• 한국벤처창업학회:학술대회논문집
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• 한국벤처창업학회 2018년도 추계학술대회
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• pp.283-288
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• 2018

스타트업의 자금조달 능력은 초기 스타트업 생존에 가장 직결되는 문제이다. 스타트업은 정부 지원금을 비롯하여 엔젤투자자, 벤처캐피탈 등으로부터 자금을 지원받고 있지만 초기기업 회수시장의 불확실성으로 인해 투자 규모는 작은 편이다. 이에 따라 초기기업에 투자함과 동시에 경영 및 기술 멘토링, 교육, 관리 등을 체계적으로 지원하는 '액셀러레이터'가 최근 창업생태계의 핵심으로 떠오르고 있다. 액셀러레이터는 단순하게 인큐베이팅 시스템을 제공하는 것이 아니다. 초기기업의 팀빌딩부터 성장 과정을 함께하는 '공동 창업자'와 같은 역할을 하면서 이들이 성장해나갈 수 있도록 집중적인 멘토링과 교육 등의 프로그램을 제공한다. 이러한 시스템을 거친 스타트업은 생존 기간이 상대적으로 높고, 벤처캐피탈도 이렇게 성장한 스타트업 투자에 보다 더 적극적으로 참여하는 경향이 있다. 하지만 액셀러레이터 설립의 역사가 오래되지 않아, 관련 연구는 비교적 다양하지 않은 편이다. 이에 본 연구에서는 엔젤투자자, 벤처캐피탈과 다른 액셀러레이터의 특징이 무엇인지 분석하고, 특히 액셀러레이터가 스타트업 투자의사결정시 영향을 미치는 요인에는 어떤 것들이 있는지 렌즈모델을 통해 알아보고자 한다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제11권7호
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• pp.2371-2385
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• 2010

IT 창업 기업이 창업 초기 단계를 지나 성공적으로 성장 단계에 진입 할 수 있는 성공 요인은 무엇일까? 고용 없는 성장의 지속과 경제 침체는 고용 상황을 악화시키고 있다. 일자리를 창출하고 경제적 격차를 줄이기 위한 방안의 하나로 창업이 제시되고 있다. 창업에 대한 연구와 정부 정책의 지원은 이미 오래 전부터 시행되어왔다. 창업 이후 초기 단계 기업의 성장과 존속에 대한 연구는 성장 단계를 지나 상장 단계에 이른 기업에 대한 것과 비교하여 양적, 질적으로 미미하다. 따라서 본 연구는 창업 초기 단계의 기업이 성장과 존속을 하기 위해 필요한 요인에 대해 사례를 통해 탐색한다. 창업 초기 단계에서 IT 창업 기업의 성장과 존속 성공 요인에 대한 연구와 모델을 제안하고, 모델을 실증하기 위해서 사례 연구를 실시했다. 사례 연구의 대상 기업은 제조업의 특성을 가진 하드웨어 관련 개발 기업 군과 소프트웨어 개발 기업군으로 분류하였다. 정부 출연 사업에 선정 되어 성공적으로 과제를 수행하여 최종 완료평가에서 성공 판정을 받는 것은 창업 초기 단계의 IT 창업 기업에게는 성장과 존속의 실체적인 증명이라 할 수 있을 것이다. IT 창업 기업의 초기 단계 성장과 존속에 영향을 미치는 요인은 내부적 요인, 외부적 요인, 성장 단계의 특성에 따른 요인, 종합적 요인으로 나눌 수 있다. 본 연구의 결과는 IT 창업 기업의 예비 창업 교육 프로그램 및 컨설팅 가이드라인 개발, 지원정책 수립 등에 활용될 수 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.209.1-209.1
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• 2013

GaP는 가시광선 발광다이오드을 얻을 수 있는 적절한 재료중의 하나로 해당영역의 파장에 대하여 높은 양자효율을 얻을 수 있고, 깊은 준위 재결합이 없기 때문에 GaP 녹색 및 As 첨가한 GaAsP 적색 LED 에 적용할 수 있습니다. 또한, 상온에서 2.2 eV 에 해당하는 넓은 에너지 밴드갭을 가지고 있으므로, 소음이 없는 자외선 검출기에도 적합합니다. 이 물질에 대한 소자들은 기존에 GaP 기판을 사용하였습니다. 최근, GaP 와 격자상수가 비슷한 Si 기판을 활용하여 그 위에 성장하는 방법에 대한 관심이 많아졌습니다. Si는 물리적 및 화학적으로 안정하고 딱딱한 소재이며 대면적 기판을 쉽게 얻을 수 있어 전자 기기 및 대규모 집적 회로의 좋은 소재입니다. Si 와 대조적으로 GaP은 깨지기 쉬운 재료이며 GaP 기판은 Si와 같은 대면적 기판을 얻을 수 없습니다. 이러한 문제의 한 가지 해결책은 Si 기판위에 GaP 층의 성장입니다. GaP 과 Si의 조합은 현재의 광전소자 들에 더하여 더 많은 응용프로그램들을 가능하게 할 것입니다. 그러나, Si 기판위에 GaP 성장 시 삼차원적 성장 및 역위상 경계면과 같은 문제점들이 발생하므로 질이 높고 균일한 결정의 GaP 를 얻기가 어렵습니다. 따라서, Si 에 GaP 의 성장시 초기 단계를 제어하는 성장 기술이 필요합니다. 본 연구에서는, 유기금속화학증착법을 이용하여 Si 기판위에 양질의 GaP를 얻을 수 있는 최적의 성장조건을 얻고자 합니다. 실험 조건은 Si에 GaP의 에피택셜 성장의 초기 단계에 영향을 주는 V/III 비율, 성장압력, 기판방향 등을 가변하는 조건으로 진행하였습니다. V/III 비율은 100~6400, 성장 압력은 76~380 Torr로 진행하였고, Si 기판은 just(001)과 2~6도 기울어진 (001) 기판을 사용하였습니다.

• 오리마을
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• 제63권9호
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• pp.56-59
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• 2008

육용오리는 가급적 적은 사료를 이용하여 성장속도를 최대한 빠르게 하는 동시에 체지방이 필요 이상 축적되지 않은 우수한 육질이 되도록 사육하는 것이 중요하다. 오리는 어릴 때 발육속도가 빠르므로 사료 중 단백질 수준이 오리의 발육, 특히 초기 성장기의 중체량에 크게 영향을 미친다. 첫 2주간에 최대한 증체를 위해서는 22% 단백질사료를 급여해야 하며, 오리가 성장함에 따라 단백질 요구량은 점차 감소하게 된다. 그러나 오리의 육성기 전기간을 16% 수준의 단백질사료를 급여하더라도 사양환경이 좋으면 출하체중에는 영향이 없게 된다. 즉, 육성초기에는 단백질 급여량의 부족으로 성장이 떨어지게 될지라도 후기에 가서는 쉽게 이를 회복하는 능력이 있다.

• 전자통신동향분석
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• 제17권4호통권76호
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• pp.113-122
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• 2002

급속한 기술혁신과 변화 속에서 IT 벤처기업은 국가의 경제성장과 발전을 이끄는 원동력으로 작용하고 있다. 정부의 정책적 지원 하에서 벤처기업은 양적으로도 엄청난 규모로 성장하였다. 그럼에도 창업초기에 있는 벤처기업들은 예전과 마찬가지로 그들이 직면한 시장의 비효율성으로 인해 쉽게 어려움에서 벗어나지 못하고 있다. 본 연구는 창업초기 IT 벤처기업들이 겪고 있는 애로요인들을 시장 효율성과 시스템적 관점에서 접근함으로써 IT 벤처기업의 질적 성장을 위한 정책적 해결점을 찾아 보고자 한다.

• 한국정보처리학회논문지
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• 제6권9호
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• pp.2343-2349
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• 1999

최근에 개발되어 성공적으로 적용되고 있는 초기하분포 소프트웨어 신뢰성 성장 모델은 이 모델에서 중요한 역할을 하는 반응계수(sensitivity factor)를 추정 대상인 모수로 가정하고 있다. 본 논문은 먼저 디버깅과정의 무작위성을 반영하기 위해 반응계수를 이항분로를 하는 확률변수로 가정하여 초기하분포 신뢰성 성장 모델을 일반화한다. 이러한 일반화는 초기하분포 소프트웨어 신뢰성 성장 모델의 통계적 특성을 쉽게 파악할 수 있게 한다. 특히 일반화 된 모델의 모수를 최소자승법으로 추정하면 기존 모델에 최소자승법을 적용한 것과 같은 결과를 얻을 수 있음을 보이고, 더불어 최우추정치를 최소자승법으로 구하는 방법과 예측방법도 제시한다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제6권5호
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• pp.446-453
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• 1993

초기충진압력이 서로 다른 시편에 가한 가압횟수와 열처리시간의 혼합공정이 임계전류밀도 특성에 미치는 영향을 관찰하기 위하여 power-in-tube방법으로 초전도 선재를 제조하였다. 일정 초기충진압력에서 테이프화를 위한 열처리 및 가압이 혼합공정횟수가 증가할수록 임계전류밀도가 증가하였다. 초기충진압력이 1000kg/$cm^{2}$에서 Bi-2223 고온상 체적비가 가장 높게 나타났고 결정립이 판상으로 성장되었을 뿐만 아니라 C축과 직각방향으로 잘 배양되어 있음을 관찰할 수 있었다. 특히 초기충진압력 1000kg/$cm^{2}$의 시편을 두께를 줄이기 위하여 3회 가압하고 450시간 열처리하였을때 임계전류밀도가 5800A/$cm^{2}$를 나타내었으며 이를 중심으로 500, 2500kg/$cm^{2}$이 양측단으로 가우시안분포를 보였다. 결론적으로 시편의 임계특성은 적정 초기충진압력, Bi-2223 고온상 체적비, 테이프화를 위한 가압횟수, 결정의 일방향배열, 결정립의 성장등에 강하게 의존함을 알 수 있었다.

• 한국산업안전학회:학술대회논문집
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• 한국안전학회 1998년도 춘계 학술논문발표회 논문집
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• pp.57-62
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• 1998

구조물이나 기계요소내의 결함이 성장하여 파손(Failure)에 이르는 현상은 공학분야에서 중요하게 평가되어 오고 있다. 반복적으로 변하는 응력에 의하여 결함이 초기 성장을 거쳐 재료의 파손에 이르게 되는 과정인 피로파괴는 파괴역학의 한 중요한 분야이다. 이에, 본 연구에서는 열처리의 특성상 부식환경에 매우 민감한 Al-Zn-Mg-Cu Alloy 7075에 대하여 Peak Aged T65l Tempering을 실시한 Al-Alloy 7075-T65l에 대하여 각기 환경(대기, 물, 해수)의 변화가 부식피로균열성장에 미치는 영향과 부식환경에서의 긴 균열(Long Crack)과 짧은 균열(Short Clark)의 부식피로균열 성장특성을 비교, 고찰하여 초기균열의 잠재시간과 안정성장 시간을 예측하여 구조물의 수명예측 및 안전성 평가에 기여 할 수 있는데 목적이 있다. (중략)

• 한국벤처창업학회:학술대회논문집
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• 한국벤처창업학회 2017년도 춘계학술대회
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• pp.22-22
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• 2017

소셜벤처는 기존의 일반적인 벤처기업과 달리 기술, 경영 혁신 등의 방법으로 경영 활동을 수행하는 기업 형태에 사회적 가치를 추구해야 하는 기업 형태를 결합한 조직이다. 소셜벤처에게는 창업 초기의 전략 수립과 이에 따른 비즈니스 모델 설정이 일반 벤처보다 더 어려울 수밖에 없는데 이는 소셜벤처들이 경제적 가치 추구와 함께 사회적 가치를 동시에 추구해야 하는 소셜벤처만의 이중적인 사업 목적을 가지고 있기 때문이다. 이런 이중적인 사업 목적을 달성하기 위한 새로운 또는 효과적인 사업 전략의 필요성이 대두되고 있으며, 관련 그룹들을 플랫폼에 모아 네트워크 효과를 창출하고 새로운 기업생태계를 구축하는 플랫폼 전략(Platform Strategy)이 주목된다. 본 논문에서는 국내 소셜벤처중에 점프!라는 기업의 사례를 주목하게 되는데 이 회사는 2011년 5월에 창업한 이래 현재까지 지난 7년동안 사업의 내용과 규모를 확장하면서 지속적인 성장을 이루어 냈기 때문이다. 그런데 이러한 성장의 배경에는 타 소셜벤처가 시도하지 않았던 플랫폼 전략을 시도하여, 다양한 참여자들을 유인하고, 이들이 새로운 혁신과 성장을 리드하였다는 것이 큰 작용을 했다는 사실이 존재한다. 본 논문을 통해 소개되는 소셜벤처 점프!의 창업과 성장 사례를 통해서 소셜벤처에게 창업 초기부터 플랫폼 전략을 적용하는 것이 지속 가능한 성장에 유의미한 효과를 발생시키는지를 알아보고 기업생태계를 넘어 사회전체적인 생태계를 통한 사회적 대공진화를 논의해 보고자 한다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2016년도 추계학술대회 논문집
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• pp.180-180
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• 2016

보론이 도핑된 $3{\times}3cm$ 크기의 p 형 다결정 실리콘 기판의 표면을 경면연마한 후, 다이아몬드 입자의 seeding을 위해 슬러리 중 다이아몬드 분말의 입도를 5 nm로 고정하고 초음파 전처리 공정을 진행한 후, 다이아몬드 박막을 증착하였다. 다이아몬드 증착은 Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition 장비를 이용하였으며, 공정 조건은 초기 진공 $10{\times}10^{-3}Torr$, 공정 가스 비율 $Ar:CH_4=200:2$, 가스 유량 202 sccm, 공정압력 90 Torr, 마이크로웨이브 파워 600 W, 기판 온도 $600^{\circ}C$이었다. 기판에 DC bias 전압을 인가하는 것을 공정 변수로 하여 0, -50, -100, -150, -200 V로 변화시켜가며, 0.5, 1, 2, 4 h 동안 증착을 진행하였다. 주사전자현미경과 XRD, AFM, 접촉각 측정 장비를 이용하여 증착된 다이아몬드 입자와 막의 특성을 분석하였다. 각 bias 조건에서 초기에는 다이아몬드 입자가 형성되어 성장되었다가 시간이 증가될수록 연속적인 다이아몬드 막이 형성되었다. Table 1은 각 bias 조건에서 증착 시간을 4 h까지 변화시키면서 얻은 다이아몬드 입자 또는 박막의 높이(두께)를 나타낸 것이다. 2 h까지의 공정 초기에는 bias 조건의 영향을 파악하기 어려운데, 이는 bias에 의한 과도한 이온포격으로 입자가 박막으로의 성장에 저해를 받는 것으로 사료된다. 증착시간이 4 h가 경과하면서 -150 V 조건에서 가장 두꺼운 막이 성장되었다. 이는 기판 표면을 덮은 다이아몬드 박막 위에서 이차 핵생성이 bias에 의해 촉진되기 때문으로 해석된다. -200 V의 조건에서는 오히려 막의 성장이 더 느렸는데, 이는 Fig. 1에 보이듯이 과도한 이온포격으로 Si/diamond 계면에서 기공이 형성된 것과 연관이 있는 것으로 보인다.