• 한국재료학회지
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• 제3권3호
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• pp.300-309
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• 1993

본 연구에서는 다공성 니켈재료의 원료분말로 활용될 수 있는 hollw 니켈금속분말 계조를 위한 니켈-흑연복합분말의 흑연코어 기화과정에 관하여 실험을 행하였다. 수증개-수소 혼합가스에 의한 복합분말중 흑연코어의 기화온도는 $800^{\circ}C$~$900^{\circ}C$였으며, 약 1시간의 기화반응에 의해 내부가 텅 빈 hollw니켈금속분말을 얻을 수 있었다. 흑연코어의 평균입도가 21$\mu\textrm{m}$인 82.2tw,% 니켈-17.87tw.5 흑연 복합분말로부터 제조된 hollw니켈금속분말을 100Kg/c$\textrm m^2$의 압력으로 압축, 성형한 성형체의 겉보기 기공도는 45%이었으며, 이성형체를 진공로에서 $1150^{\circ}C$ 의 온도로 1시간 소결하여 30%의 기공도와 소재내에 균질한 기공분포를 갖즌 소결체를 얻음으로써 다공성재료 제조시 hollow분말을 원료로 사용하여 재료 내의 기공에 관한 제반사항을 쉽게 조절할 수 있다는 가능성을 확인하였다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2003년도 춘계학술발표회 초록집
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• pp.41-41
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• 2003

텅스텐(W)은 높은 thermal stability 와 process compatibility 및 우수한 corrosion r resistance 둥으로 integrated circuit (IC)의 gate 및 interconnection 둥으로의 활용이 대두되고 있으며, 차세대 thin film transistor liquid crystal display (TFT-LCD)의 gate 및 interconnection m materials 둥으로 사용되고 았다. 그러나, 이러한 장점을 가지고 있는 팅스텐 박막이 실제 공정상에 적용되가 위해서는 건식 식각이 주로 사용되는데, 이는 wet chemical 을 이용한 습식 식각을 사용할 경우 낮은 etch rate, line width 의 감소 및 postetch residue 잔류 동의 문제가 발생하기 때문이다. 또한 W interconnection etching 을 하기 위해서는 높은 텅스텐 박막의 etch rate 과 하부 layer ( (amorphous silicon 또는 poly-SD와의 높은 etch selectivity 가 필수적 이 라 할 수 있다. 그러 나, 지금까지 연구되어온 결과에 따르면 텅스탠과 하부 layer 와의 etch selectivity 는 2 이하로 매우 낮게 관찰되고 았으며, 텅스텐의 etch rate 또한 150nm/min 이하로 낮은 값을 나타내고 있다. 따라서 본 연구에서는 halogen-based inductively coupled plasma 를 이용하여 텅스텐 박막 식각시 여러 가지 첨가 가스에 따른 높은 텅스탠 박막의 etch rate 과 하부 layer 와의 높은 etch s selectivity 를 얻고자 하였으며, 그에 따른 식각 메커니즘에 대하여 알아보고자 하였다. $CF_4/Cl_2$ gas chemistry 에 첨 가 가스로 $N_2$와 Ar을 첨 가할 경 우 텅 스텐 박막과 하부 layer 간의 etch selectivity 증가는 관찰되지 않았으며, 반면에 첨가 가스로 $O_2$를 사용할 경우, $O_2$의 첨가량이 증가함에 따라 etch s selectivity 는 계속적으로 증가렴을 관찰할 수 있었다. 이는 $O_2$ 첨가에 따라 형성되는 WOF4 에 의한 텅스텐의 etch rates 의 감소에 비하여, $Si0_2$ 등의 형성에 의한 poly-Si etch rates 이 더욱 크게 감소하였기 때문으로 사료된다. W 과 poly-Si 의 식각 특성을 이해하기 위하여 X -ray photoelectron spectroscopy (XPS)를 사용하였으며, 식각 전후의 etch depth 를 측정하기 위하여 stylus p pmfilometeT 를 이용하였다.

• 자원리싸이클링
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• 제19권4호
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• pp.41-50
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• 2010

초경공구의 제조공정에서 발생하는 WC-Co 초경합금 슬러지로부터 텅스텐의 순환활용을 위한 기초연구가 수행되었다. 왕수를 사용하여 슬러지로부터 코발트를 침출함과 동시에 탄화텅스텐을 텅스텐산으로 변환시켜 회수하였다. 왕수농도, 반응온도와 시간, 광액농도 등이 코발트의 침출과 텅스텐산의 생성에 미치는 영향을 조사하였으며 최적조건을 도출하였다. 왕수농도 100 vol.%, 반응온도 $100^{\circ}C$, 반응시간 60분에서슬러지의 광액농도가 400 g/L에 도달할 때 까지 슬러지로부터 코발트의 완전한 추출이 이루어졌으나, 슬러지에 존재하는 모든 탄화텅스텐이 텅스텐산으로 완전히 전환되는 것은 광액농도가 150 g/L 이하일 때 이었다. 생성된 텅스텐산을 암모니아 용액에 용해함으로서 금속 불순물들을 불용성 잔사로 제거하는 것이 가능하였다. 증발결정 공정을 통하여 정제된 암모늄 텅스테이트 용액으로부터 99.85%의 순도를 가지는 암모늄 파라텅스테이트($(NH_4)_{10}{\cdot}H_2W_{12}O_{42}{\cdot}4H_2O$)를 얻을 수 있었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제36권2호
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• pp.136-144
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• 1999

텅스템브론즈형 고주파 유전체의 $BaORe_2O_3TiO_2$(BLT)와 $BaO(Nd({0.77}Y_{0.23})_2O_34TiO_2(B(NY)T)$의 결정구조를 Rietveld 정밀화법으로 분석하였다. 양이온은 X-선 데이터로부터, 산소이온은 중성자 데이터로부터 정밀화한 'combined법'에 의해 가장 신뢰성이 높은 결정구조분석 결과를 얻었다. Mateeva 등이 처음 제시한 결정구조의 결정학적 모순점을 해결하였다. BaORe2O34TiO2(Re=La, Nd, Y) 유전체는 $3\times2$개의 페롭스카이트 블록과 이 블록사이에 형성된 4개의 pentagon-channel로 이뤄진다. Ti-O6팔면체는 tilted 및 변형된 구조를 갖고 있고, 이에 의해 같은 z-층에 있는 Ba 및 Re 이온의 변위되어 초격자(c$\approx$ 7.6$\AA$)를 형성된다. Re 이온반경이 작은 B(NY)T의 Ti-O6 팔면체가 tilting 및 변형이 큰 것으로 나타났다. 유전상수 $\varepsilon_{\gamma}$과 온도계수 $au_\varepsilon$은 BLT의 경우 각각 $109.5, -180 ppm/^{\circ}C$였고, B(NY)T 경우 $76, +40ppm/^{\circ}C$이었다. Re 이온 크기가 작은 시료의 $\tau$$\varepsilon$이 +값을 나타내었다. 복합 페롭스카이트에서 관찰되는 $\tau_\varepsilon$과 팔면체 tilting과의 관계를 본 텅스텐 브론즈 구조재료에서 고찰하였다.

• Composites Research
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• 제29권4호
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• pp.216-222
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• 2016

폴리디싸이클로팬타디엔 (p-DCPD) 수지를 경화하기 위해 개환반응이 사용된다. 이 반응은 텅스텐계 촉매를 이용한 반응이기 때문에 질소 조건에서 반응이 진행되어야 한다. 왜냐하면, 텅스텐계 수지는 촉매독 현상이 발생될 수 있기 때문에 대기조건에서는 사용이 어려운 것으로 알려져 있다. 이러한 문제를 개선하기 위해 본 연구에서는 대기 조건에서 텅스턴 (W)을 촉매로한 p-DCPD 대해 프레스 성형법을 이용하여 수지를 경화시켰다. 프레스 성형을 통해 p-DCPD (W) 수지를 경화시킬 경우 기계적 강도가 향상되는 결과를 얻었으며, 이는 DCPD 성형 단계에서 발생되는 기체를 압으로 눌러 미세 기공의 발생을 줄였기 때문이다. 촉매 독 현상이 발생되는 것은 반응시간이 길 때에 발생되지만, 짧은 성형을 시도하는 프레스 성형에서는 촉매 자체로 인한 물성 저하가 발생되지 않았다. 궁극적으로 p-DCPD 성형을 위해 대기 조건에서 성형이 가능하였으며, 경화 시간, 압력 변수를 조절할 경우 기계적 물성이 향상을 확인하였다.

• Applied Microscopy
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• 제40권3호
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• pp.163-168
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• 2010

건강모발과 일반스트레이트 펌 모발의 열분석(thermal analysis)과 가열온도에 따른 모발의 연소과정을 열분석기(thermal analyser)와 주사전자현미경(scanning electron microscopy)을 사용하여 관찰하였다. 건강모발과 스트레이트 펌 모발의 열분석 결과 무게의 변화는 $100^{\circ}C$부터 일어났다. 가열온도가 올라갈수록 $200^{\circ}C$까지는 건강모발보다 스트레이트 펌 모발의 무게 감량비가 약 2.6% 높았으나 $300^{\circ}C$의 가열온도에서 건강모발과 스트레이트 펌 모발의 감량비는 각각 64.9%, 64.4%로 나타났다. 이후 $400^{\circ}C$의 가열온도에서 건강모발과 스트레이트 펌 모발의 감량비는 32.3%와 33.4%로서 건강모발의 감량비가 높게 나타나기 시작하였다. $500^{\circ}C$에서는 각각 25.4%와 28.3%로서 최종적으로 탄화된 물질의 무게는 건강모발보다 스트레이트 펌 모발이 약 2.9% 높은 것으로 나타났다. 가열온도에 따른 모발의 형태학적 변화를 관찰한 결과 $300^{\circ}C$ 까지 연소된 모발은 인접된 모발들이 서로 융합되었다. 모발의 용해과정은 수질(medulla)과 피질(cortex)이 용해되면서 마치 대나무 통과 같이 속이 텅 빈 상태로 관찰되었다. $500^{\circ}C$로 가열된 모발조직은 형태를 알아볼 수 없을 정도로 탄화되어 덩어리를 형성하고 있었고 덩어리 표면에는 많은 기포들이 형성되어 있었다.

• 분석과학
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• 제15권6호
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• pp.514-520
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• 2002

효율적인 시료의 분석을 위하여 개선된 전열증기화 속빈음극관 글로우 방전 우너자방출분광 장치를 제작하여 그에 대한 기초 연구를 수행하였다. 본 시스템은 개선된 속빈음극관 글로우 방잔에 개선된 전열증기화법을 이용한 샘플주입방법을 응용하였으며, ${\mu}{\ell}$단위의 적은 양으로도 분석가능하도록 순수한 텅스템 재질로 된 나선형 코일을 제작하여 증기화 효율을 최대한 높일수 있도록 하여 글로우 방전으로 최대한 많은 양이 주입될 수 있도록 개선하였다. 최적화된 분석조건을 위한 방전조건으로 시료운반기체 사용량과 방전 전력을 측정하였으며, 그 전에 글로우 방전셀의 냉각장치 및 내부의 구조적인 문제 여부에 따른 방출세기에 미치는 영향과 측정 정밀도를 관찰하였다. 방출되어 발생된 빛은 광전송용 광파이버에 의하여 효율적으로 검출기에 운반되도록 구성 제작하였으며, 마지막으로 본 연구결과에 의한 직선성을 관찰하였다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2003년도 춘계학술발표회 초록집
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• pp.55-55
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• 2003

최근 높은 해상도의 평판 디스플레이 장치 특히 차세대 TFT-LCD를 개발하기 위해서는 건식식각공정의 개발이 필수 불가결하며 이는 플라즈마 공정장치의 대면적화가 가능해야 한다. 따라서 산업계는 이러한 제조 조건에 알맞는 대면적 플라즈마 반응기 개발을 추구하고 있다. 이를 위해서는 건식식각공정의 개발이 필수 불가결하며 이를 위해선 플라즈마 공정장 치의 대면적화가 가능해야 한다. 이러한 대면적 공정을 위해서는 낮은 공정압력, 고밀도, 높은 플라즈마 균일도가 요구된다. 또한 이러한 대면적 고밀도 플라즈마에의 적용을 위하여 새로운 유도결합형 플라즈마 소오스의 개발이 진행되고 있으며, 안정적인 300mm웨이퍼 공정을 위하여 여러 형태의 안테나가 연구되어지고 있다. 그러나 차세대 TFT-LCD에 적용 가 능하게끔 기존의 ICP 소오스를 직접적으로 대면적화 하는데 있어서는 안테나의 인덕턴스의 값이 키지며, 유전물질의 두께 증가 및 그에 따른 재료비의 상슴에 의해 그 한계점을 나타 내었다. 본 연구에서는 차세대 TFT-LCD 및 POP 대면적 공정에 적용 가능한 고밀도 플라즈마를 발생시키기 위해서 내장형 유도결합형 선형 안테나를 사용하였다. 내장형 유도결합형 선형 안테나가 가지고 있는 고유의 정전기적 결합효과를 최소화시키기 위해 직사각형모양의 플라즈마 챔버(830mm*1,020mm)에서 영구자석을 사용하였다. 영구자석을 사용하여 외부자 장을 인가하였을 때가, 그럴지 않은 때보다 RF 안테나에 걸리는 코일의 전압을 낮춰주었으며, 영구자석의 배열에 따라 코일의 인덕턴스의 값이 크게 변함을 알 수 있었다. 그리고, 최적화된 자장의 배열은 플라즈마의 이온밀도를 증가시켰으며, 플라즈마 균일도 또한 10% 이 내로 유지됨을 알 수 있었다. 따른 식각 메커니즘에 대하여 알아보고자 하였다. $CF_4/Cl_2$ gas chemistry 에 첨 가 가스로 $N_2$와 Ar을 첨 가할 경 우 텅 스텐 박막과 하부 layer 간의 etch selectivity 증가는 관찰되지 않았으며, 반면에 첨가 가스로 $O_2$를 사용할 경우, $O_2$의 첨가량이 증가함에 따라 etch s selectivity 는 계속적으로 증가렴을 관찰할 수 있었다. 이는 $O_2$ 첨가에 따라 형성되는 WOF4 에 의한 텅스텐의 etch rates 의 감소에 비하여, $Si0_2$ 등의 형성에 의한 poly-Si etch rates 이 더욱 크게 감소하였기 때문으로 사료된다. W 과 poly-Si 의 식각 특성을 이해하기 위하여 X -ray photoelectron spectroscopy (XPS)를 사용하였으며, 식각 전후의 etch depth 를 측정하기 위하여 stylus p pmfilometeT 를 이용하였다.X> 피막이 열처리 전후에 보아는 기계적 특성의 변화 양상은 열역학적으로 안정한 Wurzite-AlN의 석출에 따른 것으로 AlN 석출상의 크기에 의존하며, 또한 이러한 영향은 $(Ti_{1-x}AI_{x})N$ 피막에 존재하는 AI의 함량이 높고, 초기에 증착된 막의 업자 크기가 작을 수록 클 것으로 여겨진다. 그리고 환경의 의미의 차이에 따라 경관의 미학적 평가가 달라진 것으로 나타났다.corner$적 의도에 의한 경관구성의 일면을 확인할수 있지만 엄밀히 생각하여 보면 이러한 예의 경우도 최락의 총체적인 외형은 마찬가지로

• 철학연구
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• 제117권
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• pp.85-111
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• 2011

이 글은 먼저 로스코의 회화에 대한 지젝의 해석을 비판적으로 이해하는데 목표를 두고 있다. 지젝은 로스코의 그림들을 '현실(reality)'과 '실재(the real)' 사이에서 거리를 유지하려는 화가 내면의 투쟁의 표현으로 파악한다. 그런데 로스코의 마지막 회화는 이 균형이 무너져 실재가 현실을 삼켜버려 그가 자폐적 공간에 점점 빠져드는 상태를 드러내고 있다. 이러한 지젝의 해석은 앞의 두 주요 개념들에 대한 이해에서 시작되어야 한다. 그런데 지젝은 라깡에 의존하여 이 개념들 및 그림과 실재의 관계를 다루기 때문에, 우선 라깡의 그림 이론, 그리고 '대상 a'와 '실재'의 연관에 대해 먼저 검토할 필요가 있다. 라깡은 주체 중심의 시각이론을 비판하고 주체가 오히려 외부의 응시에 의해 구성되는 그림의 일부가 되는 시각이론을 펼친다. 그런데 그 그림에는 상징적 질서로써는 접근할 수 없는 부재가 존재하고 그를 메우는 얼룩, 왜상 등이 존재한다. 라깡은 이것을 응시 너머에 있는 대상 a와 연결지운다. 그리고 대상 a는 다시 실재와 연관된다. 곧 대상 a로서 실재는 상징화에도 불구하고 남게 되는 실재의 잔여, 곧 상징적 질서 속의 공백, 결여인 동시에 그 부재를 덮어씌워 가리는 것이다. 우리는 외상, 얼룩, 왜상 등을 통해 실재의 구체적 속성을 가정할 수 있으니 원초적 향락과 죽음충동이 그것이다. 다음으로 라깡적 실재의 난입으로 상징적 현실이 허물어지고 자아가 속수무책으로 무너지면 주체에게는 현실 내의 어떤 내용으로써도 대응할 수 없는 무의미나 허무가 밀어닥친다는 지젝의 지적은 적절하다. 그래서 그에게 주체의 진정한 정체성은 '텅빔'이다. 그러나 이어 윌버가 제시하는 의식의 수준들에 대한 구분을 참조함으로써 지젝적 공허가 그 수준들 내에서 어떤 위치에 있는지를 검토한 다음, 공허 혹은 텅빔의 체험에도 자아가 어느 수준에 고착해 있느냐에 따라 차이가 있음을 보여주었다. 그리고 끝으로 로스코의 회화이미지는 실존적 자아의 한계에, 즉 자아와 자아초월 사이의 경계에서 어떤 울림을 발산하고 있으며, 그래서 명상적 순간과도 이어진다. 말하자면 라깡적 실재가 자신을 드러내는 어떤 양태에 대해서도 그 속에 함몰되어 잠겨버리지 않고 오히려 주시하여 포옹하고 넘어서려는 어떤 사건이 일어나고 그 과정에서 궁극에는 라깡적 실재조차도 무화되는 곳, 곧 또 다른 텅 빔, '공(空, Emptyness)'에 이르게 된다. 우리는 이것 역시 실재(R3)라고 불러야 하는데, 그것 역시 상징적 질서로써는 표현할 수 없고 의미화 할 수 없기 때문이다. 그리고 상징적 질서에 의해 표출되지만 또한 그 너머에 존재하기 때문이다. 그런데 이 실재는 라깡적 실재와는 다르다. 그것은 단순히 전언어적인 비규정적 사물도 아니며, 자아를 와해시켜 비극적 퇴행으로 환원시켜버리는 실재도 아니기 때문이다. 오히려 이 실재는 초언어적이고, 자아의 지대를 넘어서 있는 열린 공간과 연관된다. 이제 로스코의 회화에서 우리가 관조적 명상에 자연스럽게 이행되는 것은 단순히 현실 속에서 새로운 다른 위안을 얻기 위해서가 아니라, 곧 라깡적 주체를 초월하고자 하는 다른 추동력, 곧 고통 속의 자아를 넘어서려는 자아초월적 충동 때문이다. 그리고 이 명상적 관조가 자아초월적 충동에 의해 유발되는 초월의 매개이자 수단이다. 이 매개를 통해 우리는 자아의 경계를 넘어선 자아초월의 지대로 들어서게 되고 종국에는 궁극의 텅빔, 공에 이른다.

• 이베로아메리카
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• 제22권2호
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• pp.25-57
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• 2020

에두아르도 갈레아노는 라틴아메리카 독재정권과 사회 부조리에 대한 비판과 고발에 앞장 선 좌파 지식인이다. 공식적 역사에서는 드러나지 않은 숨은 역사의 진실을 밝히려 파고든다. 그는 역사에 대한 기억을 중요시한다. 과거와 같은 불행한 역사의 반복을 끊기 위해서다. 본 연구의 주요 연구대상인 『포옹의 책』도 그런 글쓰기의 연장선에 있다. 이 작품의 이야기들은 대부분 작가의 기억에 의존한다. 이야기 전개 내용에서도 일관성이나 통합성이 없고, 글의 길이도 일정치 않아 지극히 비정형적이고 파편적이다. 이는 비논리적이고 비이성적인 라틴아메리카 현실을 형식적으로 드러내기 위한 전략이다. 그는 라틴아메리카 사회에 만연한 분리 시스템의 문제점을 다양한 시각에서 분석한다. 나와 타자는 물론 과거와 현재도 분리시킨다. 역사에 대한 기억을 텅 비게 만들어서 역사의식을 마비시킨다. 이런 시스템은 편리한 통치를 위해 고착화 된다. 이런 상황에서 폭력의 양상은 더욱 노골적이고 광범위해진다. 라틴아메리카 대중의 불안과 공포는 일상화된다. 하루하루를 희망 없이 견뎌내고 있는 현실이다. 갈레아노는 이 견디는 힘을 역사적 기억에서 찾고 있다. 과거와 현재가 만나서 포옹할 때 미래의 새로운 역사를 만날 수 있다고 믿는 것이다. 갈레아노는 단순한 현실 비판이나 냉소적 태도에만 머물지 않고 미래에 대한 희망도 제시한다.