• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.14 no.10
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• pp.2305-2309
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• 2010

In this paper, the variations of threshold voltage characteristics for ratio of channel length and thickness have been alanyzed for DG(Double Gate)MOSFET having top gate and bottom gate. Since the DGMOSFET has two gates, it has advantages that contollability of gate for current is nearly twice and SCE(Short Channel Effects) shrinks in nano devices. The channel length and thickness in MOSFET determines device size and extensively influences on SCEs. The threshold voltage roll-off, one of the SCEs, is large with decreasing channel length. The threshold voltage roll-off and drain induced barrier lowing have been analyzed with various ratio of channel length and thickness for DGMOSFET in this study.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2010.05a
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• pp.765-767
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• 2010

In this paper, the variations of threshold voltage characteristics for ratio of channel length and thickness have been alanyzed for DG(Double Gate)MOSFET having top gate and bottom gate. Since the DGMOSFET has two gates, it has advantages that contollability of gate for current is nearly twice and SCE(Short Channel Effects) shrinks in nano devices. The channel length and thickness in MOSFET determines device size and extensively influences on SCEs. The threshold voltage roll-off, one of the SCEs, is large with decreasing channel length. The threshold voltage roll-off has been analyzed with various ratio of channel length and thickness for DGMOSFET in this study.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1999.11d
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• pp.971-973
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• 1999

채널길이에 따른 n-채널과 p-채널 poly-Si TFT's를 제작하고 그 전기적 특성을 분석하였다. n-채널과 p-채널소자는 공통적으로 기생바이폴라트 랜지스터현상(parasitic bipolar transistor action)에 의한 kink 효과, 전하공유(charge sharing)에 의한 문턱전압의 감소, 소오스와 드레인 근처의 결함에 의한 RSCE(reverse short channel effect) 효과, 수직전계에 의한 이동도의 감소, 그리고 avalanche 증식에 의한 S-swing의 감소가 나타났다. n-채널은 p-채널 보다 더 큰 kink, 이동도, S-swing의 변화가 나타났으며, 높은 드레인 전압에서의 문턱전압의 이동은 avalanche 증식(multiplication)에 의한 것이 더 우세한 것으로 나타났다. 누설전류의 경우, 채널 길이가 짧아짐에 따라 n-채널은 큰 증가를 나타냈으나 p-채널의 경우는 변화가 나타나지 않았다.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2002.11a
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• pp.15-18
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• 2002

본 논문에서는 다양한 채널을 가진 음악 과일에 대하여 입체 음향 효과를 줄 수 있는 시스템을 개발 하였다. 그러기 위하여 3D 사운드 기술 중에 가장 대표적으로 알려진 HRTF(머리전달 함수)를 원음에 콘볼루션(Convolution)하는 방식으로 음상정위 모듈을 구현하였으며 음장감을 부여하기 위해 잔향 효과(Reverberation)효과를 추가하고 크로스토크 현상 제거를 위해 트랜스오럴(Transaural) 필터를 추가하였다. 이런 입체음향 기술을 가지고 여러 채널을 가진 음악 파일에 적용시켜서 다채널 입체음향 효과를 낸 수 있는 시뮬레이터를 구현해 보았다. 시스템 구현에는 한정된 채널이 아닌 다양한 채널에 대한 효과를 낼 수 있도록 하였으며 기본적인 실험으로는 미디를 바탕으로한 5개의 채널에 대하여 실험하여 이를 증명해 보았다.

• The Journal of the Acoustical Society of Korea
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• v.31 no.5
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• pp.340-351
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• 2012

In this paper, we proposed the stereo-10.2channel blind upmix algorithm for the enhanced 3D sound. Recently, consumers want to enjoy better sound and the use of a various of multichannel configuration has been steadily improved. Thus, upmix algorithms have been researched. However, conventional upmix algorithms have the problem that distorts the spatial information of original source. To solve this problem and enhance the spatial sound quality, we proposed front and rear channel gain adjustment and 10.2 channel upmix algorithm for each additional channel. The listening test results show that it maintains spatial information of stereo input and enhances 3D sound effects unlike other conventional upmix algorithms.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2015.10a
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• pp.858-860
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• 2015

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널 내 도핑농도에 대한 드레인 유도 장벽 감소 현상에 대하여 분석하고자한다. 드레인 유도 장벽 감소 현상은 드레인 전압에 의하여 소스 측 전위장벽이 낮아지는 효과로서 중요한 단채널 효과이다. 이를 분석하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 해석학적 전위분포를 구하였으며 전위분포에 영향을 미치는 채널도핑 농도뿐만이 아니라 상하단 산화막 두께, 하단 게이트 전압 등에 대하여 드레인 유도 장벽 감소 현상을 관찰하였다. 결과적으로 드레인 유도 장벽 감소 현상은 채널도핑 농도에 따라 큰 변화를 나타냈다. 단채널 효과 때문에 채널길이가 짧아지면 도핑농도에 따른 영향이 증가하였다. 도핑농도에 대한 드레인유도장벽감소 현상의 변화는 상하단 산화막 두께에 따라 큰 변화를 보였으며 산화막 두께가 증가할수록 도핑농도에 따른 변화가 증가하는 것을 알 수 있었다. 또한 하단게이트 전압은 그 크기에 따라 도핑농도의 영향이 변화하고 있다는 것을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2015.10a
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• pp.863-865
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• 2015

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널 내 도핑농도분포에 대한 드레인유도장벽감소(Drain Induced Barrier Lowering; DIBL)에 대하여 분석하고자한다. DIBL은 드레인 전압에 의하여 소스 측 전위장벽이 낮아지는 효과로서 중요한 단채널 효과이다. 이를 분석하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 해석학적 전위분포를 구하였으며 전위분포에 영향을 미치는 채널도핑농도의 분포함수변화에 대하여 DIBL을 관찰하였다. 채널길이, 채널두께, 상하단 게이트 산화막 두께, 하단 게이트 전압 등을 파라미터로 하여 DIBL을 관찰하였다. 결과적으로 DIBL은 채널도핑농도분포함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차에 변화를 나타냈다. 특히 두 변수에 대한 DIBL의 변화는 최대채널도핑농도가 $10^{18}/cm^3$ 정도로 고도핑 되었을 경우 더욱 현저히 나타나고 있었다. 채널길이가 감소할수록 그리고 채널두께가 증가할수록 DIBL은 증가하였으며 하단 게이트 전압과 상하단 게이트 산화막 두께가 증가할수록 DIBL은 증가하였다.

• Proceeding of EDISON Challenge
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• 2016.03a
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• pp.102-107
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• 2016

본 연구에서는 동역학적 격자기반 대정준 Monte Carlo (Kinetic Lattice Grand Canonical Monte Carlo, KLGCMC) 모의실험 방법을 이용하여 비정상 몰분율 효과 (Anomalous mole fraction effect)에 대해서 알아보고자 하였다. 이를 위해 양이온 선택성을 가진 이온채널 모델에서 $NH_4{^+}$와 $Rb^+$의 혼합물에 대하여 몰분율의 변화에 따른 이온전도도를 KLGCMC 모의실험을 이용하여 계산하고, 이를 평균장 이론인 Poisson-Nernst-Planck (PNP)의 결과와 비교해 봄으로써 비정상 몰분율 효과에 대하여 심도 있게 이해하고자 하였다. 본 연구 결과로부터 비정상 몰분율 효과는 이온채널의 이온 선택성에 의해서 발생함을 확인할 수 있었다. 즉, 두 종류 이상의 이온들이 채널 내부로 이동할 때, 이온채널의 이온 선택성에 의해서 각 이온들과 채널 간에 서로 상이한 상호작용을 하게 되고, 이로 인해서 이온 혼합물 조성의 변화, 즉 몰분율의 변화에 대해서 이온 전류가 선형적이 아닌 비선형적으로 변하게 됨을 알 수 있었다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.26 no.6
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• pp.38-47
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• 1989

A purely analytical model for HEMT's based on a two dimensional charge control simul-ation[4] is proposed. In this model proper treatment of diffusion effect of electron transport along a 2-DEG (two dimensional electron gas) channel is perfoemed. This diffusion effect is shown to effectively increase the bulk mibility and threshold voltage of the I-V curves compared to the existing models. The channel thickness and gate capacitance are expressed as functions of gate voltages covering subthreshold characteristics of HEMT's analytically. By introducing the finite channel opening and an effiective channel-length modulation, the solpe of the saturation region of the I-V curves ws modeled. The smooth transition of the I-V curves at linear-to-saturation regions of the I-V curves was possible using the continuous Troffimenkoff-type of field dependent mobility. Furthermore, a correction factor f was introduced to account for the finite transition section forming between a GCA and a saturated section. This factor removes large discrepancies in the saturation region of the I-V curve predicted by existing l-dimensional models.

• Proceedings of the Acoustical Society of Korea Conference
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• spring
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• pp.55-58
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• 2000

본 논문에서는 화자 확인 시스템의 등록과 확인 과정의 채널 환경 불일치로 성능이 저하되는 문제를 해결하기 위한 새로운 정규화 방법에 대해 설명한다. 제안된 방법은 첫째, 입력 음성으로부터 효과적으로 채널을 추정$\cdot$보상하고 둘째, 스코어 정규화 과정에서 사칭자 모델로서 사용되는 world모델과의 차이를 채널 추정 및 화자 모델 생성에 효과적으로 사용하는 것을 목표로 한다. 이를 위해 입력 음성의 켑스트럼과 HMM world 모델의 파라메터인 평균 켑스트럼과의 차이를 통해 음소열에 종속적인 채널 켑스트럼인 Phone-Dependent Difference Cepstrum을 추정한다. 한편 입력 음성의 음소열은 world모델의 스코어를 얻는 과정에서 함께 얻어질 수 있다. 채널 추정 실험 결과를 통해서 가장 일반적인 채널 정규화방법인 CMS에 의해 추정된 채널에 비해 실제 채널과 유사하며 화자 고유의 특성을 왜곡시키지 않는 채널 추정이 가능함을 확인할 수 있었다.