• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.167-167
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• 2012

Aluminium-zinc-tin oxide (AZTO) 박막 트랜지스터는 Spin-coating 방법으로 제작되었다. AZTO용액의 용매는 2-Methoxyethanol, 용질은 각각 Aluminium nitride, Zinc acetate dihydrate, Tin chloride가 사용되어 제작되었다. 용액의 안정성을 위해서 미량의 Mono ethyl amine이 첨가되었다. 용액의 Zn:Sn의 몰 비율은 1 : 1로 고정 되었으며 Al의 mole비를 다양하게 늘리면서 실험을 진행하였다. 이렇게 만들어진 AZTO용액은 3,000 rpm으로 30초간 Spin-coating하였으며 이후 Furnace system을 통하여 $500^{\circ}C$의 온도로 1시간 동안 후열처리 공정을 진행하였다. AZTO박막을 활성층으로 제작된 박막 트랜지스터는 Al의 비율이 늘어남에 따라 처음엔 이동도가 증가하였으나 이후 이동도가 낮아지며 소자특성이 나빠지는 것을 보였다. 이러한 현상의 원인을 알아보고자 물리적, 전기적, 광학적 분석을 통해서 Al양의 변화가 박막트랜지스터 구동에 미치는 영향을 해석하였다. 먼저 AZTO용액은 열중량측정/시차열분석법(Thermo Gravimetry/Differential Thermal Analysis)을 이용하여 spin-coating 이후 후 열처리 온도 결정 및 박막의 변화를 관찰하였으며, X-선 분광(X-ray photoelectron spectroscopy)을 이용하여 박막의 조성 및 전자구조의 변화를, 타원분광해석법(Spectroscopic Ellipsometry)분석을 통하여 밴드 갭과 전도대 이하 밴드 갭 내에 존재하는 결함상태변화를 관찰하였다. AZTO 박막 내의 Al양을 조절하는 것은 박막내의 에너지 준위의 변화를 야기하고 그로인해 박막트랜지스터의 특성을 변화킨다는 결과를 도출하였다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.6 no.1
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• pp.23-29
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• 1999

An yttria-stabilized zirconia(YSZ) thin film on a porous NiO-YSZ substrate for an anode support type solid oxide fuel cell(SOFC) was prepared by an electrophoretic deposition(EPD). Deposition condition and film properties in order to obtain the homogeneous YSZ thin film from the EPD solution with different polarity were studied. In different case of alcohol solution, hydrogen gas was produced in aqueous solution from the electrolyte reaction under constant current above 0.138 mA /$\textrm{cm}^2$.Its reaction generated the bubble-formed defect in the deposited film and decreased weight of the film. The homogeneous YSZ thin film was formed in alcohol solution at a constant current, 0.035 mA /$\textrm{cm}^2$ for 10 s.

• Journal of Korean Society of Transportation
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• v.17 no.2
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• pp.69-79
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• 1999

This study evaluated the chance of driver's Psychophysiological load of occipital lobe at freeway merging area and compared with basic driving section. Ten persons of 8 men and 2 women were investigated at 3 basic section and 3 merging areas on the Youngdong freeway. It is found that driver's load in acceleration lane before merging is 2.21 times higher than the basic driving section. Further, driver's load for merging was maintained fur 4 seconds after merging. Particularly, driver's highest loading point in merging behavior was found to be 80m from the gore area.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.03a
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• pp.211-211
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• 2003

PbTiO$_3$ 씨앗층을 이용하여 완화형 강유전체 Pb(Mg$_{1}$3/Ta$_{2}$3/)O$_3$ (PMT) 박막의 페로브스카이트 상안정화와 열처리 조건에 따른 미세구조변화, 이에 따른 전기적 특성 변화에 관하여 조사하였다. PbTiO$_3$ 박막을 스핀코팅법으로 3000 rpm에서 20초간(111) 방향으로 배향된 Pt / Ti / SiO$_2$/ Si 기판에 증착하여 안정화된 페로브스카이트 박막을 얻었다. 이렇게 제조된 PbTiO$_3$를 Buffer 층으로 사용하고 그 위에 Pb(Mg$_{1}$3/Ta$_{2}$3/)O$_3$를 박막을 Spin coating방법으로 증착한 후, 급속열처리 방법(RTA)으로 550- $650^{\circ}C$ 사이에서 열처리하였다. 제조된 박막의 열처리 온도에 따른 미세구조 변화와 결정성을 XRD, SEM, TEM으로 분석하였고 박막의 저온 강유전 특성을 RT66A를 이용하여 평가하였다. Pb(Mg$_{1}$3/Ta$_{2}$3/)O$_3$ 박막의 경우 씨앗층이 없는 경우에는 pyrochlore상이 주상이었지만 씨앗층을 사용한 경우 페로브스카이트 상이 주상임을 확인하였고 열처리 온도가 증가할수록 페로브스카이트상의 상대적 양이 증가함을 확인하였다. 미세구조와 상의 변화에 따른 전기적 특성 변화에 관하여 자세하게 논의할 것이다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.03a
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• pp.112-112
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• 2003

최근 자성반도체(diluted magnetic semiconductor; DMS)를 이용한 소자 개발이 가긍해짐에 따라 국내외에서 활발한 연구가 이루어지고 있다. 본 연구실에서는 GaN-단일전구체를 이용하여 상온에서 자기적 특성을 나타내는 p-type GaMnN를 성장시켰다 극한 환경에서의 자성반도체 재료의 물성 변화를 알아보기 위해, 본 연구에서는 세계 최초로 중성자 빔의 조사에 따른 자성반도체의 구조적, 자기적 특성 및 열처리에 따른 특성 변화를 관찰 및 분석하였다. Molecular beam epitaxy(MBE)를 이용하여 Mn cell 온도가 각각 77$0^{\circ}C$, 94$0^{\circ}C$인 GaMnN 박막을 성장시켰다. 성장된 박막 시편에 한국원자력연구소 하나로 HTS공에서 중성자 빔을 각각 20min(4.17$\times$$10^{16}$n/$\textrm{cm}^2$), 24hour(3.0$\times$$10^{18}$n/$\textrm{cm}^2$)씩 조사하였다 중성자 빔을 조사한 시편은 진공분위기 하에서 100$0^{\circ}C$, 30초간 열처리하였다.(rapid thermal annealing;RTA, 승온속도: 8$^{\circ}C$/sec) 중성자 빔을 조사한 GaMnN 박막의 구조적인 특성은 X-ray diffraction(XRD) 측정을 통해 관찰하였고, 박막의 자기적 특성은 superconducting quantum interference device(SQUID)를 통해 측정하였다.

• Journal of Korean Elementary Science Education
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• v.34 no.1
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• pp.131-141
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• 2015

본 연구에서는 과학 영재와 일반아의 창의적 추리과정시 나타나는 두뇌사고 패턴을 sLORETA 분석 기법을 통해 분석하고, 신경생리적 특성을 파악하여 과학 영재아 판별의 기초와 활용 가능성을 알아보는 것이다. 본 연구를 위한 대상자는 과학영재아 6명과 동일 학군 및 학년에 속한 일반아 6명으로 총 12명의 오른손잡이로 하였다. 창의적 추리과정을 위해 사용된 과제는 레이븐 도형점진행렬검사를 사용하였고, 안정상태와 과제 수행간 뇌파를 측정하였다. 뇌파는 19개의 전극을 통해 수집된 16초간의 데이터를 통해 분석하였으며, sLORETA 분석 기법을 통해 8개의 주파수 대역(Delta, Theta, Alpha-1/2, Beta-1/2, Gamma, Omega)에 대한 평균 전류밀도값을 그룹별로 비교하였다. 그룹간 두뇌 활성 주파수 대역을 비교한 결과 눈감고 안정 상태에서 과학영재아가 일반아에 비해 알파-2 대역에서, 레이븐 과제 수행시 과학 영재아가 일반아에 비해 알파-1과 감마 대역에서 강한 활성이 관찰되었다. 연구 결과 나타난 알파 및 감마 대역 활성과 우반구로의 기능적 편측화(Lateralization)는 창의적 문제 해결시 영재아에게 나타나는 대표적 특성 중 하나이며, 배외측전전두피질(DLPFC)의 활성은 과학영재아의 높은 유동지능을 반영하는 결과라 볼 수 있다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.4 no.2
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• pp.177-182
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• 1995

저잡음 HEMT소자 제작을 위한 에피택셜 기판을 MBE방법을 이용하여 $In_{0.53}Ga_{0.47}As/In_{0.52}AI_{0.48}$As/InP 물질계로 성장하였다. 기판온도의 변화, 채널층과 격리층 사이의 성장 일시 멈춤 등의 성장 조건 변화에 따른 Hall 이동도의 변화를 연구하였다. 전자 공급층을 Si으로 델타도핑한 결과 같은 조건에서 성장기판의 온도를 $520^{\circ}C$에서$ 540^{\circ}C$로 증가시키면 실온의 전자이동도는 7,850$\textrm{cm}^2$/Vsec으로 증가하였으며, 격리층과 채널층 사이에서 약 50초간 성장중 채널층의 표면 adatom의 surface migration 시간을 충분히 제공하여 결정결함의 감소로 계면의 급격성이 향상된 결과로 사료된다. 본 실험을 통하여 얻은 최고 이동도 값은 격리층의 두께가 $100\AA$인 경유에 상온 측정결과 $11,400\textrm{cm}^2$/vsec 및 77K 측정결과 $50,300\textrm{cm}^2$/Vsec이었다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.11 no.1
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• pp.16-21
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• 2002

Selective epitaxial growth(SEG) of silicon were performed at low temperature under an ultraclean environment below $1000^{\circ}C$ using ultraclean $Si_2H_6$ and $H_2$ gases ambient in low pressure chemical vapor deposition(LPCVD). As a result of ultraclean processing, epitaxial Si layers with good quality were obtained for uniform and SEG wafer at temperatures range 600~$710^{\circ}C$ and an incubation period of Si deposition only on $SiO_2$ was found. Low-temperature Si selectivity deposition condition and epitaxy on Si were achieved without addition of HCl. The epitaxial layer was found to be thicker than the poly layer deposited over the oxide. Incubation period prolonged for 20~30 sec can be obtained by $O_2$addition. The surface morphologies & cross sections of the deposited films were observed with SEM, The structure of the Si films was evaluated XRD.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.21 no.3
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• pp.104-107
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• 2011

We measured signals at the "Guan" region of a radially arterial pulse using the prototype of a clamping pulsimeter equipped with a Hall effect device, which is passed signals through the voltage detecting hard ware system. The important four different measuring times of the period, systolic, reflective, and notch peaks for a temporally pulse signal are obtained and compared each other from the analysis for an arbitrary pulse wave of one position of small size permanent magnet. It is possible to measure the reproducible pulse rate and blood pressure by using the cuffless clip type pulsimeter without an unpleasant oppressive feeling due to the use of pressurization.

• Physical Therapy Korea
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• v.8 no.4
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• pp.71-80
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• 2001

근위축성 측색 경화증 (amyotrophic lateral sclerosis: ALS) 환자에게 있어 호흡기능장애는 죽음에 이르게 하는 주요 원인 중 하나이다. 본 연구는 근위축성 측색 경화증이 있으며 호흡기능이 약화되어 있는 51세의 여성 환자를 대상으로 호흡운동 치료를 시행한 후 폐기능(pulmonary function)이 증진되었는지를 알아보고자 실시하였다. 연구 대상자는 6주간의 호흡운동 치료 프로그램에 참여하였다. 호흡운동 치료 프로그램은 횡경막 호흡(diaphragmatic breathing), 복부근육강화(abdominal mu scles strengthening), 지갑입술 호흡(pursed lip breathing), 그리고 동기 유발성 흡기폐활량계(incentive spirometer)를 이용한 흡기운동 등으로 구성되었다. 폐기능 검사는 이동식 호흡측정기(spirometer: MICROSPIROHI-198)를 이용해서 시행하였다. 또한 하지 에르고미터(cycle- ergometer)를 이용해 운동 시간을 측정함으로써 폐기능의 증진 여부를 알아보았다. 연구 대상자는 6주간의 호흡운동 치료 기간 동안 노력성 폐활량(forced vital capacity: FVC)과 정상 예측치에 대한 노력성 폐활량의 비율(percentage of the predicted forced vital capacity: %FVC), 그리고 하지 에르고미터의 운동 시간에 있어 현저한 증가를 보였다. 그러나 노력성 폐활량에 대한 1초간 노력성 폐활량 비(FEV1/ FVC)에 있어서는 약간의 감소를 보였다. 근위축성 측색 경화증 환자에게 6주간의 호흡운동 치료를 실시한 결과, 폐기능의 증진에 효과적임을 알 수 있었으며, 앞으로 더 많은 연구 대상자에게 그 효과를 알아보는 연구가 필요할 것이다.