• 제목/요약/키워드: 초미세 스테이지

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마이크로 스테이지의 유한요소해석 (A Study on the Optimal Structural Design using FEM for Micro Stage)

  • 김재열;곽이구;한재호;김항우;하하변명
    • 한국정밀공학회지
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    • 제19권10호
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    • pp.60-65
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    • 2002
  • For optimal design of micro stage, we measured the displacement of piezoelectric transducer that was based on voltage value. And the micro stage was analyzed using FEM with displacement data including voltage value of piezoelectric transducer. For verification of analysis results, the displacements were measured by using Laser-interferometer. And researchers confirmed to propriety on design of micro stage with FEM, we obtained 3.5% error rate between measurement results and analyzing results.

130nm 이하의 초미세 공정을 위한 저전력 32비트$\times$32비트 곱셈기 설계 (Low-Power $32bit\times32bit$ Multiplier Design for Deep Submicron Technologies beyond 130nm)

  • 장용주;이성수
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제43권6호
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    • pp.47-52
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    • 2006
  • 본 논문에서는 130nm 이하의 초미세 공정을 위한 저전력 32비트$\times$32비트 곱셈기를 제안한다. 공정이 미세화 되어감에 따라 누설 전류에 의한 정적 전력이 급격하게 증가하여 동적 전력에 비해 무시하지 못할 수준에까지 이르게 된다. 최근 들어 동적 전력과 정적 전력을 동시에 줄일 수 있는 방법으로 MTCMOS에 기반하는 전원 차단 방법이 널리 쓰이고 있지만, 대규모 블록의 전원이 복귀될 때 심각한 전원 잡음이 발생하는 단점이 있다. 따라서 제안하는 곱셈기는 파이프라인 스테이지를 따라 순차적으로 전원을 차단하고 복귀함으로 전원 잡음을 완화시킨다. $0.35{\mu}m$ 공정에서 칩 제작 후 측정하고 130nm 및 90m 공정에서 게이트-트랜지션 수준 모의실험을 실시한 결과 유휴 상태에서의 전력 소모는 $0.35{\mu}m$, 130nm 및 90nm 공정에서 각각 $66{\mu}W,\;13{\mu}W,\;6{\mu}W$이었으며 동작 시 전력 소모의 $0.04\sim0.08%$에 불과하였다. 기존의 클록 게이팅 기법은 공정이 미세화되어감에 따라 전력 감소 효율이 떨어지지만 제안하는 곱셈기에서는 이러한 문제점이 발생하지 않았다.