Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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1998.05b
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pp.231-236
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1998
원자력 발전소의 핵연료 피복관 재료로 사용되고 있는 Zr합금의 부식특성에 미치는 Sn의 영향을 조사하기 위해 Sn 함량을 0.5, 0.8, 1.5, 2.0wt.%로 조절한 Zr-xSn 2원계 합금과 Zr-0.4Nb-xSn 3원계 합금을 제조하여 36$0^{\circ}C$ 물 분위기의 mini-autoclave에서 부식실험을 수행하였다. 2원계 합금에서 Sn이 0.5, 0.8, 1.5wt.% 첨가된 합금에서는 15일에서 속도천이가 발생한 후 급격한 부식 가속 현상이 나타났으나, 2.0wt.%가 첨가된 합금에서는 100일까지 부식 실험에서도 천이 현상을 보이지 않는 매우 높은 부식 저항성을 보였다. 그러나 3원계 합금에서는 2원계 합금과는 달리 40일 시험에서도 모든 합금들이 속도 천이 현상을 보이지 않고 천이전 영역에서의 부식 거동을 보이며, Sn 함량 변화에 따른 부식 속도의 차이를 감지할 수 없었다. 이러한 경향은 2원계 합금과 3원계 합금에서 Sn의 고용도 차, 미량 첨가된 Nb의 영향 및 석출물의 특성과 관련이 있는 것으로 사료된다. 또한 수소 흡수율면에서도 Sn 함량 변화에 따라 부식 거동과 비슷한 경향을 보이면서 2.0wt.%에서 가장 낮은 수소흡수율을 보였다 천이전 영역에서 산화막 구조 관찰 결과 천이전 영역의 모든 산화막에서 보호적 성질을 나타내는 tetragonal-ZrO$_2$가 관찰되었는데, tetragonal-ZrO$_2$의 분율은 Sn 함량에 따라 거의 같게 나타났다.
여러가지 Zr합금에 대한 부식시험을 autoclave를 이용하여 물과 여러가지 Li 용액에서 수행하였다. 합금은 11종의 신합금을 사용하였는데 크게 나누어 Zircaly형 합금(ZrSnFeCr), ZnNbFeCr, ZrSnNbFeCr과 ZrFeCr 합금으로 대별되며, 비교평가를 위해 표준 Zircaloy-4 합금에 대해서도 부식시험을 수행하였다.모든 합금에서 Li을 일정농도이상 첨가할 때 부식은 가속되는데, 부식은 Li의 농도가 2.2와 30ppm 사이일 때 가속되기 시작한다. Li은 부식거동에 있어서 천이후 영역에서의 부식속도보다는 천이시간과 무게 증가량에 더 영향을 끼치는 것으로 나타났다. 수소 흡수율은 Li 농도와 합금에 따라서 강하게 영향을 받는것으로 나타났으며, Li 농도가 30ppm이상에서는 Li 가속부식과 함께 Li가속 수소흡수현상이 나타났다. ZrSnFeCr합금들은 낮은 부식속도와 늦은 천이현상을 보이며 표준 Zircaloy보다 훨씬 우수한 부식저항성을 보인 반면에 대부분의 Nb첨가 합금은 높은 부식속도와 빠른 천이 현상을 보였다.
Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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1995.05b
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pp.623-628
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1995
여러 가지 Zr합금에 대한 부식시험을 autoclave를 이용하여 물과 여러 가지 Li 용액에서 수행하였다. 합금은 11종의 신합금을 사용하였는데 크게 나누어 Zircaloy형 합금(ZrSnFeCr), ZrNbFeCr, ZrSnNbFeCr과 ZrFeCr 합금으로 대별되며, 비교평가를 위해 표준 Zircaloy-4 합금에 대해서도 부식시험을 수행하였다. 모든 합금에서 Li을 일정농도이상 첨가할 때 부식은 가속되는데, 부식은 Li의 농도가 2.2와 30 ppm 사이일 때 가속되기 시작한다. Li은 부식거동에 있어서 천이후 영역에서의 부식속도 보다는 천이시간과 무게 증가량에 더 영향을 끼치는 것으로 나타났다. 수소흡수율은 Li 농도와 합금에 따라서 강하게 영향을 받는 것으로 나타났으며, Li 농도가 30 ppm 이상에서는 Li 가속부식과 함께 Li가속 수소흡수현상이 나타났다. ZrSnFeCr합금들은 낮은 부식속도와 늦은 천이현상을 보이며 표준 Zircaloy보다 훨씬 우수한 부식저항성을 보인 반면에, 대부분의 Nb첨가 합금은 높은 부식속도와 빠른 천이 현상을 보였다.
This paper considered the structural mechanism of transitional boundary layer by the experimental approach. In order to measure the turbulence quantity in the boundary layer, we made a wind tunnel with 400${\times}$190${\times}$2500 mm test section and a flat plate with well fabricated leading edge. Hot wire anemometer was used for acquiring the continuous turbulence signal which is processed by special software. The results of experiment show that the region where turbulence spot is dominant moves from near wall to overall layer and thus the anisotropy of velocity fluctuation shows so large value. Also the turbulence energy originally contained in low frequency band comes up to the high frequency band. Finally the turbulence model needs minimum two length scales to consider the pre-transition region.
Park, Jae-Young;Kim, Woo-Gon;Ekaputra, I.M.W.;Kim, Seon-Jin;Kim, Eung-Seon
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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v.39
no.12
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pp.1257-1263
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2015
A correlation between the transient regime and steady state regime on the creep crack growth (CCG) for Grade 91 steel, which is used as the structural material for the Gen-IV reactor systems, was investigated. A series of CCG tests were performed using 1/2" CT specimens under a constant applied load and at a constant temperature of $600^{\circ}C$. The CCG rates for the transient and steady state regimes were obtained in terms of $C^*$ parameter. The transient CCG rate had a close correlation with the steady-state CCG rate, as the slope of the transient CCG data was very similar to that of the steady state data. The transient rate was slower by 5.6 times as compared to the steady state rate. It can be inferred that the steady state CCG rate, which is required for long-time tests, can be predicted from the transient CCG rate obtained from short-time tests.
Lee, Hyuk;Kim, Young Ju;Byun, Yung Hwan;Park, Soo Hyung
Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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v.44
no.6
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pp.477-483
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2016
Velocity profiles of laminar, transition and turbulent boundary layers were investigated by using Particle Image Velocimetry(PIV) measurements on the flat plate at Mach 2.96. The Schlieren visualization and PIV measurements are also used to confirm whether the oblique shock wave generated from the leading edge affects the flow field over the flat plate. The laminar velocity profile measured from the experiment was well matched with the compressible Blasius solution. The velocity profile of the transition boundary layer was well correlated with the theoretical turbulent velocity profile from near the wall and the transition began from Re = $1.41{\times}106$. For the turbulent boundary layer, considering compressibility effects, the Van Driest-transformed velocity satisfies the incompressible log-law. It is found that the log region is extended farther in the wall-normal direction compared to the log region in incompressible boundary layer.
This paper presents the calculation methods of liquid release rate in the transition region when hazardous materials leak from the pipeline due to an unwanted accident. For the laminar and turbulent flow region, liquid release rate from a pipeline can be calculated by using a commercial software or by using calculator based on the models(equations) suggested by Crowl and Louvar et al. However, there has been no corresponding model for the transition flow region. In this paper. we showed that the turbulent model may be used as an equation generally used in the transition region for conservative hazard analysis if safety factor $30\%$ is added to the value calculated by the turbulent model. In this regard, we first calculated the release rate from liquid pipeline in the transition region by using experimental data on Fanning friction factor depending on Reynolds number which Lap-Mou Tam et al. had introduced, then compared it with that of the laminar and turbulent models in transition region.
The Proceedings of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.5
no.4
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pp.60-68
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1991
마이크로프로세서를 이용한 전동기 제어 시스템에서 속도는 연속되는 두 펄스 사이의 시간을 정하는 방법(T기법)과 단위 시간당 펄스 발생기로부터 나온 펄스의 수를 계수하는 방법(M기법)을 이용하여 측정 할 수 있다. 전류 모드와 속도 모드로 구성된 병렬 루프 시스템(parallel loop system)에서의 제어 모드는 속도 모드로 천이되고, 속도 오차가 허용 오차 보다 크다면 제어 모드는 전류모드로 천이 된다. 본 논문은, DC 전동기의 제어 시스템에 마이크로프로세서를 사용함으로써 고속 응답 속도 제어(regulating) 시스템을 새로운 제어 방법으로 실현하였다.
Flight tests on flight control performance of helicopter, conversion and airplane mode for the Smart UAV were completed. Automatic take-off and landing, automatic return home as well as automatic approach to hover were performed in helicopter mode. Climb/descent, left/right turn using speed and altitude hold mode were performed in each $10^{\circ}$ tilt angle in conversion mode. The rotor speed in airplane mode was reduced to 82% from 98% RPM in order to increase rotor efficiency with reducing Mach number at tip of rotors. It reached to the designed maximum speed, $V_{TAS}$=440 km/h at 3 km altitude. This paper presents the flight test result on full envelopment of Smart UAV. Detailed test plan and test data on control performance were also presented to prove that all data meets the flying qualities requirement.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.26
no.2
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pp.94-101
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1989
Transport properties of 2DEG at AlGaAs/GaAs interface such as average electron energy, flight distance, each valley occupancy ratio, average electron velocity for various fields are investigated by MONTE-CARLO method. As the electric field increases, more electrons transit drastically from (000) valley to (000) upper valley. This phenomenon shows the nonstationary effect such as velocity overshoot. The duration of the transient decreases from about 1.4 psec for electric field E = 7KV/cm to about 0.7 psec for 12KV/cm. The average electron velocity during transient transport in 2DEG is about 8 times the steady-state velocity for E = 12KV/cm at room temperature. In comparison with bulk GaAs the peak velocity in the 2DEG is higher than that in even pure bulk GaAs at electric field E = 7 KV/cm. On the basis of the fact that the electrons in the 2DEG have larger peak velocity and shorter transient time of velocity than those in the bulk GaAs, it is suggested that the device with 2DEG may obtain higher mobility than that with bulk GaAs.
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