• Proceeding of EDISON Challenge
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• 2016.03a
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• pp.365-367
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• 2016

나노와이어 FET은 natural length가 작아 단채널 효과가 MOSFET에 비해 줄어든다는 장점이 있어 미래의 소자 구조로 주목 받고 있다. 그런데 나노와이어 FET을 공정할 때 채널 etching에서 채널이 완벽하게 원형 구조를 가지는 것이 어렵다. 본 논문에서는 gate-all-around 실리콘 나노와이어 FET의 aspect ratio에 따른 트랜지스터의 특성 변화를 알아 보았다. 시뮬레이션 결과, aspect ratio가 작을수록 나노와이어 FET에서의 단채널 효과가 줄어드는 경향을 보였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 1999.05a
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• pp.243-247
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• 1999

For the purpose of LAN or data transmission line design with high speed and reliability using power lines, in this paper, we present CSK/SS-DS signal transmission characteristics simulations with changing channel characteristics due to impedance fluctuation. And we also simulated the signal transmissions with a strong impulsive burst noise and with a gaussian random noise. We introduce a simple channel equalization filtering method that solves the synchronization problem of CSK/SS-DS with fluctuating channel characteristics or low S/N ratio.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.26 no.9A
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• pp.1592-1600
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• 2001

본 논문에서는 IMT-2000을 위한 이중 모드 패킷 전송 방식에 대한 성능을 분석하고, 동적 임계치 설정을 이용한 이중 모드 패킷 전송 방식을 제안한다. 먼저, 다양한 채널 환경과 트래픽 유형을 고려하여, 공용 채널과 전용채널 간의 모드 전환을 위한 임계치의 변화에 따른 성능의 변화를 고찰하였다. 성능 분석 결과, 채널 환경과 트래픽 형태에 따라서 스위칭 임계치 설정이 매우 중요하며, 성능에 큰 영향을 미치게 된다는 것을 알 수 있었다. 그리고, 이중 모드 방식에서 스위칭 임계치를 동적으로 설정하는 방식을 제안하고 시뮬레이션을 통해 성능을 분석하였다. 제안된 동적 임계치를 사용할 경우에 채널 상황이나 트래픽 특성 변화에 적응적으로 대처할 수 있어, 전반적으로 고정 임계치 방식보다 성능이 크게 개선됨을 알 수 있었다.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.33 no.10A
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• pp.964-971
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• 2008

This paper compares the performances of cyclic delay diversity and phase rolling techniques for SC-FDE(Single Carrier with Frequency Domain Equalization) systems with multiple transmit antennas assuming time-flat and frequency-flat channels. In OFDM(Orthogonal Frequency Division Multiplexing) systems generation of time varying channels using phase rolling can result in performance gains comparable to those of frequency-selective channels made by cyclic delay diversity However, in SC-FDE systems making time-selective channels may produce better results than creation of frequency-selective channels.

• Proceeding of EDISON Challenge
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• 2016.03a
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• pp.102-107
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• 2016

본 연구에서는 동역학적 격자기반 대정준 Monte Carlo (Kinetic Lattice Grand Canonical Monte Carlo, KLGCMC) 모의실험 방법을 이용하여 비정상 몰분율 효과 (Anomalous mole fraction effect)에 대해서 알아보고자 하였다. 이를 위해 양이온 선택성을 가진 이온채널 모델에서 $NH_4{^+}$와 $Rb^+$의 혼합물에 대하여 몰분율의 변화에 따른 이온전도도를 KLGCMC 모의실험을 이용하여 계산하고, 이를 평균장 이론인 Poisson-Nernst-Planck (PNP)의 결과와 비교해 봄으로써 비정상 몰분율 효과에 대하여 심도 있게 이해하고자 하였다. 본 연구 결과로부터 비정상 몰분율 효과는 이온채널의 이온 선택성에 의해서 발생함을 확인할 수 있었다. 즉, 두 종류 이상의 이온들이 채널 내부로 이동할 때, 이온채널의 이온 선택성에 의해서 각 이온들과 채널 간에 서로 상이한 상호작용을 하게 되고, 이로 인해서 이온 혼합물 조성의 변화, 즉 몰분율의 변화에 대해서 이온 전류가 선형적이 아닌 비선형적으로 변하게 됨을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2011.05a
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• pp.709-711
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• 2011

본 연구에서는 Double-gate MOSFET의 DIBL(Drain Induced Barrier Lowering)의 특성을 분석하기 위하여 분석학적 전송모델을 사용하였으며 분석학적 모델을 유도하기 위하여 포아송방정식을 풀 때 급수함수를 이용하였다. 단채널 효과에서는 유효채널길이 감소와 문턱전압 감소 그리고 DIBL이 있다. DIBL은 드레인 전압 변화에 따른 문턱전압의 변화로 알 수 있다. 채널길이가 감소하면 DIBL은 감소하지만, 채널길이가 감소하면 단채널 효과가 증가한다. 본 논문에서는 채널길이에 따른 DIBL을 분석하였고, 또한 채널 두께 및 게이트 산화막의 두께에 대한 DIBL에 대하여 분석하였다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2003.07a
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• pp.232-233
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• 2003

MZI 하나를 이용하여 한 단을 구성한 CWDM 설계에서는 출력 특성이 sine wave 의 제곱 특성을 가지므로 각 채널당 통과 대역이 좁다. 이러한 특성은 WDM System 에서 Laser Source 의 온도 변화에 의한 파장 변화에 대해 좋은 특성을 보이지 못함을 의미한다. 따라서 Laser Source 의 파장 변화에 좋은 특성을 갖는 넓은 통과대역을 갖을 필요가 있다. 본 연구 그룹은 MZI 2개와 3개를 이용하여 평평한 출력 특성을 갖는 4 채널 CWDM 광 도파로 소자의 설계와 해석을 발표한바 있다. (중략)

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.348-348
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• 2012

휴대용 저장매체에서부터 solid state disk와 같은 고속 시스템 저장 매체 까지 플래시 메모리의 활용도가 급속도로 커지고 있다. 이에 플래시 메모리에 대한 연구 또한 활발히 진행 되고 있다. 현재 다결정 실리콘을 전하 주입 층으로 사용하는 기존의 플래시 메모리는 20 nm 급 까지 비례 축소되어 활용되고 있다. 하지만 20 nm 이하 크기의 소자에서는 과도한 누설전류와 구동전압의 불안정, 큰 간섭현상으로 인한 성능저하와 같은 많은 문제점에 봉착해 있다. 이를 해결하기 위해 FinFET, Vertical 3-dimensional memory, MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), PRAM(Phase-change Memory)과 같은 차세대 메모리 소자에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 차세대 메모리 구조로 주목 받고 있는 FinFET 구조를 가진 플래시 메모리에서 fin 의 채널영역의 도핑 농도 변화에 의한 20 nm 이하의 게이트 크기를 가지는 소자의 전기적 특성과 프로그램 특성을 3차원 시뮬레이션을 통해 계산하였다. 본 연구에서는 FinFET 구조를 가진 플래시 메모리의 채널이 형성되는 fin의 윗부분도핑농도의 변화에 의한 전기적 특성과 프로그램 특성을 계산하였다. 본 계산에 사용된 구조는 게이트의 크기, 핀의 두께와 높이는 18, 15 그리고 28 nm이다. 기판은 Boron으로 $1{\times}10^{18}cm^{-3}$ 농도로 도핑 하였으며, 소스와 드레인, 다결정 실리콘 게이트는 $1{\times}10^{20}cm^{-3}$ 농도로 Phosphorus로 도핑 하였다. 채널이 형성되는 fin의 윗부분의 도핑농도를 $1{\times}10^{18}cm^{-3}$ 에서 $1{\times}5^{19}cm^{-3}$ 까지 변화 시키면서 각 농도에 대한 프로그램 특성과 전기적 특성을 계산하였다. 전류-전압 곡선과 전자주입 층에 주입되는 전하의 양을 통해 특성을 확인하였고 각 구조에서의 채널과 전자 주입 층의 전자의 농도, 전기장, 전기적 위치 에너지와 공핍 영역의 분포를 통해 분석하였다. 채널의 도핑농도 변화로 인한 fin 영역의 공핍 영역의 분포 변화로 인해 전기적 특성과 프로그램 특성이 변화함을 확인하였다.

• The KIPS Transactions:PartC
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• v.11C no.2
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• pp.203-212
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• 2004

There is a rapidly growing demand for wireless telecommunication. The restricted number of channels is a significant bottleneck for the capacity of mobile communication systems. Consequently, when assigning the channels to the different base stations, it is desirable to reuse the same channel af much as possible. It is then important to avoid any possible interference between different mobile users, while satisfying the given demand. The objective of this thesis is to develop a hybrid heuristic algorithm to find the channel assignment method for allocating the channels in an efficient way, which does not violate the compatibility constraints. We also show several benchmarking channel assignment problems using proposed channel assignment method for validation in this thesis.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2002.07d
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• pp.2619-2621
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• 2002

전력선 통신(Power-Line Communication)은 기본적으로 데이터 전송용이 아닌 전력 전달을 목적으로 설계된 전력선을 매체로 이루어지기 때문에 상당한 잡음과 감쇠 특성을 보이며 또 전력선 topology와 부하의 변화에 따라 전달 함수(transfer function)의 변화도 심하다. 이러한 열악한 채널 특성을 극복하기 위해 전력선 채널에 관한 많은 연구가 진행되고 있으며 그 중에서도 채널 모델링 연구가 활발하게 진행되고 있다. 채널 모델링은, 변복조 방식, 채널 코딩(coding), 커플링(coupling), 필터링(filtering) 등의 적극적인 채널 극복 방안으로서 제시되는 기술을 적용함에 있어서 상당히 중요하다. 본 논문에서는, 채널 모델링 기법으로 제시되고 있는 방식인, 전달 함수 특성과 여러 가지 잡음 특성을 결합한 통계적 모델링 방식[l]을 통해 전력선 채널 모델을 구현하여 실측치와 비교 검토하고, 또 모델링을 통해 얻어지는 파라미터(parameter)를 통해 채널 정보를 효과적으로 Data Base화 할 수 있는 방안에 대해 연구하였으며, 이 Data Base의 활용 방안을 모색하였다.