• 한국정보과학회:학술대회논문집
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• 한국정보과학회 2006년도 가을 학술발표논문집 Vol.33 No.2 (D)
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• pp.334-337
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• 2006

현재 전 세계는 IPv4 주소 자원의 고갈에 대비한 IPv6의 도입을 위해 국가 차원의 전략적인 노력을 기울이고 있으며, 이에 따라 IPv4망에서 IPv6망으로의 안정적인 전이를 위한 상호 운영기술이 지속적으로 개발되고 있다. 이러한 기술을 적용하기 위한 다양한 응용 프로그램의 운영을 위해서 IPv6 기반의 DNS 기술은 그 핵심적인 요소라 할 수 있다. 그러나 현재 IPv4로 이루어져 있는 환경에서 바로 IPv6 환경으로의 변경이 어렵기 때문에 IPv6 네트워크 환경으로의 전이 과정에서 발생되는 IPv4와 IPv6의 네트워크의 공존 환경에서 트래픽을 안정적으로 전달하기 위한 기술이 필요하게 되었다. 이런 IPv4와 IPv6 상호 운용 기술을 이용하여 본 논문에서는 IPv4와 IPv6가 혼재한 망에서 안정적인 IPv6 Recursive DNS을 구성하기 위하여 상호 운용 기술 중 터널링 기술을 이용한 IPv6 Recursive DNS 구성 방안을 제시하여 혼재한 IPv4 와 IPv6 DNS를 운영하기 위한 구성모델을 제안한다.

• 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신설비학회 2003년도 하계학술대회
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• pp.376-378
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• 2003

본 논문에서는 2002년도에 KT에서 개발한 내경 1,000mm의 무인통신구를 건설 할 수 있는 마이크로터널링 장비에 대해 소개하고자 한다. 개발된 장비는 3D 기법을 이용한 최첨단 기법을 통하여 개발되었으며, 소형 굴진기의 취약점인 장애물 돌파능력을 보완하기 위하여 막장으로 진입이 가능한 구조로 되어있다. 따라서 굴진 중 장애물에 직면했을 경우 막장을 통하여 장애물을 효과적으로 제거할 수 있으며, 이 막장 진입통로를 이용하여 면판의 비트와 롤러커터를 교체할 수 있으므로 장거리 굴진이 가능하다. 그리고 굴진작업 시 필요한 원압잭과 후방설비인 Desander, 송 배니펌프등의 주변설비를 Operating Room에서 통합관리 할 수 있는 터널링 관리시스템을 개발하여 적용함으로써 보다. 효율적인 굴진관리를 수행할 수 있는 특징을 갖고 있다. 이렇게 개발된 장비와 시스템은 시험 시공을 통해 그 성능을 확인하였으며, 여기서 그 개발 과정 및 시험 시공 결과에 대해 기술하고자 한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.186-186
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• 2010

소자의 축소화에 따라 floating gate 형의 flash 메모리 소자는 얇은 게이트 절연막 등의 이유로, 이웃 셀 간의 커플링 및 게이트 누설 전류와 같은 문제점을 지니고 있다. 이러한 문제점을 극복하기 위해 charge trap flash 메모리 (CTF) 소자가 연구되고 있지만, CTF 메모리 소자는 쓰기/지우기 속도와 데이터 보존 성능간의 trade-off 관계와 같은 문제점을 지니고 있다. 최근, 이를 극복하기 위한 방안으로, 다른 유전율을 갖는 유전체들을 적층시킨 터널 절연막을 이용한 Tunnel Barrier Engineered (TBE) 기술이 주목 받고 있다. 따라서, 본 논문에서는 TBE 기술을 적용한 MIS-capacitor를 높은 유전율을 가지는 Al2O3와 HfO2를 이용하여 제작하였다. 이를 위해 먼저 Si 기판 위에 Al2O3 /HfO2 /Al2O3 (AHA)를 Atomic Layer Deposition (ALD) 방법으로 약 2/1/3 nm의 두께를 가지도록 증착 하였고, Aluminum을 150 nm 증착 하여 게이트 전극으로 이용하였다. Capacitance-Voltage와 Current-Voltage 특성을 측정, 분석함으로써, AHA 구조를 가지는 터널 절연막의 전기적인 특성을 확인 하였다. 또한, high-k 물질을 이용한 터널 절연막을 급속 열처리 공정 (Rapid Thermal Annealing-RTA) 과 H2/N2분위기에서 후속열처리 공정 (Post-RTA)을 통하여 전기적인 특성을 개선 시켰다. 적층된 터널 절연막은 열처리를 통해 터널링 전류의 민감도의 향상과 함께 누설전류가 감소됨으로서 우수한 전기적인 특성이 나타남을 확인하였으며, 적층된 터널 절연막 구조와 적절한 열처리를 이용하여 빠른 쓰기/지우기 속도와 전기적인 특성이 향상된 비휘발성 메모리 소자를 기대할 수 있다.

• 한국ITS학회:학술대회논문집
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• 한국ITS학회 2006년도 제5회 추계학술대회 및 정기총회
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• pp.199-202
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• 2006

본 논문에서는 IPv6를 이용한 새로운 T-DMB 멀티미디어 서비스 시스템을 설계 및 구현하였다. 본 논문에서 제안한 방식은 IPv6의 듀얼스택 기술인 DSTM 방식을 T-DMB 패킷 전송 서비스에 접목시켰다. IPv6의 주소 체계 방식을 이용하여 기존의 T-DMB와의 호환성을 유지하면서 T-DMB 단말 내에 DSTM 패킷 전송을 위한 어플리케이션 데이터 테이블을 배치하여 T-DMB in IPv6 터널링을 통한 서비스를 실행할 수 있게 하였다. 또한, T-DMB Client 와 DSTM TEP를 단말에 배치하여 패킷 전송을 가능하게 하였다. T-DMB in IPv6 터널링 기술을 도입하여 T-DMB 방송 시스템의 성능 평가를 실시한 결과, 기존의 T-DMB 방송 서비스보다 약 2배 정도의 전송 용량 증가 및 채널 용량 증가가 효과를 바로 볼 수 있었고, 패킷 크기 따른 전송 효과는 기존의 방송 서비스보다 약 3%정도 증가된 결과 값을 얻을 수 있었다.

• 융합보안논문지
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• 제15권4호
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• pp.107-112
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• 2015

무선통신기술의 급격한 발달로 인해 상용기술을 접목한 군의 통신 기반체계 또한 무선체계 위주로 변하고 있다. 하지만 군의 통신은 비밀스러운 내용이 많을뿐더러 특히 물리적으로 보안시스템이 불완전한 무선 환경에서는 적의 위협이 더욱더 증가될 것으로 예상된다. 최근 차세대 전술네트워크 통신 시스템이 All IP 기반의 무선체계로 전력화될 예정이다. 본 논문에서는 이러한 무선 환경에서 예상되는 위협요소를 살펴보고 이에 대한 적절한 터널링 기법에 대해 연구해 본다.

• 한국터널지하공간학회 논문집
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• 제17권4호
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• pp.415-428
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• 2015

국내의 장대터널 및 도심지내 터널시공과 시공계획이 증가함에 따라 터널굴착기술의 개발이 요구되고 있다. 국내의 터널 굴착방법으로 drilling & blasitng method가 주로 쓰이고 있는 실정이나 이 공법은 극심한 발파진동으로 현장주민의 민원과 인근 암반구조물에 피해를 입히는 단점이있다. 따라서 문제발생예측 지역에는 무발파 굴착공법인 TBM터널링을 사용하는 것이 효율적이다. 하지만 TBM 터널링은 drilling & blasitng method와 비교하였을 때 비경제적이므로 현장에서 꺼리는 실정이다. 이러한 한계를 극복하기 위하여 다양한 TBM 장비 및 시공기술이 요구된다. 또한 관련된 기술의 기준이 될 수 있는 시방서 및 설계기준의 지속적인 개정도 필요한 상황이다. 본 연구에서는 2015년 고시된 터널표준시방서내 TBM에 대한 개정 내용 및 관련 해설에 대한 내용을 다루고 있다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2017년도 춘계학술대회
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• pp.575-576
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• 2017

최근 스마트게이트웨이가 연구됨에 따라 빅 데이터와 IoT(Internet of Things)를 통해 부가적인 서비스를 제공할 수 있다. 그러나 기존 시스템은 연결되는 기기의 수가 증가함에 따라 네트워크의 안정성이 저하되며 데이터 보안이 취약한 문제점이 있었다. 본 논문에서는 이러한 문제점을 해결하기 위해 IoT 기반 스마트 게이트웨이 VPN 터널링 제어 시스템을 설계한다. 공유기 수준의 저사양의 타겟에 효율적인 VPN 터널링 기술과 인터넷 회선품질의 변화가 심한 환경에서 실시간에 효율적으로 트래픽을 제어하는 방법을 제시하여 원격지에서 VPN을 통해 안전하게 댁내의 센서 제어가 가능하도록 한다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권9호
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• pp.964-968
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• 1996

이글에서는 다음의 내용을 다루었다. 1. FED의 동작원리 2. FED의 중요기술 3. 국내외 FED개발동향

• 한국ITS학회:학술대회논문집
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• 한국ITS학회 2004년도 제3회 정기총회 및 추계학술대회
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• pp.115-119
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• 2004

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.218-218
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• 2010

기존의 비휘발성 메모리 소자는 터널 절연막으로 $SiO_2$ 단일 절연막을 이용하였다. 그러나 소자의 축소화와 함께 비휘발성 메모리 소자의 동작 전압을 낮추기 위해서 $SiO_2$ 단일 절연막의 두께도 감소 시켜야만 하였다. 하지만 $SiO_2$ 단일 절연막의 두께 감소에 따라, 메모리의 동작 횟수와 데이터 보존 시간의 감소등의 문제점들로 인해 기술적인 한계점에 이르렀다. 이러한 문제점들을 해결하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있는 가운데, 최근 high-k 물질을 기반으로 하는 Tunnel Barrier Engineered (TEB) 기술이 주목 받고 있다. TBE 기술이란, 터널 절연막을 위해 서로 다른 유전율을 갖는 유전체를 적층함으로써 쓰기/지우기 속도의 향상과 함께, 물리적인 두께 증가로 인한 데이터 보존 시간을 향상 시킬 수 있는 기술이다. 따라서, 본 연구에서는 적층된 터널 절연막에 이용되는 $HfO_2$를 FGA (Forming Gas Annealing)와 RTA (Rapid Thermal Annealing) 공정에 의한 열처리 효과를 알아보기 위해, 온도에 따른 전기적인 특성을 MIS-Capacitor 제작을 통하여 분석하였다. 이를 위해 먼저 Si 기판 위에 $SiO_2$를 약 3 nm 성장시킨 후, $HfO_2$를 Atomic Layer Deposition (ALD) 방법으로 약 8 nm를 증착 하였고, Aluminum을 약 150 nm 증착 하여 게이트 전극으로 이용하였다. 이를 C-V와 I-V 특성을 이용하여 분석함으로 써, 열처리 공정을 통한 $HfO_2$의 터널 절연막 특성이 향상됨을 확인 하였다. 특히, $450^{\circ}C$ $H_2/N_2$(98%/2%) 분위기에서 진행한 FGA 공정은 $HfO_2$의 전하 트랩핑 현상을 줄일 뿐 만 아니라, 낮은 전계에서는 낮은 누설 전류를, 높은 전계에서는 높은 터널링 전류가 흐르는 것을 확인 하였다. 이와 같은 전압에 대한 터널링 전류의 민감도의 향상은 비휘발성 메모리 소자의 쓰기/지우기 특성을 개선할 수 있음을 의미한다. 반면 $N_2$ 분위기에서 실시한 RTA 공정에서는, 전하 트랩핑 현상은 감소 하였지만 FGA 공정 후 보다는 전하 트랩핑 현상이 더 크게 나타났다. 따라서, 적층된 터널 절연막은 적절한 열처리 공정을 통하여 비휘발성 메모리 소자의 성능을 향상 시킬 수 있음이 기대된다.