• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제16권12호
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• pp.1229-1232
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• 1995

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제18권12호
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• pp.1242-1244
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• 1997

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제18권12호
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• pp.1245-1247
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• 1997

• 한국농공학회지
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• 제65권3호
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• pp.19-24
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• 2023

• 한국농공학회지
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• 제66권1호
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• pp.7-13
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• 2024

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제21권8호
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• pp.367-375
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• 2021

의료의 질은 효과, 효율, 적절성, 과학적-기술적 측면 등과 같은 4가지로 정의할 수 있다. 과학적-기술적 측면의 질 관리를 위해 의료기관에서는 매년 보수교육의 형태로 최신 지견을 현장에 보급하고 있다. 하지만 최신 지견이 가장 빠르게 보급되는 연구 결과들을 단발성인 보수교육만으로 임상 현장에 충분히 보급하는 것에는 명백한 한계가 존재한다. 빅데이터, 인공지능과 같은 지능정보처리 기술이 의료 분야에 적용될 경우 기존에 문헌 조사 등으로 연구되어 적은 정보만으로 연구를 수행해야 했던 한계를 극복할 수 있다. 본 논문은 기존 약재 처방 적응증을 확장할 수 있는 근거가 되는 데이터베이스를 구축한다. 이를 위해 한의학 관련 국내외 논문 정보를 수집, 저장 관리, 분석하는 작업을 수행한다. 약재 처방전의 확장 적응증 콘텐츠 구축을 위한 한의학 근거문헌 데이터의 처리 및 분석 기법을 설계한다. 본 연구를 통해 한의학 의사결정지원시스템에서 근거기반 약재처방 주치 정보의 기본 콘텐츠로 활용할 수 있을 것이라 기대한다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제35권6호
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• pp.576-580
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• 2022

Semiconductor devices have evolved from 2D planar FETs to 3D bulk FinFETs, with aggressive device scaling. Bulk FinFETs make it possible to suppress short-channel effects. In addition, the use of low-k dielectric materials as a vacuum gate spacer have been suggested to improve the AC characteristics of the bulk FinFET. However, although the vacuum gate spacer is effective, correlation between the vacuum gate spacer and the short-channel-effects have not yet been compared or discussed. Using a 3D TCAD simulator, this paper demonstrates how to optimize bulk FinFETs including a vacuum gate spacer and to suppress short-channel effects.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제14권7호
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• pp.97-103
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• 2009

본 논문의 무선 센서네트워크에서 사용할 수 있는 효율적인 라우팅 방법인 MP-DD (MultiPath-Direct Diffusion) 알고리즘을 제안한다. 기존의 DD(Directed Diffusion)에서는 하나의 경로만을 강화하여 사용하는 것과 달리 제안한 알고리즘은 다중 경로를 강화하면서, 해당 경로에 높여 있는 센서 노드의 남은 에너지 등급을 고려하여 에너지 레벨이 높은 경로에 따라 가중치를 부여하고, 몇 개의 다중경로를 이용하여 사용함으로써 에너지 소모를 감소시키고 동시에 네트워크에 전체적으로 에너지를 골고루 사용하게 할 수 있다. 시뮬레이션 결과에서는 이러한 센서 네트워크를 위한 단순한 라우팅 방법의 가능성을 증명하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제37권2호
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• pp.148-153
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• 2024

As complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) is scaled down to achieve higher chip density, thin-film layers have been deposited iteratively. The poor film uniformity resulting from deposition or chemical mechanical planarization (CMP) significantly affects chip yield. Therefore, the development of novel fabrication processes to enhance film uniformity is required. In this context, high-pressure deuterium annealing (HPDA) is proposed to reduce the surface roughness resulting from the CMP. The HPDA is carried out in a diluted deuterium atmosphere to achieve cost-effectiveness while maintaining high pressure. To confirm the effectiveness of HPDA, time-of-flight secondary-ion mass spectrometry (ToF-SIMS) and atomic force microscopy (AFM) are employed. It is confirmed that the absorbed deuterium gas facilitates the diffusion of silicon atoms, thereby reducing surface roughness.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제20권7호
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• pp.796-800
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• 1999

Three anthrylazacrown ethers in which the anthracene fluorophore π system is separated from the electron donor atoms by one methylene group were synthesized, and their photophysical study was accomplished. These fluorescent compounds showed a maximum fluorescence intensity at pH=5 in aqueous solutions and a decrease in fluorescence intensity upon binding of paramagnetic metal cations (Mn 2+ (d 5 ), Co 2+ (d 7 ), Cu 2+ (d 9 )). The decrease in fluorescence intensity may be attributed to the paramagnetic effect of metal cations to deactivate the excited state by the nonradiative quenching process. The benzylic nitrogen was found to play an important role in changing fluorescence intensity. From the observed linear Stern-Volmer plot and the fluorescence lifetime independence of the presence of metal ions, it was inferred that the chelation enhanced fluorescence quenching (CHEQ) mechanism in the system is a ground state static quenching process. Enhanced fluorescence was also observed when an excess Na + ion was added to the quenched aqueous solution, and it was attributed to cation displacement of a complexed fluorescence quencher.