicon Controlled Rectifier); PPS (P-type MOSFET Pass Structure); PPW(Partial P-type Well); CPS(Counter Pocket Source);
Citations & Related Records
Times Cited By KSCI : 6  (Citation Analysis)
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