• 한국산학기술학회논문지
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• 제9권3호
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• pp.649-657
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• 2008

본 논문은 트랜지스터 다이, 칩 커패시터, 커패시터와 트랜지스터 다이를 연결하는 와이어 본딩으로 구성된 질화갈륨 고출력 트랜지스터 패키지에 있어서, 그 출력 성능의 최적화에 대하여 언급한다. 와이어 본딩 방법에 따른 출력 전력의 최적화된 결과와, 와이어 본딩과 바이어스 조건에 따른 3차 상호변호 특성 최적화 등이 기술되어 있다. 또한 본 논문에는 제한된 면적내의 고출력 트랜지스터 패키지에서 와이어 본딩으로 구현된 인덕턴스에 따라 얼마나 그 출력 성능이 민감하게 반응하는지를 시뮬레이션을 통하여 제시하고 있다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2007년도 춘계종합학술대회
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• pp.591-593
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• 2007

최근 에너지효율이 높은 고출력 HF 레이저에 대한 관심이 다시 높아지고 있다. 레이저점화방식의 최적설계와 출력특성의 향상을 위해 정확한 이론해석 모델이 필요하다. 따라서 본 연구에서는 최신의 반응정수를 적용한 HF 화학레이저 모델을 구축하였다.

• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 1997년도 추계학술발표회논문집(1)
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• pp.135-140
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• 1997

국내개발 액체금속로 KALIMER 노심설계 개발의 일환으로 전기출력 333 MWe(열출력 840 MWth)의 노심설계를 수행하고, 이에 대한 핵ㆍ열수력 특성을 분석하였다. 설계노심은 2농축 U-Zr(14.0/l8.9%) 이원 합금핵연료의 균질노심으로 구성하였다. 핵연료 재장전주기는 18개월, 평균증식비는 0.64로서 평형주기에서의 최대연소도는 125.2 MWD/kg이며, 특히 음의 소듐 void 반응도가를 가짐으로써 노심안전성 확보측면에서 매우 양호함을 보였다.

• 한국디자인학회:학술대회논문집
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• 한국디자인학회 1999년도 추계 학술발표대회 논문집
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• pp.28-29
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• 1999

제품을 사용한다는 것은 어떤 목적을 달성하기 위한 제품과 사용자 사이의 입력과 출력과정으로 해석할 수 있다. 이런 측면에서 제품과 사용자와의 관계를 고찰해 볼 때 최근에 부쩍 그 수가 늘어난 지능형 제품들은 이전의 제품들이 물리적이고 신체적인 자원의 투입과 이에 따른 기계적인 제품반응에 의해 사용자와 직접적이고 단순한 제어-피제어의 관계를 가졌던 것과는 달리 지적인 자원의 투입과 함께 제품으로부터 지적인 결과물을 출력받아 사용자가 이를 다시 해석해야하는 간접적이면서도 쌍방향적인 교류관계를 가진다.(중략)

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2006년도 제30회 학술논문발표회 초록집
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• pp.238-238
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• 2006

• 한국에너지공학회:학술대회논문집
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• 한국에너지공학회 1998년도 추계 학술발표회 논문집
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• pp.29-34
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• 1998

• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 1999년도 춘계학술발표회요약집
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• pp.21-21
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• 1999

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2006년도 하계학술발표회 논문집
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• pp.47-48
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• 2006

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제44권5호
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• pp.483-488
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• 2006

유기고분자에 대한 건식 식각공정으로 remote 플라즈마를 이용하여 유리 표면에 도포된 PMMA의 식각공정에 관한 연구로 플라즈마 출력, 반응가스, 플라즈마 발생원과의 거리에 대한 식각특성을 측정하였다. 플라즈마 발생원으로부터 멀어질수록 플라즈마에 의해 발생된 라디칼 밀도로 인해 PMMA 식각속도가 감소하였다. 플라즈마 내에서 발생된 라디칼에 의해 PMMA가 제거되며, 플라즈마 출력이 증가할수록 PMMA 표면과 반응하는 라디칼 증가로 식각속도는 선형적으로 증가하였다. 식각 기체에서 산소의 양이 증가함에 따라 식각속도 증가와 더불어 식각표면의 거칠기도 증가함을 알 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.286-286
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• 2011

현재의 NEDO (New Energy and industrial technology Development Organization) style Si 정련은 두 단계로 구분되어 있다. 고출력 집속 전자빔을 이용한 금속 실리콘의 1차 용융과 대기압 근처의 플라즈마 아크 용해를 이용해서 B, P를 약간의 반응성 가스를 첨가 하여 제거하는 방법이다. 그러나 저가형 실리콘을 생산하려는 취지와 달리 두 가지의 고가 장비가 필요하다. E-beam melting 장치에서도 반응성이 높은 라디칼을 생성할 수 있다면 하나의 장비에서 두 가지의 정련 작업을 진행시킬 수 있다. 본 연구에서는 고진공에서(< 10-4 Torr) 동작하는 E-beam의 성능에 전혀 영향을 주지 않으면서 플라즈마를 용이하게 생성 시킬 수 있는 방법을 개발하고 이를 적용하여 실제 금속 순도 실리콘 내에 존재하는 B, P가 제거되는지 확인하는 것을 연구 내용으로 한다. 본 연구는 MG (Metal Grade) - Si 을 플라즈마 보조 전자빔 정련을 이용하여 정련한 Si 의 불순물 함량의 개선 효과를 조사하는 것이다. MG-Si 의 정련 방법 중에서 고출력 집속 전자빔을 이용하여 휘발성 오염물질을 제거 후, 플라즈마 아크 용해를 이용해서 B 를 제거하는 방법을 접목시켰다. MG-Si 에 DC power 와 전자빔을 집속시켜서 정련을 하면 챔버 내의 잔류 수증기가 플라즈마에 의해 분해되어 O를 생성하고, B와 반응을 하여 BO 형태로 제거가 된다. 방전 전압 700 V 와 전자빔 가속 전압이 4.5 kV, 방출 전류는 11 A, 진공 챔버 내의 압력은 $7.2{\times}10^{-4}$ Torr에서 정련을 진행하여 B를 제거했다.