• 한국식품과학회지
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• 제30권1호
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• pp.132-138
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• 1998

초고압$(300{\sim}686\;MPa)$ 및 열$(55^{\circ}C)$ 처리 한 단무지의 저장 안정성을 검토하기 위하여 생존균수, 효소활성, 조직감의 저장중 변화를 측정하였다. 총균수에서는 500 MPa 압력에서 5분간 처리한 시료와 686 MPa 압력에서 5분간 처리한 시료가 $4{\sim}6\;log\;cycle$ 감소를 보였으며, $55^{\circ}C$에서 2시간 동안 열처리한 시료는 $3{\sim}5\;log\;cycle$ 감소를 보였다. 그러나 300 MPa 압력에서 5분간 처리한 시료는 2 log cycle 이하의 감소를 보여 살균 조건으로는 불충분함을 알 수 있었다. 초고압 및 열처리한 단무지의 pectinesterase (PE) polygalacturonase (PG)의 처리직후 활성은 무처리군(control)에 비해 현저히 증가하였으며 PE 활성은 초고압처리에 의해 더 증가한 반면 PG는 열처리에 의해 더 증가하였다. 저장기간에 따라 처리구 모두 무처리구에 비해 높은 PE, PG 활성을 유지 하다가 20일째에는 실활하였으나 초고압처리구는 저장 8일째 까지 무처리군의 초기 PE 활성 이상을 유지하는 바람직한 현상을 보였다. 효소활성과 관련된 puncture force 측정에 의한 시료의 경도는 초고압과 열처리후 모두 증가했으며, 저장기간 동안 control에 비해 높은 경도를 유지하였다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제50권1호
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• pp.25-29
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• 2012

루타일(rutile) $TiO_2$ 분말의 알칼리 수열합성과 $300{\sim}500^{\circ}C$ 열처리를 통해 $TiO_2$ 나노튜브를 제조하고, 이를 리튬이 차전지의 음극 활물질로 채택하여 그 물성과 전기화학적 특성을 조사하였다. 수열반응 직후의 정제과정에서 불순물인 미세분진을 완전히 제거하여 제조된 $TiO_2$ 나노튜브는 고비표면적과 확연한 나노튜브 결정상을 보였다. 또한 열처리 온도가 증가함에 따라 등방적으로 분산된 나노튜브들이 서로 응집되어 비표면적의 감소를 초래하였다. $300^{\circ}C$ 열처리한 $TiO_2$ 나노튜브가 250 mAh $g^{-1}$의 가장 높은 초기 방전용량을 나타내었으며, 사이클과 고율 특성은 $400^{\circ}C$ 열처리한 시료가 가장 우수한 성능을 보였다.

• 한국식품과학회지
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• 제54권3호
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• pp.306-312
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• 2022

화분을 열처리 가공 원료로 활용하기 위해 압력을 달리하여 팽화처리 화분을 제조하고 이화학적 특성과 항산화 활성을 평가하였다. 팽화강도가 증가함에 따라 화분은 수분함량이 감소하고 갈변도가 유의적으로 증가하였다. 또한 화분의 항산화 활성의 경우, 극성지수가 다른 3종 용매로 얻은 물, 에탄올, 헥산 추출물 모두 총 환원력과 DPPH라디칼 소거활성이 유의적으로 증가하였으며, 특히 극성용매로 얻은 추출물에서 활성이 현저히 높았다. 실험군 중 상대적으로 약한 팽화처리 조건(2.5 kgf/cm²)으로 제조한 화분도 생화분보다 물 추출물에서 3배, 에탄올 추출물에서 5배 이상 높은 활성을 보였다. 이 결과는 팽화처리 후 수분감소로 인한 농축효과뿐 아니라 가속화된 메일라드 갈변반응으로 환원성 물질이 생성된 결과로 해석된다. 이 조건에서 팽화처리된 화분으로 제조한 밀엿강정은 생화분 첨가군과 비교하여 낮은 L, a, b 값과 적정산도, 높은 pH와 항산화 활성을 보여 팽화처리 화분의 특성을 그대로 보여주었다. 이 결과는, 팽화화분이 보유한 메일라드 반응산물(MRP)의 항산화 활성이 밀엿강정에 실질적으로 부여되었음을 보여준다. 그럼에도 불구하고 제조직후 산화방지 효과는 뚜렷이 관찰되지 않았는데, 이는 강정 제조 시 사용한 당용액이 강정과 산소가 직접적으로 접촉하는 것을 방지하였기 때문으로 사료된다. 밀엿강정에서 확인된 항산화 활성을 고려하면, 본 연구 결과는 팽화처리 화분을 첨가한 가공식품의 경우 열처리 직후보다 저장 중 산화안정성이 기대되므로, 이에 대한 후속 연구의 필요성을 시사한다.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제3권3호
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• pp.129-140
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• 1971

3.25% 규소를 함유하는 규소강을 융해·합금하고 압연·열처리하여 연질 자심재료로서 응용범위가 넓은 방향성 규소강판을 제조·실험했다. 이 연구에서는 잉고트 중의 망간 및 유황함량, 탄화물 석출과 유관한 열간압연 직후의 열처리조건, 2차 냉간 압연율 등이 2차 재결정 및 집합조직에 미치는 영향을 다루었다. 그 중에서도 특히 2차 냉간 압연율이 2차 재결정과 관련한 각종 활성화 에너지와 집합조직에 미치는 영향을 중점적으로 구명하였다. 2차 냉간 압연율이 10%인 시편은 응력 병형의 도입으로 인한 결정입계 이동으로 결정립성장 만이 관찰되었으며 핵생성을 동반한 2차 재결정은 일어나지 않았다. 2차 냉간 압연율이 30%인 시편에서는 2차 재결정을 위한 핵생성만 있었으며 2차 재결정이 완전히는 일어나지 않았다. 이 실험 조건하에서 50%의 2차 냉간압연율이 2차 재결정을 일으키기에 최적 냉간 압연율이며 가장 높은 직접도를 얻을 수 있는 압연율이었다.

• 한국진공학회지
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• 제12권1호
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• pp.40-45
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• 2003

양질의 $Ta_2O_5$ 박막을 양극산화법으로 제작 할 수 있음을 보였다. 양극산화 직후 이 비정질 박막의 두께가 750 $\AA$ 일 때 굴절율은 2.1~2.2, 유전율은 25 이상 그리고 1 MV$\textrm{cm}^{-1}$의 전기장에서 누설전류가 $10^{-8}$ /A$\textrm{cm}^{-2}$ 이하인 우수한 전기적 특성을 가지는 것을 확인할 수 있었다. 이 $Ta_2O_5$ 5/ 박막으로 MIM소자를 제작하였을 때, 완벽한 전류-전압 대칭성을 볼 수 있었다. 이러한 MIM소자는 새로운 방법의 양극산화법과 열처리 기법으로 만들 수 있는바 상위 전극의 종류와 열처리 조건에 따른 이 MIM소자의 특성에 관하여서 논의하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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• pp.106-106
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• 2000

반도체 소자가 미세화 됨에 따라 게이트 유전막으로 사용되는 SiO2의 박막화가 요구되나, boron penetration에 의한 Vt shift, 게이트 누설전류, 다결정 실리콘 게이트의 depletion effect 그리고 quantum mechanical effect 때문에 ~20 급에서 한계를 나타내고 있다. 이에 0.1$\mu\textrm{m}$이상의 design rule을 갖는 logic이나 memory 소자에서 요구되어지는 ~10 급 게이트 산화막은 SiO2(K=3.9)를 대신하여 고유전율을 갖는 재료의 채택이 필수 불가결하게 되었다. 고유전 박막 재료를 사용하면, 두께를 두껍게 해도 동일한 inversion 특성이 유지되고 carrier tunneling 이 덜하여 등가 산화막의 두께를 줄일 수 있다. 이러한 고유전박막 재료중 가장 활발히 연구되고 있는 재료는 Ta2O5, Al2O3, STO 그리고 BST 등이 있으나 Ta2O5, STO, BST 등은 실리콘 기판과 직접 반응을 한다는 문제를 가지고 있으며, Al2O3는 유전율이 낮의 재료가 최근 주목받고 있다. 본 실험에서는 ZrO2, HfO2 또는 그 silicates 등의 재료가 최근 주목 받고 있다. 본 실험에서는 ZrO2 박막의 증착조건에 따른 물리적, 전기적 특성 변화에 대하여 연구하였다. RCA 방식으로 세정한 P-type (100) 실리콘 기판위에 reactive DC sputtering 방법으로 압력 5mtorr, power 100~400W, 기판온도는 100-50$0^{\circ}C$로 변화시켜 ZrO2 박막을 증착한 후 산소와 아르곤 분위기에서 400-80$0^{\circ}C$, 10-120min으로 열처리하였다. 증착직후의 시편들과 열처리한 ZrO2 박막의 미세구조와 전기적 특성 변화를 관찰하였다. 우선 굴절율(RI)를 이용해 ZrO2 박막의 밀도를 예측하여 power와 기판온도에 따라 이론값 2.0-2.2 에 근접한 구조를 얻은 후 XRD, XPS, AFM, 그리고 TEM을 사용하여 ZrO2 박막의 chemical bonding, surface roughness 그리고 interfacial layer의 특성을 관찰하였다. 그리고 C-V, I-V measurement를 이용해 capacitance, 유전율, 누설전류 등의 전기적 특성을 관찰해 최적 조건을 설정하였다.

• 한국식품과학회지
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• 제22권3호
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• pp.307-311
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• 1990

간장의 갈변에 산소가 미치는 영향을 연구하였다. 발효숙성이 종료된 직후 여과한 생간장에 환원당(포도당, 자일로오스)과 아미노산(글리신)을 첨가한 것과 이들을 첨가하지 않은 대조시료를 호기적 조건과 혐기적 조건에서 저장($30^{\circ}C$, 150일)하면서 갈색화반응의 차이를 관찰하였던 바 호기적 조건에서는 혐기적 조건에서보다 약 2.5배(단, 자일로오스 첨가구는 약 1.5배)의 갈변이 일어났다. 간장을 $30^{\circ}C$에서 30분간 열처리하고 저장하였을 때는 가열하지 않았을 때에 비해 초기갈변값이 약 10%정도 증가하였을 뿐 저장시험기간 동안에 열처리 유무가 갈변에 영향을 주지 않았으며 따라서 상업적으로 양조한 간장에서는 미생물이나 효소 등에 의한 생물학적인 갈변은 중요하지 않았다.

• 한국재료학회지
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• 제9권11호
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• pp.1095-1101
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• 1999

무전해 니켈 도금을 이용하여 플립칩 공정에 응용하기 위한 범프와 UBM층을 형성하고 특성을 조사하였다. 도금전 zincate 처리를 해석하고 도금 변수인 온도, pH 등에 따른 도금층의 특성 변화, 공정 후의 열처리 효과들을 관찰하였다. 이를 통해 각 변수들이 도금층의 특성에 미치는 영향과 전자패키지 응용시 요구되는 무전해 니켈 도금 조건을 제시하였다. 도금직후의 니켈은 P가 10wt% 포함되며, $60\mu\Omega$-cm의 비저항, 500HV의 경도의 비정질 결정구조를 갖으며 열처리후 결정질 변태와 동시에 경도가 증가한다. 무전해 범프를 실제 테스트 칩에 형성한 후, ACF 플립칩 접속하여 무전해 니켈 범프의 장점과 미세 전자 패키징응용의 가능성을 확인하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제37권3호
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• pp.6-13
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• 2000

실리콘 기판에 질소를 이온주입한 다음에 게이트 산화막을 2nm, 3nm, 4nm 두께로 성장시켰다. 질소이온주입 에너지는 25keV로 고정하였고 이온주입량은 5.0×10/sup l3//cm/sup 2/과1.0×10/sup 14//cm/sup 2/으로 나누어서 진행하였다. 질소이온주입량과 산화막의 성장률은 밀접한 관계가 있으며 질소이온주입량이 많아지면 산화막의 성장시간이 늘어난다. 같은 두께를 기르는데 필요한 산화시간을 질소이온주입을 하지 않은 경우와 비교하면 질소이온 주입량이 5.0×10/sup 13//cm/sup 2/ 일 때는 약 20%, 1.0×10/sup 14//cm/sup 2/일 때는 약 50% 정도 산화시간이 증가한다. 질소이온 주입량이 증가함에 따라 Q/sub BD/값은 감소하는데 이의 개선을 위해 질소이온주입후에 N/sub 2/분위기에서 850℃ 60분간 열처리를 한 다음 산화막을 성장시키면 Q/sub BD/값이 증가하여 개선됨을 보인다. 이것은 질소이온주입으로 인한 손상이 게이트 산화막의 신뢰성에 나쁜 영향을 미치지만 이온주입직후에 적절한 열처리 공정을 거치면 이러한 손상으로 인한 영향을 없앨 수 있다는 것을 의미한다.

• 한국식품영양과학회지
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• 제33권3호
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• pp.576-581
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• 2004

좁쌀약주를 열 또는 초고압으로 처리한 후 10∼37$^{\circ}C$에서 64일간 저장하면서 저장기간에 따른 미생물수, 효소활성 및 품질변화를 측정하였다. 열 또는 초고압 처리구의 일반세균 수는 1$0^{\circ}C$와 $25^{\circ}C$에서 약 $10^2$ CFU/mL로 저장기간 동안 큰 변화가 없었지만 37$^{\circ}C$ 저장에서 열 처리구와 상온 초고압처리구는 저장 55일, 고온 초고압처리구는 저장 25일 이후에 검출되지 않았다. 열 또는 초고압 처리구의 젖산균과 효모는 처리 직후 완전히 사멸된 후 모든 저장온도에서 저장기간 내내 검출되지 않았다. $\alpha$-Amylase의 상대활성은 1$0^{\circ}C$에서 저장하는 동안 무처리구와 상온 초고압처리구는 약 100% 이상으로 높은 값을 유지하였으나 열처리구와 고온 초고압처리구는 약 40% 이하로 낮은 값을 유지하였다. 반면 $25^{\circ}C$와 37$^{\circ}C$에서는 무처리구와 상온 초고압처리구의 상대활성이 급격하게 감소하여 열처리구 및 고온 초고압처리구와 비슷한 수준을 유지하였다. 무처리구와 상온 초고압처리구의 glucoamylase 활성은 1$0^{\circ}C$에서는 거의 변화가 없었지만, 저장 온도가 높을수록 감소폭이 더 컸다. 열처리구와 고온 초고압처리구는 1$0^{\circ}C$와 $25^{\circ}C$에서는 저장기간에 따라 활성이 다소 증가하는 양상을 보였으나 37$^{\circ}C$에서는 거의 변화가 없었다. 열처리구와 초고압처리구의 pH는 모든 저장온도에서 저장 기간 동안 변화가 거의 없었다. 열처리구와 초고압처리구의 탁도는 저장기간 동안 저장온도의 증가에 따라 증가하였으나. 무처리구의 탁도는 저장온도 $25^{\circ}C$에서 저장 34일 후부터 급격히 증가하였다. 열처리구와 초고압처리구의 환원당 함량은 저장기간 동안 저장온도의 증가에 따라 증가하였으나, 무처리구의 환원당 함량은 저장온도 $25^{\circ}C$에서 저장 34일 후부터 급격히 감소하였다.