• Title/Summary/Keyword: 집적화

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Effect of Si Wafer Ultra-thinning on the Silicon Surface for 3D Integration (삼차원 집적화를 위한 초박막 실리콘 웨이퍼 연삭 공정이 웨이퍼 표면에 미치는 영향)

  • Choi, Mi-Kyeung;Kim, Eun-Kyung
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • v.15 no.2
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    • pp.63-67
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    • 2008
  • 3D integration technology has been a major focus of the next generation of IC industries. In this study Si wafer ultra-thinning has been investigated especially for the effect of ultra-thinning on the silicon surface. Wafers were grinded down to $30{\mu}m\;or\;50{\mu}m$ thickness and then grinded only samples were compared with surface treated samples in terms of surface roughness, surface damages, and hardness. Dry polishing or wet etching treatment has been applied as a surface treatment. Surface treated samples definitely showed much less surface damages and better roughness. However, ultra-thinned Si samples have the almost same hardness as a bulk Si wafer.

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A Study on the Efficient Label Management Methods in High-Speed IP Switching Networks (고속 IP 교환망에서 효율적인 레이블 관리 방식에 관한 연구)

  • Shim, Jae-Hun;Chang, Hoon
    • The KIPS Transactions:PartC
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    • v.11C no.4
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    • pp.527-538
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    • 2004
  • In this paper, we present the flow aggregation method and the FLTC(flow lasting time control) algorithm to reduce the number of flows and solve the scalability problem in high speed IP switching networks. The flow aggregation based on the destination address could reduce the total number of flows, improve the label efficiency, and increase the total amount of the switched packets. The FLTC algorithm also eliminates the waste of label by deleting the flow binding efficiently. With the traces of real Internet traffics, we evaluate the performance of these schemes by simulation. The label efficiency, the average number of label used, and the percentage of packets switched and the number of packets switched are used as performance measures for this simulation.

A Study on the Active Integrated Antenna (능동 집적 안테나에 관한 연구)

  • 이병무;윤영중
    • The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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    • v.13 no.1
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    • pp.19-25
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    • 2002
  • This paper presents novel architectures for power amplifier (PA) relying on 3rd harmonic-tuning technique and dual feeding antenna structure for the isolation of the Tx and the Rx ports. Active integrated antenna (AIA) with power amplifier makes the problem of the isolation between the Tx and the Rx ports occur So, this paper suggests dual feeding and dual resonant structures of the AIA with PA are possible to obtain the high isolation between the Tx and the Rx signals. Dual resonant triangular microstrip antenna, which can replace power amplifier tuning circuit, with slots-loaded and characteristic of the isolation between the Tx and the Rx ports using inset microstrip line feeding and probe feeding methods is proposed and experimentally studied for the case of thin substrate.

Fabrication of $Sr_2FeMoO_6$ thin films by RF Sputtering (RF 스퍼터법에 의한 $Sr_2FeMoO_6$ 박막 제조)

  • Ryu, Hee-Uk;Sun, Ho-Jun
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2010.06a
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    • pp.24-24
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    • 2010
  • 대형구조물의 구조안정성 진단, 로봇과 같은 지능기계의 제어, 환경오염을 감지하기 위한 센서의 중요성은 날로 증대되고 있다. 이러한 센서의 감도와 성능을 높이기 위해서 소형화, 다기능화, 집적화가 요구되고 있는데, 고성능 센서소자들의 집적화를 위해서 기존에 적용된 벌크형태의 재료들을 박막화하여 다층적층 및 소형화할 필요가 있다. 집적화 센서의 구현에 있어서 전극박막은 센서의 특성을 좌우하는 중요한 역할을 한다. 일반적으로 금속박막이 전극으로 사용되고 있으나 열적 불안정성 및 박리현상의 문제점을 지니고 있다. 따라서 이를 해결하기 위해 전도성산화막을 전극으로 적용하고자하는 연구가 요구되고 있다. 전도성산화막을 전극으로 적용하면 센서소자의 성능이 개선되는 경향이 있다. $Sr_2FeMoO_6$(SFMO) 산화물은 자기장을 인가했을 때 저항이 감소하는 CMR(colossal magnetoresistance) 물질이며 상온비저항이 낮은 것으로 알려져 있다. 이중 페롭스카이트 (double perovskite) 구조를 갖는 $Sr_2FeMoO_6$ 박막은 센서소자의 전극으로 적용 가능할 것으로 생각되어 박막을 제조하고자 하였으며 미세구조와 전기전도 특성을 조사하였다. 박막제조를 위해서는 RF 스퍼터법을 사용하였다. 스퍼터를 위한 타겟은 고상반응법으로 분말타겟을 제조하였다. Ar/$O_2$ 가스 유랑변화, 압력변화, 기판 온도변화가 박막의 상형성 등 박막특성에 미치는 영향을 조사하였다. 기판으로는 $SiO_2$(100nm)/Si 기판을 사용하였다. 증착직후에는 비정질막이 얻어졌으며 SFMO 상을 만들기 위해서는 후열처리가 필요하였는데, 환원성 가스 분위기 [$H_2$(5%)/Ar] 에서 열처리 조건을 최적화하여 이중 페롭스카이트 구조의 단일상 박막을 제조할 수 있었다. SFMO 단일상 박막은 증착시에나 후열처리 시 산소의 억제가 중요함을 알 수 있었다.

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Technical Trends of Photonic Integrated Circuits for High Speed, High Capacity Optical Communication (초고속 대용량 광통신을 위한 광집적 소자 기술 동향)

  • Baek, Y.S.
    • Electronics and Telecommunications Trends
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    • v.24 no.6
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    • pp.52-60
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    • 2009
  • 인터넷의 보급과 더불어 폭발적으로 늘어나기 시작한 데이터 통신은 FTTH의 보급과 IPTV, VoD 등 본격적인 멀티미디어 수요의 증가에 따라 매 18개월마다 통신량이 2배씩 증가하는 "광 무어의 법칙"이 성립되고 있다. 지속적인 대역폭의 증가를 수용하기 위해서는 핵심 광부품의 소형화 및 저가화가 반드시 필요하며 이러한 요구사항 수용을 위한 핵심요소는 광집적화 기술 개발을 통한 광소자의 고집적화 및 고속화 달성이다. 광집적화 기술은 크게 두 가지 분류로 나눌 수 있는데 이종 물질간의 하이브리드결합에 의한 구현과 단일 혹은 유사 물질에 의한 모놀리식 집적에 의한 방법이다. 본 고에서는 하이브리드 집적 및 모놀리식 집적 기술의 핵심 요소 및 기술발전 현황에 대해 살펴본다.

Design of System module to verify 24GHz four-port direct conversion transceiver (24GHz Four-port 직접변환 송-수신기 검증을 위한 System module 구현)

  • Moon, Seong-Mo;Song, Jun;Lee, Moon-Que
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2008.07a
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    • pp.1923-1924
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    • 2008
  • 본 논문에서는 실리콘 기반에 집적화 가능한 새로운 구조의 K-band 4포트 직접변환 수신기 구조를 제안하며, 복조기를 측정하기 위한 K-band 변조 신호를 구현할 수 있는 변조기 모듈을 제작, 변조 신호와 복조기를 검증하였다. 제안된 수신 구조는 CMOS와 같은 실리콘 기반의 IC에서 집적화 할 수 있는 소형화된 새로운 방법이며, 회로를 검증하기 위하여 0.18um CMOS 공정을 이용 제작, 구조의 가능성을 검증하였다. 또한 비교적 낮은 변조 신호를 이용하여 K-band 대역 이상의 변조 신호를 만들 수 있는 방법을 제안, 제작 측정하였다.

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광선진국으로의 도약을 위하여

  • Kim, Cheol-Du
    • Photonics industry news
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    • s.18
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    • pp.6-9
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    • 2003
  • 정부는 1단계 광산업 집적화 프로젝트를 2003년까지 추진하여 국내 광산업도약의 기틀을 마련하고, 2010년까지는 2단계 프로젝트로서 산업경쟁력 강화시책을 본격 추진해 명실 공히 광산업을 선진국 수준으로 끌러올린다는 단계별 발전전략을 추진하고 있다. 우선 1단계에서는 광주지역을 광산업 집적화 단지로 삼아 한국광산업진흥회, 한국광기술원 설립 등 물리적인 인프라 구축, 요서기술 개발, 인적자원 개발, 정보화 및 시장정보 데티어베이스화, 광관련 중소ㆍ벤처기업지원을 중점 추진하며, 이를 위해 국비, 지방비 및 민자를 포함해 총 4천 20억원을 추입해오고 있다. 이러한 투자는 국내 광산업의 세계시장 점유율을 현재 5%에서 2010년에는 15%까지 끌어올리는 동시에 9만명 이상의 고용효과를 창출을 목표로 하고 있다.

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Intergrated Magnetic Transformer for LLC converter to slim SMPS (SMPS Slim화를 위한 LLC 컨버터용 Intergrated Magnetic 트랜스포머)

  • Choi, Yoon;Ko, Tae-Seok;Han, Sang-Kyoo;Hong, Sung-Soo;Yoon, Kung-Ho;Yoo, Jae-Kyung;Roh, Chung-Wook
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2010.07a
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    • pp.263-264
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    • 2010
  • 본 논문에서는 동일한 전압, 전류 위상을 갖는 2개의 트랜스포머를 1개의 트랜스포머로 집적화하여 부피저감 효과를 갖는 IM 트랜스포머를 제안한다. 제안한 IM 트랜스포머는 하프브릿지 및 풀 브릿지 타입의 컨버터, 인버터에서 승압, 감압 및 절연을 위한 트랜스포머를 2개 이상 사용하는 경우에 하나의 트랜스포머로 집적화하여 외족 코어에서 자속을 상쇄시켜 코어부피가 저감되는 효과가 있다. 제안된 IM 트랜스포머는 이론적으로 분석하여 Gyrator model을 통해 모의실험 및 시작품 제작하여 46인치 LCD TV용 인버터에 적용하여 실험을 통해 우수성을 검증하였다.

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