• 제목/요약/키워드: 채널 효과

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채널길이 및 두께 비에 따른 비대칭 DGMOSFET의 드레인 유도 장벽 감소현상 (Drain Induced Barrier Lowering for Ratio of Channel Length vs. Thickness of Asymmetric Double Gate MOSFET)

  • 정학기
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2015년도 춘계학술대회
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    • pp.839-841
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    • 2015
  • 본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널길이와 채널두께의 비에 따른 드레인 유도 장벽 감소 현상의 변화에 대하여 분석하고자한다. 드레인 전압이 소스 측 전위장벽에 영향을 미칠 정도로 단채널을 갖는 MOSFET에서 발생하는 중요한 이차효과인 드레인 유도 장벽 감소는 문턱전압의 이동 등 트랜지스터 특성에 심각한 영향을 미친다. 드레인 유도 장벽 감소현상을 분석하기 위하여 포아송방정식으로부터 급수형태의 전위분포를 유도하였으며 차단전류가 $10^{-7}A/m$일 경우 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상단게이트 전압을 문턱전압으로 정의하였다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 단채널효과를 감소시키면서 채널길이 및 채널두께를 초소형화할 수 있는 장점이 있으므로 본 연구에서는 채널길이와 두께 비에 따라 드레인 유도 장벽 감소를 관찰하였다. 결과적으로 드레인 유도 장벽 감소 현상은 단채널에서 크게 나타났으며 하단게이트 전압, 상하단 게이트 산화막 두께 그리고 채널도핑 농도 등에 따라 큰 영향을 받고 있다는 것을 알 수 있었다.

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멀티 채널 전략을 통한 CRM 효과

  • 이광재
    • 한국데이타베이스학회:학술대회논문집
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    • 한국데이타베이스학회 2002년도 추계 컨퍼런스: 기업경쟁력 강화를 위한 디지털 컨텐츠 및 정보기술 컨퍼런스
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    • pp.463-493
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    • 2002
  • Siebel Partner Relationship Management(PRM)은 대리점이 효과적으로 상품과 서비스를 처리할 수 있게 함. 브랜드 오너 및 보험업자 관점: - 순조로운 파트너와의 협조 및 업무 - 채널 효과 극대화 - 파트너 성과 분석 (중략)

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이동 통신 채널에서 동일 채널 간섭 제거 기법에 의한 Multi-Carrier CDMA 시스템의 성능 분석 (Performance Analysis of Multi-Carrier CDMA System by Co-Channel Interference Cancellation Technique in Mobile Communication Channel)

  • 박기식;조성언
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2001년도 추계종합학술대회
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    • pp.327-330
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    • 2001
  • 본 논문에서는 Multi-Carrier CDMA 시스템 성능 열화의 주요 원인인 다중 접속 간섭 (MUI : Multi-User Interference)이 존재하는 이동 통신 채널 환경에서 MU 제거를 위한 성능 개선 기법으로 동일 채널 간섭 제거기를 적용하여 성능 개선 정도를 평가하였다. 성능 해석 결과, 동일 채널 간섭 제거기를 적용함에 의해 BER 성능이 매우 개선되며, 특히 E$_{b}$/N$_{o}$ 값을 높일수록 성능 개선 효과가 현저히 나타남을 알 수 있었다. 예를 들어 E$_{b}$/N$_{o}$ =12 dB로 데이터 서비스 (BER = $10^{-5}$)를 지원하고자 하는 경우, 동일 채널 간섭 제거기를 사용하지 않으면 4명의 사용자밖에 지원할 수 없지만, 동일 채널 간섭 제거기를 사용하면 약 30명의 사용자까지 지원할 수 있음을 알 수 있었다. 그리고 E$_{b}$/N$_{o}$ 를 고정시키고 동일 채널 간섭 제거기를 적용하면 BER면에서 약 5$\times$$10^{-3}$ 정도의 성능 개선 효과가 나타남을 알 수 있었다.

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짧은 채널 효과를 감소시키기 위한 이온주입 변수의 조절

  • 유종선;김여환
    • ETRI Journal
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    • 제9권1호
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    • pp.97-103
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    • 1987
  • 짧은 채널($L<1\mum$) MOSFET의 전기적 변수, 특히 문턱전압(threshold voltage)을 최적화시키기 위하여 분석적 문턱전압 모델을 개발하였다. 채널 영역에서의 붕소profile은 계단 (step) profile로 근사시켜 표면전하층과 기판전하층으로 구성하였다. 최대공핍층내에 있는 두 전하층의 각각에 대하여 기하학적으로 근사시킨 전하분배(charge sharing)모델을 적용하고 이차원적 분석을 이용하여 짧은 채널 효과를 계산하였다. 본 모델을 실험치와 비교하고 이온주입 공정의 최적조건을 이끌어내는 데 필요한 변수에 대하여 논의하였다.

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Aspect Ratio 변화에 따른 Gate-All-Around Si 나노와이어 MOSFET 의 특성 연구

  • 허성현;안용수
    • EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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    • 제5회(2016년)
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    • pp.365-367
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    • 2016
  • 나노와이어 FET은 natural length가 작아 단채널 효과가 MOSFET에 비해 줄어든다는 장점이 있어 미래의 소자 구조로 주목 받고 있다. 그런데 나노와이어 FET을 공정할 때 채널 etching에서 채널이 완벽하게 원형 구조를 가지는 것이 어렵다. 본 논문에서는 gate-all-around 실리콘 나노와이어 FET의 aspect ratio에 따른 트랜지스터의 특성 변화를 알아 보았다. 시뮬레이션 결과, aspect ratio가 작을수록 나노와이어 FET에서의 단채널 효과가 줄어드는 경향을 보였다.

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EKLGCMC Solver와 EPNP Solver를 이용한 이온채널 내에서 이온 간 상관관계가 이온전류에 미치는 영향

  • 박다희;경윤경;주찬양;황현석
    • EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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    • 제6회(2017년)
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    • pp.64-74
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    • 2017
  • 본 연구에서는 동역학 격자기반 대정준 Monte Carlo (Kinetic Lattice Grand Canonical Monte Carlo, KLGCMC) 모의실험 방법과 Poisson-Nernst-Planck (PNP) 계산 방법을 이용하여 이온채널의 전하분포, 채널 반지름, 그리고 이온의 농도와 이온의 크기가 이온전류와 이온전도도에 미치는 영향과, 이온 간 상관관계 (correlation)가 이온전류와 이온전도도에 미치는 영향을 조사하였다. 이로부터 이온 간 상호작용에 의해 이온 이동에 제약이 가해지는 이온 간 상관관계 효과는 채널 내 이온 수가 증가할수록 커지는 것을 알 수 있었다. 또한, 평균장 이론에 기반한 PNP 이론은 이온 간 상관관계 효과를 적절하게 기술하지 못하며, 이온 간 상관관계 효과가 중요해지는 이온 채널 관련 결맞음 공명 (coherence resonance) 등 특이 현상을 연구하기 위해서는 이온 간 상관관계를 기술할 수 있는 KLGCMC 모의실험 방법이 필요함을 알 수 있었다.

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DGMOSFET에서 최적의 서브문턱전류제어를 위한 설계 (Design on Optimum Control of Subthreshold Current for Double Gate MOSFET)

  • 정학기;나영일;이종인
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2005년도 추계종합학술대회
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    • pp.887-890
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    • 2005
  • DGMOSFET는 CMOS 스케일링의 확장 및 단채널 효과를 보다 효과적으로 제어할 수 있는 유망란 소자이다. 특히 20nm이하의 도핑되지 않은 Si 채널에서 단채널 효과를 제어하는데 가장 효과적이다. 본 논문에서는 DGMOSFET의 해석학적 전송모델을 제시할 것이다. 단채널 효과를 해석학적으로 분석하기 위해 Subthreshold Swing(SS), 그리고 문턱전압 roll-off(${\Delta}V_{th}$) 등을 이용하였다. 여기서 제시된 모델은 이온방출효과와 source-drain 장벽을 통해 캐리어들의 양자 터널링을 포함하여 해석할 것이다. 여기서 제시된 모델은 gate길이, 채널두께, 게이트 산화막 두께 등을 설계하는데 이용할 것이다.

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급수를 이용한 DGMOSFET의 DIBL 특성 분석 (Analysis of DIBL Characteristics for Double Gate MOSFET Using Series)

  • 한지형;정학기;정동수;이종인;권오신
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2011년도 춘계학술대회
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    • pp.709-711
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    • 2011
  • 본 연구에서는 Double-gate MOSFET의 DIBL(Drain Induced Barrier Lowering)의 특성을 분석하기 위하여 분석학적 전송모델을 사용하였으며 분석학적 모델을 유도하기 위하여 포아송방정식을 풀 때 급수함수를 이용하였다. 단채널 효과에서는 유효채널길이 감소와 문턱전압 감소 그리고 DIBL이 있다. DIBL은 드레인 전압 변화에 따른 문턱전압의 변화로 알 수 있다. 채널길이가 감소하면 DIBL은 감소하지만, 채널길이가 감소하면 단채널 효과가 증가한다. 본 논문에서는 채널길이에 따른 DIBL을 분석하였고, 또한 채널 두께 및 게이트 산화막의 두께에 대한 DIBL에 대하여 분석하였다.

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Rayleigh Fading 채널에서 SCCC의 반복복호에 의한 UEP 채널 부호화의 성능 분석 (Performance of UEP Channel Coding with Iterative Decoding of SCCC under Rayleigh Fading Channel)

  • 이연문;조경식;정차근
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 1999년도 추계종합학술대회 논문집
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    • pp.71-74
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    • 1999
  • 본 논문에서는 이동 무선 채널에 의한 동영상의 실시간 전송을 위해 채널 상태에 따라 터보코드의 반복 복호 횟수를 자동으로 결정한 UEP(Unequal Error Protection) 채널 부호화 방법에 대해 레일리 페이딩 채널에서의 성능을 분석한다. 이 부호화 방법은 열악한 채널 환경에서 우선 순위가 높은 정보에 보다 많은 반복 횟수가 부과되게 함으로써 헤더 정보나 움직임 벡터 등과 같이 동영상 신호의 복원에 중요한 정보에 대한 오류의 전파효과를 억제시킬 수 있다. 연집 오류의 주요인인 레일리 페이딩 채널에서 복호기의 성능을 분석하기 위해 컴퓨터 모의실험을 수행해 그 결과를 제시한다.

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3D 영상 효과를 위한 레이어 채널 이미지의 처리 기법 (Processing Techniques of Layer Channel Image for 3D Image Effects)

  • 최학현;김정희;이명학
    • 한국콘텐츠학회논문지
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    • 제8권1호
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    • pp.272-281
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    • 2008
  • 3D 영상에 이펙트를 표현할 수 있는 레이어 채널을 삽입함으로써 애플리케이션 렌더링에 효과적으로 이용하도록 한다. 현재의 이펙트 렌더링은 영상과 이펙트의 개별 처리 및 혼합의 방식을 사용하기 때문에 저장 공간과 영상 처리에 있어서 개별 소스를 필요로 하고 있다. 그러나 영상과 레이어 채널을 하나로 묶어 처리함으로써 비용 절약과 영상 처리 면에서 큰 효과를 볼 수 있다. 개발은 영상에 레이어 채널을 삽입하기 위해서 영상 포맷의 변경, 레이어 채널이 나타나지 않도록 숨김 기능 추가, 영상 로드시 영상과 레이어 채널을 동시 접근 가능하도록 제어, 영상과 레이어 채널이 쉽게 혼합될 수 있도록 간편한 알파 블렌딩 처리 등의 방법으로 영상 포맷을 변경하여 레이어 채널을 숨기는 기법, 일반 영상 뷰어에서도 변경된 포맷의 영상을 볼 수 있도록 개발, 레이어 채널과 영상을 같이 묶음으로써 재사용성을 높이고 모든 프로그램에 이용 가능하도록 만든다. 그러면 영상 로드시에 영상과 레이어 채널을 동시에 불러드림으로써 처리 속도 향상시키고 3D 영상에 레이어 채널을 삽입함으로써 레이어 채널 영상을 위한 소스 저장 공간을 줄일 수 있다. 또한 3D 영상과 레이어 채널의 영상을 한 번에 다룰 수 있게 되어 효과적인 이펙트 표현 가능하고 실제 애플리케이션이 될 수 있는 멀티미디어 영상 등에 효과적으로 이용이 가능할 수 있을 것으로 기대한다.