• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.9 no.3
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• pp.649-657
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• 2008

This paper describes the optimized output performances such as output power and the third order intermodulation in GaN high power transistor packages which consist of chip die, chip capacitors, and wire bonding. The optimized output power according to wire bonding techniques, and third order intermodulation performances according to wire bonding and bias conditions are discussed. In addition, it is shown through the nonlinear simulation that how the output performances are sensitive to the inductance values which are realized by wire bonding for matching network in the limited package area.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2007.06a
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• pp.591-593
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• 2007

최근 에너지효율이 높은 고출력 HF 레이저에 대한 관심이 다시 높아지고 있다. 레이저점화방식의 최적설계와 출력특성의 향상을 위해 정확한 이론해석 모델이 필요하다. 따라서 본 연구에서는 최신의 반응정수를 적용한 HF 화학레이저 모델을 구축하였다.

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 1997.10a
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• pp.135-140
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• 1997

국내개발 액체금속로 KALIMER 노심설계 개발의 일환으로 전기출력 333 MWe(열출력 840 MWth)의 노심설계를 수행하고, 이에 대한 핵ㆍ열수력 특성을 분석하였다. 설계노심은 2농축 U-Zr(14.0/l8.9%) 이원 합금핵연료의 균질노심으로 구성하였다. 핵연료 재장전주기는 18개월, 평균증식비는 0.64로서 평형주기에서의 최대연소도는 125.2 MWD/kg이며, 특히 음의 소듐 void 반응도가를 가짐으로써 노심안전성 확보측면에서 매우 양호함을 보였다.

• Proceedings of the Korea Society of Design Studies Conference
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• 1999.10a
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• pp.28-29
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• 1999

제품을 사용한다는 것은 어떤 목적을 달성하기 위한 제품과 사용자 사이의 입력과 출력과정으로 해석할 수 있다. 이런 측면에서 제품과 사용자와의 관계를 고찰해 볼 때 최근에 부쩍 그 수가 늘어난 지능형 제품들은 이전의 제품들이 물리적이고 신체적인 자원의 투입과 이에 따른 기계적인 제품반응에 의해 사용자와 직접적이고 단순한 제어-피제어의 관계를 가졌던 것과는 달리 지적인 자원의 투입과 함께 제품으로부터 지적인 결과물을 출력받아 사용자가 이를 다시 해석해야하는 간접적이면서도 쌍방향적인 교류관계를 가진다.(중략)

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2006.02a
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• pp.238-238
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• 2006

• Proceedings of the Korea Society for Energy Engineering kosee Conference
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• 1998.10a
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• pp.29-34
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• 1998

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 1999.05a
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• pp.21-21
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• 1999

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2006.07a
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• pp.47-48
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• 2006

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.44 no.5
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• pp.483-488
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• 2006

Etching process of PMMA (Polymethyl Methacrylate) on glass surface was investigated by dry etching technique using remote plasma. To determine the etching characteristics, the remote plasma etching was conducted for various process parameters such as plasma power, reaction gas and distance from plasma generation. As the distance from the plasma generation was increased, the etch rate of PMMA was linearly decreased by radical density in plasma. PMMA has removed by reactive radicals in the plasma. The etch rate increased with plasma power because of more reactive radicals. The etch rate and surface roughness of PMMA increased with $O_2$ concentration in the etchant.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.286-286
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• 2011

현재의 NEDO (New Energy and industrial technology Development Organization) style Si 정련은 두 단계로 구분되어 있다. 고출력 집속 전자빔을 이용한 금속 실리콘의 1차 용융과 대기압 근처의 플라즈마 아크 용해를 이용해서 B, P를 약간의 반응성 가스를 첨가 하여 제거하는 방법이다. 그러나 저가형 실리콘을 생산하려는 취지와 달리 두 가지의 고가 장비가 필요하다. E-beam melting 장치에서도 반응성이 높은 라디칼을 생성할 수 있다면 하나의 장비에서 두 가지의 정련 작업을 진행시킬 수 있다. 본 연구에서는 고진공에서(< 10-4 Torr) 동작하는 E-beam의 성능에 전혀 영향을 주지 않으면서 플라즈마를 용이하게 생성 시킬 수 있는 방법을 개발하고 이를 적용하여 실제 금속 순도 실리콘 내에 존재하는 B, P가 제거되는지 확인하는 것을 연구 내용으로 한다. 본 연구는 MG (Metal Grade) - Si 을 플라즈마 보조 전자빔 정련을 이용하여 정련한 Si 의 불순물 함량의 개선 효과를 조사하는 것이다. MG-Si 의 정련 방법 중에서 고출력 집속 전자빔을 이용하여 휘발성 오염물질을 제거 후, 플라즈마 아크 용해를 이용해서 B 를 제거하는 방법을 접목시켰다. MG-Si 에 DC power 와 전자빔을 집속시켜서 정련을 하면 챔버 내의 잔류 수증기가 플라즈마에 의해 분해되어 O를 생성하고, B와 반응을 하여 BO 형태로 제거가 된다. 방전 전압 700 V 와 전자빔 가속 전압이 4.5 kV, 방출 전류는 11 A, 진공 챔버 내의 압력은 $7.2{\times}10^{-4}$ Torr에서 정련을 진행하여 B를 제거했다.