가스터빈엔진 내의 블레이드에서는 표면에 외부의 찬 공기를 흘려주는 작은 냉각 홀들을 가공하고 열 차단 코팅시스템을 코팅하는 방법으로 기지금속을 고온에서 보호한다. 열 차단 코팅은 열피로 과정에서 산화막의 성장 및 접합층과 산화막의 열팽창계수의 불일치로 산화막내부에 잔류응력이 발생하며 궁극적으로 코팅층의 분리를 유발한다. 본 연구에서는 내열합금 시편 표면에 작은 홀을 가공하여 여러 가지 고온 유지 조건에서 열 및 기계적 피로 시험을 수행하여 홀 주위의 산화막의 변형을 관찰하였다. 실험결과 기계적 피로가 홀 주위의 산화막의 변형에 중요한 영향을 미치며, 동일한 산화막 두께에서 고온 유지 시간이 짧을수록 변형이 쉽게 발생 하였다. 또한 본 연구에서는 홀 주위 산화막의 응력해석을 위한 이론적인 연구도 시도되었다.
지붕 개폐형태의 대공간 막 구조물은 멀티미디어적인 요소 및 전천후 공간을 활용할 수 있지만, 다수의 연결 조인트에 의해 구조물이 형성되므로 누수에 취약한 문제점이 있다. 특히 개폐식 지붕 맞댐부위의 우수차단 시스템은 우수의 직접적인 유입을 차단하는 역할을 하고 있으므로 바람을 동반한 강우환경에서도 수밀성능이 요구된다. 따라서 상기의 환경 조건을 부여한 수밀성 실험을 통하여 우수차단 시스템의 디테일에 대한 수밀성능을 평가하고자 한다. 실험 결과, 모든 실험체에서 누수가 발생하였으며, 우수의 유입경로는 동일한 것으로 확인되었다. 특히, 바람에 의하여 물입자들이 구조물 내부로 들이치는 현상이 주원인이므로 이를 보완한 새로운 우수차단 시스템의 디테일이 요구된다. 이 연구를 통해 강우 환경과 바람 환경을 동시에 부여하였을 때 발생될 수 있는 우수 침입 경로를 확인하였으며, 수밀 성능 확보 유무가 사전에 검토되어 져야함을 알 수 있었다. 또한, 디테일을 사전에 작성하여 모형 수밀성 시험을 반드시 시행한 후 그 결과에 따라 설계 디테일의 변경, 개선, 보완시공을 하여야 할 것이다.
본 논문에서는 단채널 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상하단 산화막 두께비에 대한 터널링 전류의 변화에 대하여 분석하고자 한다. 채널길이가 5 nm까지 감소하면 차단전류에서 터널링 전류의 비율이 크게 증가하게 된다. 이와 같은 단채널효과는 상하단 게이트 산화막 구조를 달리 제작할 수 있는 비대칭 이중게이트 MOSFET에서도 발생하고 있다. 본 논문에서는 상하단 게이트 산화막 두께비 변화에 대하여 차단전류 중에 터널링 전류의 비율 변화를 채널길이, 채널두께, 도핑농도 및 상하단 게이트 전압을 파라미터로 계산함으로써 단채널에서 발생하는 터널링 전류의 영향을 관찰하고자 한다. 이를 위하여 포아송방정식으로부터 해석학적 전위분포를 구하였으며 WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin)근사를 이용하여 터널링 전류를 구하였다. 결과적으로 단채널 비대칭 이중게이트 MOSFET에서는 상하단 산화막 두께비에 의하여 터널링 전류가 크게 변화하는 것을 알 수 있었다. 특히 채널길이, 채널두께, 도핑농도 및 상하단 게이트 전압 등의 파라미터에 따라 매우 큰 변화를 보이고 있었다.
건성안은 다양한 환경노출로 인해 생길 수 있다. 본 연구에서는 눈에 자극감을 줄 수 있는 자외선 차단제와 건성안의 연관성에 대해 조사하고자 하였다. 총 30명(남28명, 여2명)을 대상으로 하여 비침입성 눈물막 파괴시간 검사(NIBUT)와 맥모니 설문, 자각설문을 실시하였다. 자외선 차단제를 바른 후의 NIBUT값이 바르기 전보다 감소하는 것을 알 수 있었고, NIBUT값의 차이가 심했던 C제품이 자각 설문에서도 가장 불편했다고 답변하였다. 자각 설문에서 자극이 있다고 답한 대상자는 15명(50%), 자극이 없다고 답한 대상자는 15명(50%) 이였으며, 자극이 있는 집단의 맥모니 설문 점수가 높게 나왔다. 건성의안 기준에서도 위와 같은 결과이었으며, 모두 경계성 유의성을 나타냈다(p=0.049, p=0.051). 본 연구를 통해 자외선 차단제가 눈에 영향을 줄 수 있고, 건성안에 연관이 있다는 것을 알 수 있었다. 디지털 환경 요인들로 인해서도 눈에 자극증상과 변화를 줄 수 있으므로 환경유해물질 및 디지털 환경이 눈건강에 미치는 영향을 파악하는 융합 연구가 필요할 것이다.
홍수시 저수지 상류로부터 유입되는 다량의 오염물, 협잡물은 저수지의 경관 및 수질에 악영향을 미친다. 이러한 오염물질은 홍수시 일시에 유입되어 표층에 부유하므로 수거를 위한 시간 및 비용이 비교적 크게 발생된다. 따라서 이러한 부유쓰레기를 효과적으로 차단할 수 있는 시설물 설치는 필연적이다. 이렇게 부유쓰레기 수거를 위한 방법 중, 저수지 내부에 선 차단 시설을 설치하여 부유쓰레기를 홍수터로 유도하여 수거하는 방법은 일시에 많은 양의 부유쓰레기를 차단하게 되는데 유지관리, 경제적 측면에서 유리하다. 본 연구에서는 부유쓰레기 수거를 위한 선 차단시설 운영 방안을 검토하기 위하여 홍수시 저수지 내로 유입되는 유속흐름을 2차원 수치해석 모형인 RMA-2 모형으로 해석하고, 저수지의 내 외부 지형분석을 통하여 시범 지구의 선 차단시설 설치 위치를 선정하였고, 3차원 수치해석 모형인 FLOW-3D 모형으로 검증하였다. 선 차단시설 설치 시범지역 위치 선정을 위하여 저수지의 규모, 접근성, 시공 장비의 대여 편이성 등을 종합적으로 고려하여 기흥저수지를 시범예정 구역으로 선정하였다. 저수지 내로 유입되는 유속특성을 2차원 수치해석 모형인 RMA-2 모형으로 해석하여 시범 지구의 선 차단시설 설치 위치를 제안하고 홍수터 부지를 결정하였다. 부유쓰레기 유도를 위한 선차단시설은 저수지 급확대로 인한 유속 감소구간과 와류발생 구간이 적절한 것으로 분석되었으며 시범설치 지역인 기흥저수지 상류 급확대부에 선 차단시설을 제안하였다. 홍수터의 규모는 Armitage와 Rooseboom(2000)이 제안한 경험식을 바탕으로 $5,300m^2$을 제안하였으며, 기흥저수지 상류부 우안에 항아리 모양으로 설치하도록 계획하였다. 또한, 3차원 수치모형실험을 통하여 검토한 결과, 차단막 설치로 부유 쓰레기의 하류 이송은 차단되고, 원활하게 홍수터로 유도됨을 확인하였다.
$Na^+$ 전극도 개구리 방광막으로 만들어진 조직센서를 이용하여 복어독 (TTX), 조개독 (STX), 마비성조개독 (PSP) 등의 $Na^{+}$ 챈널 차단물질을 측정하였다 본 연구는 연속적으로 $Na^{+}$ 챈널 차단물질을 측정할 수 있는 조직 센서를 이용하여 한국산 한방약의 재료와 건조 및 생김 (Porphyra yezoensis)의 $Na^+$ 챈널 차단물질의 존재여부를 측정하였다. 본 센서는 한방약 재료 및 해조류 (김 등)와 같이 현재 일반적으로 사용되고 있는 마우스법으로 측정이 불가능한 fg 단위의 매우 적은 양의 $Na^{+}$ 챈널 차단물질까지 측정이 가능하였다. 본 바이오센서는 $Na^{+}$ 챈널 차단물질의 모니터링 및 해양환경감시에 응용 가능하리라 기대된다.
현재 태양광 시장에 진출한 대부분의 Si계열 태양전지는 복잡한 공정과 원재료 고갈, 높은 가격으로 인해 한계에 직면에 있는 상태이다. 최근 많은 연구소나 학교에서는 기존의 Si계열 태양전지를 대체할 대안으로 염료 감응형 태양전지에 대해서 높은 관심을 보이고 있으며, 그동안의 연구개발로 단위 셀 면적에서는 상용화에 근접한 효율을 확보한 상태이다. 염료 감응형 태양전지의 작동과정을 간단히 단계별로 살펴보면 나노 결정 산화물 반도체 표면에 흡착된 염료분자가 가시광선을 흡수하면 전자는 HOMO에서 LUMO로 천이하고 이 들뜬 상태의 전자는 다시 에너지 준위가 낮은 반도체 산화물의 전도띠로 주입된다. 주입된 전자는 나노 입자간 계면을 통하여 투명 전도성막으로 확산, 전달되고 산화된 염료분자는 전해질 I-에 의해 다시 환원되어 중성 분자가 된다. 그러나 표면상태 전자 중 일부는 산화된 염료와 다시 결합하거나, 전해질의 $I^{3-}$ 이온을 환원시키기도 한다. 이와 같은 과정은 암전류를 증가시키면서 반도체 전극 막의 성능을 저해하는 주원인이 된다. 전자의 재결합은 투명 전극을 통해서도 가능하기 때문에 투명 전극에 얇은 blocking layer를 도포한 후 나노 결정 산화물 반도체 전극을 제작하면 전지 특성을 향상시킬 수 있다. 본 실험에서 우리는 졸-젤 법으로 $TiO_2$ blocking layer 졸을 만들었고 간단하며 저가공정이 가능한 스크린 프린팅 방법으로 blocking layer를 형성하는 실험을 진행하였다. 전도띠 에너지가 높은 반도체 물질로 표면을 처리하면 $TiO_2$-전해질 간 계면에 에너지 장벽이 형성되어 재결합을 줄여 모든 광전특성이 향상 되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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