• Title/Summary/Keyword: 치밀화

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Preparation of $CuInSe_{2}$ Absorber Layer for Solar Cells by Non-vacuum Process (비진공방식에 의한 태양전지용 $CuInSe_{2}$ 광흡수층 제조)

  • Kim, Ki-Hyun;Ahn, Se-Jin;Yoon, Kyung-Hoon;Ahn, Byung-Tae
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2007.06a
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    • pp.346-349
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    • 2007
  • 치밀한 $CuInSe_{2}$ (CIS) 태양전지용 광흡수층을 제조하기 위해 상용되는 출발물질을 이용하여 비진공방식인 paste coating 법으로 CIS 막을 제조하였다. 먼저 치밀한 CIS 막 제조를 위해 $Cu_{2}Se$의 액상 거동을 관찰하였다. 이러한 $Cu_{2}Se_{2}$의 액상거동을 위해 Se 분위기에서 Se 증발온도, 기판온도, 열처리시간 등을 다양하게 변화 시켰으며, Se 증발온도 $450^{\circ}C$, 기판온도 $550^{\circ}C$, 열처리시간 30분 그리고 수송가스 ($N_{2}$)를 20 sccm으로 최적조건을 형성하였다. 이러한 최적조건을 바탕으로 치밀한 CIS막을 위해 two-zone RIP (rapid temperature process) 방법으로 Se 분위기 안에서 셀렌화를 위한 열처리를 행하였다. 셀렌화를 위해 다양한 열처리시간에 따라 형성된 CIS 막은 CIS 광흡수층과 Mo 박막 사이에서 $MoSe_{2}$ 층이 형성되었지만, 균일한 CIS 막을 얻었으며 업자성장과 치밀화 거동을 관찰 하였다. 또한, CIS 막의 치밀화를 위해 Se 증발온도와 열처리시간을 고정하고 기판온도를 $600^{\circ}C$로 증가시켜 $Cu_{2}Se$의 액상거동을 관찰하였다. $600^{\circ}C$에서 형성된 CIS 막은 기판온도 $500^{\circ}C$의 시편보다 입자성장과 치밀화가 되었으나 기판으로 사용하는 soda-lime glass의 휨 현상이 발생하였다.

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Effect of Heat-Treatment in Se Atmosphere on the Densification of Absorber Layer Using $Cu(In,\;Ga)Se_2$ Nanoparticles ($Cu(In,\;Ga)Se_2$ 나노입자을 이용한 광흡수층 치밀화에 따른 Se 분위기의 열처리 효과)

  • Yoon, Kyung-Hoon;Kim, Ki-Hyun;Ahn, Se-Jin;Ahn, Byung-Tae
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2006.06a
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    • pp.210-213
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    • 2006
  • 나노입자를 이용하여 치밀한 $Cu(In,\;Ga)Se_2$ 태양전지용 광흡수층을 제조하기 위해 먼저, 콜로이달 방법으로 합성된 20nm이하의 CIGS 나노입자를 저가의 스프레이 법을 이용하여 CIGS 막을 제조하였다. 제조된 CIGS막을 two-zone RTP (rapid temperature Process) 방법으로 Se 분위기 안에서 열처리를 행하였다. 입자의 치밀화를 위해 기판의 온도, Se 증발온도와 수송가스의 유량을 조절하여 CIGS 입자성장을 행하였다. 그러나, Se의 증발온도가 높을수록 CIGS와 MO 박막 사이에서 $MoSe_2$ 층이 형성되었다. 형성된 $MoSe_2$층의 부피 팽창으로 인해 하부의 유리기판과 Mo층 사이에서 peeling off 현상이 발생했다. 이러한 Peeling off현상을 억제하면서 CIGS 나노입자 성장을 하기 위해, Se 공급을 빨리 할 수 있도록 Se의 증기압을 높였으며, 최적조건에서 급속 열처리 공정을 통해 CIGS 나노입자 성장과 치밀화를 위한 소결거동을 관찰하였다.

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Densification Behavior of Fine SiC Particle-Dispersed $Al_2$$O_3$-SiCComposite by Sinter Plus HIP (Sinter Plus HIP에 의한 $Al_2$$O_3$-SiC 나노복합재료의 치밀화 거동)

  • 채기웅
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • v.38 no.2
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    • pp.179-182
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    • 2001
  • Al$_2$O$_3$-5 vol% SiC 나노복합재료의 sinter plus HIP에 의한 치밀화시 일어나는 기공의 변화에 초점을 두어 치밀화 거동을 관찰하였다. $Al_2$O$_3$-SiC 시편은 질소분위기 중의 상압소결과 이후의 열간정수압소결(HIP)에 의해 완전치밀화가 이루어졌다. 155$0^{\circ}C$의 상압소결에 의해서는 90%의 비교적 낮은 상대밀도가 얻어졌으나, 기공의 폐기공화로 이후의 열간정수압소결(HIP)에 의해 99.6%의 완전치밀화가 가능하였다. 상압소결한 시편을 X-선 회절기와 주사전자현미경(SEM)으로 관찰한 결과, 선택적으로 시편 표면부에서만 SiAl$_{6}$O$_2$N$_{6}$과 AlN 등으로 이루어진 치밀화된 반응층을 확인할 수 있었으며, 이러한 표면 반응층이 비교적 낮은 상대밀도의 시편내의 모든 기공을 폐기공화하는 효과를 주는 것을 알 수 있었다.

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Stress Development in Sol-gel Derived Multideposited Coatings of Lead Zirconate Titanate (다층 도포된 $\textrm{PbZr}_{0.53}\textrm{Ti}_{0.47}\textrm{O}_{3}$ sol-gel 박막내의 응력 거동)

  • Park, Sang-Myeon
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.9 no.11
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    • pp.1069-1074
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    • 1999
  • 본 연구에서는 PbZr(sub)0.53Ti(sub)0.47O$_3$(PZT) 박막을 복수 도포함에 따른 박막내의 응력을 온도의 함수로 실시간(in situ) 측정하였으며, 응력발생의 원인에 박막의 건조, 열분해(pyrolysis), 치밀화 및 결정화 현상과 연관시켜 설명하였다. 도포직후 단층박막에 생성된 55MPa의 인장응력은 가열됨에 따라$ 300^{\circ}C$-$350^{\circ}C$에서 최대 145MPa로 증가하였으며, 박막내의 응력은 모든 온도구간에서 항상 인장응력을 나타내었더. 다층도포시 $650^{\circ}C$까지 열처리 주기를 완료한 층이 두꺼워질수록 새로 도포한 층의 영향은 점차 감소하였으며, 9층박막에 이르러서는 가열과 냉각에 따라 응력이 동일하게 변화하였다. 응력측정 결과 다층박막의 치밀화는 $350^{\circ}C$에서 시작되어 $520^{\circ}C$-$550^{\circ}C$ 부근에서 완료되는 것으로 나타났으며 치밀화가 시작하는 온도는 미세경도 측정결과와 일치하였다. $PbTiO_3$(PT)와 달리 PZT 다층박막은 Si 기판 위에서 perovskite로의 결정화가 일어나지 않았다.

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Densification and Grain Growth Behavior of MgO and TiO2-doped Alumina (MgO 및 TiO2가 첨가된 알루미나의 치밀화와 입성장 거동)

  • Lee, Jung-A;Kim, Jeong-Joo
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • v.39 no.11
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    • pp.1083-1089
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    • 2002
  • Densification and grain growth behavior of MgO and -doped alumina ceramics were investigated. MgO was found to inhibit grain growth and to promote densification, but acted to promote grain growth more than densification. The density which showed the maximum shrinkage rate was investigated in the plot of shrinkage rate versus density. The data suggests that the maximum shrinkage rate separates the two kinetic regimes, below the density of maximum shrinkage, the regime associated with densification and above the maxima, the regime associated with the grain growth. The plot exhibits a maximum which shifts to higher temperatures with MgO doping and to lower with doping.

Effect of Raw-Si Particle Size on the Mechanical Properties of Sintered RBSN (출발 Si 분말의 입자크기에 따른 Sintered RBSN의 기계적특성 변화)

  • 이주신;문지훈;한병동;박동수;김해두
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • v.38 no.8
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    • pp.740-748
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    • 2001
  • 출발원료 Si 분말의 입자크기를 다양하게 하여 질화반응 및 가스압 소결시 입자크기에 따른 산소함량의 차이에서 나타나는 상변화와 그로 인한 치밀화 거동, 미세구조 발달 및 기계적 특성에 대하여 고찰하였다. 145$0^{\circ}C$의 질화반응에서는 조대분말을 사용한 경우가 미세분말을 사용한 경우보다 높은 질화율을 나타냈으며, 각 분말크기에 따른 native oxide의 함량차에 따라 각기 다른 2차 결정상들이 검출되었다. 조대분말을 사용한 경우에는 제 2상의 석출로 인한 액상량의 부족으로 고온의 소결온도에서도 치밀화를 이루지 못해 낮은 강도값을 나타내었다. 한편, 미세분말을 사용한 경우에는 질화반응 후 석출된 제 2상이 소결온도가 증가함에 따라 용융되면서 치밀화를 이루어 높은 강도값을 나타내었다. 높은 강도값은 미세분말을 사용한 시편들에서 얻어졌으나 높은 파괴인성값은 상대적으로 큰 분말을 사용한 시편들에서 얻어졌는데, 이는 미세한 입자들로 구성된 기지상 내에 잘 발달된 주상정 입자들을 갖는 미세구조에 기인된 것으로 사료된다.

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Compaction and Sintering Behaviour of Zirconia Powders: I. Compaction Response (지르코니아 분말의 치밀화와 소결거동 : I. 가압에 따른 치밀화 응답)

  • ;Frank L. Riley
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • v.29 no.6
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    • pp.489-495
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    • 1992
  • The continuous compaction response of zirconia powders prepared by different processing treatments was investigated. Though the yield point could be or not below 1 MPa, the change of slope was always observed at high pressure range around 60 MPa. Powder compaction was mainly governed by second compaction stage and compaction rate was decreased with increasing forming pressure. Rotary vacuum dried powder favored a high compaction density, whereas freeze dried and calcined powders favored an increase in the pressing efficiency. In order to extract more reliable information about powder compaction, it was necessary to use not only compaction response diagram but also compaction rate diagram.

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분말단조 해석을 위한 다공질 합금강 프리폼의 고온 업셋

  • Kim, Gi-Tae;Jo, Yun-Ho
    • Transactions of Materials Processing
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    • v.1 no.2
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    • pp.14-19
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    • 1992
  • 분말단조 공정의 해석을 위한 기초연구로서 고용 업셋에 의한 다공질 합금강 프리폼의 치밀화와 소성 변형거동에 관하여 조사하였다. 다공질 프리폼의 소성 유동응력은 용도의 상승에 떠라 감소하였고, 변형속도의 증가에 따라 증가함을 보였다. 또한, 다공질 프리폼의 초기밀도가 더 높을수록 동일한 온도와 하중조건에서 더 높은 치밀화를 보였다. 또한, 밀도변화에 따른 프와송 비를 실험치로 부터 구하였고, 배불림 현상과 체적변화를 고려하여 온도에 따른 진응력-진변형률 관계를 구하였다.

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Cu-In 합금 콜로이드 전구체로부터 형성된 CuIn (Se,S)$_2$ 박막의 미세구조에 미치는 황화/셀렌화의 영향

  • Mun, Byeong-Min;Go, Min-Jae;Lee, Do-Gwon
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.08a
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    • pp.428-428
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    • 2012
  • CIGS 또는 CIS 태양전지는 높은 흡광계수와 조절가능한 밴드갭 특성으로 인해 높은 광전변환효율을 나타내므로 실리콘 태양전지를 대체할 차세대 태양전지로 주목받고 있다. 그러나 태양전지의 저가화를 위해서는 기존의 동시증발법 또는 스퍼터링을 대신할 수 있는 비진공 방식의 박막제조방법이 요구된다. 다양한 비진공 코팅방법 중에서 용액 또는 콜로이드 전구체를 프린팅하는 방법은 batch 조성이 박막의 조성으로 전사되므로, 전착법에 비해 조성 조절이 용이하다는 장점이 있다. 한편, 콜로이드 공정에 속하는 Cu-In 합금 나노 분말법은 셀렌화 또는 황화 과정 중에 부피가 팽창하는 장점을 활용 가능한 반면, 전구체 박막의 충진밀도가 낮을 경우 열처리를 통한 치밀화에 한계가 생길 수 있는 단점이 있다. 본 연구에서는 합성한 Cu-In합금 분말을 이용하여 전구체 박막을 형성한 후 반응기구가 다른 황 및 셀레늄 분위기에서의 열처리를 통해 소결된 박막의 결정상, 미세구조 및 표면 형상의 차이를 비교하였다.

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Densification Behavior of Reaction-Bonded Silicon Nitride Prepared by Using Coarse Si Powders (조대 Si입자분말을 사용한 질화반응 Si3N4의 치밀화 거동)

  • 이주신;문지훈;한병동;박동수;김해두
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • v.39 no.1
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    • pp.45-50
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    • 2002
  • Effect of sintering additives on the densification behavior of reaction-bonded silicon nitride prepared by using coarse Si powders is discussed. Sintering additives such as 6 wt% $Y_2O_3$+1wt% $A1_2O_3$ (6YlA) did not give rise to full densification, while full densification was obtained by using the sintering additives such as 6wt% $Y_2O_3$+3 wt% $A1_2O_3$+ 2wt% $SiO_2$ (6Y3A2S) and 9wt% $Y_2O_3$+ 1.5wt% $A1_2O_3$+ 3wt% $SiO_2$ (9Yl.5A3S). In the case of 6Y3A2S addition, high fracture strength of 960 MPa and the fracture toughness of $6.5 MPa.m^{1/2}$ were obtained.