• 제목/요약/키워드: 직접관찰

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숫돌면의 직접관찰에 의한 드레싱 시기 최적화

  • 김선호;안중환;박화영
    • 한국정밀공학회:학술대회논문집
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    • 한국정밀공학회 1996년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.51-55
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    • 1996
  • 본 연구에서는 숫돌면의 직접관찰에 의해 적정한 드레싱 시기를 결정하는 것에 관한 연구를 수행했다. 이를 위해, 와전류센서를 숫돌주위에 설치하여 숫돌면의 눈막힘량을 비접촉식으로 직접 측정하므로서 숫돌의 상태를 검출했다. 숫돌의 재생작용에 의한 정상연삭과 눈막힘에 의한 이상연삭의 구분은 검출된 눈막힘량과 가공면 표면거칠기의 상관괘적(Relational Locus)을 통해 드레싱 시기를 결정했다. 또한 이때의 숫돌면의 상태를 레이져 변위센서를 이용해 측정하고 3차원 Topography로 표현했다. 본 논문에서는 이러한 내용들에 대한 실험적 결과들을 소개한다.

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몰리브데늄 첨가 직접 소입 비조질강에서의 석출물 거동과 기계적 성질간의 관계 (The Relation Between Precipitates and Mechanical Properties in Direct-Quenched Microalloyed Steels with Molybdenum)

  • 안병규;이경섭
    • 한국재료학회지
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    • 제7권11호
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    • pp.999-1006
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    • 1997
  • 0.14wt.%C-0.82wt.%Mn-0.20wt, %Si-0.10wt.%V-0.03wt.%Nb의 조성을 갖는 직접 소입강에 몰리브데늄을 각각 0.30wt.%, 0.58wt.% 첨가하여 기계적 성질을 조사하고 투과 전자 현미경을 이용하여 각각의 미세 조직을 관찰하여 석출물을 분석하였다. 직접 소입시의 석출물은 M$_{2}$C, MC의 비평형 상태의 석출물이 생성되었고 석출물들은 마르텐사이트 래스내의 침상형탄화물, 구형의 M$_{2}$C탄화물, 직사각형 형태의 MC탄화물이 관찰되었다. 유냉시에는 래스내의 침상형 탄화물만 관찰되었으며 수냉시에는 M$_{2}$C 탄화물이 관찰되었다. 0.58wt.%의 몰리브데늄의 첨가된 강에서는 MoN이 관찰되었으며, 이 강의경우 강도의 손실 없이 인성이 증가하는 경향을 나타내었다.

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환경감시를 통한 환경관리의 효과 (The Effectiveness of Environmental Management through Environmental Surveillance)

  • 이미향;김상하;김재연
    • 문화기술의 융합
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    • 제9권6호
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    • pp.557-561
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    • 2023
  • 본 연구의 목적은 의료기관에서 환자가 퇴원하는 병실을 대상으로 직접관찰과 형광표지를 이용하여 환경감시 활동을 통한 환경관리의 효과를 평가하기 위해 시도되었다. 본 연구는 2023년 3월부터 7월까지 병동과 중환자실 퇴실병상을 집중적 환경감시 활동 시행 전 448곳과 시행 후 494곳을 평가대상으로 하였다. 수집된 자료는 SPSS 21.0 프로그램을 이용하여 분석하였다. 연구결과 직접관찰은 집중적인 환경감시 활동 시행전 95.2%, 시행후 98.9%으로 통계적으로 유의하게 증가하였다. 형광표지는 집중적인 환경감시 활동 시행 전 96.1%, 시행 후 98.0%으로 미검출율이 증가하였으나 통계적으로 유의하지 않았다. 본 연구결과를 바탕으로 직접관찰과 형광표지 뿐만 아니라 다양한 환경평가방법을 적용하여 환경관리 효과를 평가하는 것이 필요하다.

라즈베리파이 기반 관찰계수 측정 시스템 구현 (Implementation of Counting Estimation System based on RaspberryPi)

  • 최우근;정동원
    • 한국정보처리학회:학술대회논문집
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    • 한국정보처리학회 2016년도 추계학술발표대회
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    • pp.865-867
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    • 2016
  • 이 논문에서는 기존의 유동인구 조사 방법 중 사람이 직접 계수하는 관찰계수의 문제점을 보완하는 방법을 제안하고 구현 및 평가한다. 유동인구 조사 방법에서 자료 수집하는 방법으로는 크게 두 가지가 있다. 사람이 직접 계수하여 수집하는 관찰계수 방법과 각종 센서들을 활용하여 수집하는 방법이 있다. 관찰계수 방법은 자료 수집 후에 유동인구 조사 규모에 따라 절차와 분석 시간이 많이 걸린다는 문제점을 가지고 있고 각종 센서를 활용한 방법은 인체감지의 중첩, 공간의 종속성, 비용의 문제점을 가지고 있어 실효성의 문제로 인하여 여전히 관철계수를 사용한 방법이 많이 사용되고 있다. 이 논문에서는 현재 실질적으로 많이 사용되고 있는 관찰계수의 문제점을 보완하여 개선하는데 목적이 있다. 기존의 관찰계수 방법보다 제안 방법의 관찰계수로 유동인구를 조사한 결과, 기존 방법보다 제안 방법이 절차와 분석에 시간이 향상됨을 확인했다.

미끄럼반복마찰의 직접관찰에 의한 TiN피막의 허용응력에 관한 연구 (A Study on the Allowable Stress of TiN Coating During Repeated Sliding Condition by In-situ System)

  • 문봉호
    • Tribology and Lubricants
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    • 제27권3호
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    • pp.147-155
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    • 2011
  • The ceramic coatings are excellent materials of cutting tools and sliding parts. To evaluate the wear characteristics of very thin ceramic coated layer, it is very important to investigate its wear process microscopically. An effective method for investigating the wear of a thin layer is the observation of wear process in microscopic detail using in-situ system. In this study, using the SEM Tribosystem as in-situ system, the microscopic wear mode of TiN coatings was investigated in repeated sliding. As results, four modes were observed for TiN coatings: Ploughing, powder formation, flake formation and coating delimitation. The observation of the microscopic wear by in-situ system can clarify the allowable stress of TiN coating.

EF-TEM을 이용한 직접가열 실험을 통한 Titanium의 고온에서의 상변화 연구

  • 김진규;이영부;김윤중
    • 한국결정학회:학술대회논문집
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    • 한국결정학회 2002년도 정기총회 및 추계학술연구발표회
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    • pp.22-23
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    • 2002
  • Titanium은 높은 강도, 낮은 밀도, 부식에 대한 저항 등, 타 금속에 비해 월등히 뛰어난 성질을 가지고 있기 때문에 산업 전반에 거쳐 그 응용이 크게 증가하고 있으며, 특히 고온에서의 응용이 중요성을 띠게 됨에 따라 고온으로의 상전이 관계에 따른 구조적 규명이 필요하다. 순수한 titanium은 상온에서 조밀충진 육방정계의 α-상구조(a=2.953Å, c=4.683 Å, P6₃/mmc)를 이루고 있으나, 대략 880℃ 이상에서는 β-상의 체심입방정계 (a=3.320Å, Im3m)로 상전이가 되는 것으로 알려져 있다. 이에 대한 대부분의 연구가 kinetics와 thermodynamics에 관련되어 있으며, TEM을 이용한 직접가열실험은 거의 전무한 상태이다. 본 실험에서는 TEM 직접가열을 통하여 titanium의 고온에서의 상전이와 가열시 발생할 수 있는 산화층 형성을 연구하였다. TEM 시편은 순도 99.94%의 titanium foil(Alfa Aesar, #00360, 0.025mm thick)를 이용하였고, 분석 장비로는 에너지여과 기능이 있는 TEM(EM912 Omega, Carl Zeiss)과 Gatan사의 double-tilt heating holder를 사용하였다. Titanium의 상전이를 관찰하기 위해 900℃ 까지 분당 10℃ 의 속도로 가열을 하였다. 통계적 분석 오차를 줄이기 위해 서로 다른 4군데의 관찰영역을 선택하여, 상온 - 600℃ - 900℃ - 상온의 단계별로 회절패턴을 관찰 및 기록하였고, 발생 가능한 산화에 대해서는 동일한 장비를 사용하여 EDS 분석을 하였다. 상온에서의 서로 다른 영역의 회절패턴들은 결함의 존재에 상관없이, 온도가 증가함에 따라 그 결함수가 증가하게 된다. 특히 600℃ 에서는 쌍정과 관련된 회절점들이 본래의 회절점 주위에 형성되어있지만, 각 면들의 격자상수의 변화는 나타나지 않았다. 그러나 900℃ 에서는 쌍정에 의한 회절점의 수가 증가하며, 회절점 사이에 발달한 뚜렷한 막대모양의 강도분포와 격자상수의 변화를 관찰할 수 있었다. 다시 상온으로 냉각시킨 후 관찰한 각각의 회절패턴에서는 격자 상수의 감소와 함께 900℃에 보여진 막대 모양의 강도분포와 쌍정에 의한 회절점들이 여전히 남아있었다. EDS분석 결과 가열 실험을 통해 시편이 열적 산화가 되어 있음을 확인 할 수 있었다. 순수한 titanium의 α-상에서 β-상으로의 상전이를 파악할 수 있는 격자상수의 변화자체는 매우 작은 값이기 때문에 상온과 900℃ 에서 기록된 전자회절패턴 상에서의 면간거리와 면간각도의 측정만으로는 상전이 여부를 명확히 구별할 수 없었다. 그러나, 결함에 의한 상변화가 900℃ 에서 심하게 관찰되어지는 것은 상전이와 관계가 있는 것으로 볼 수 있다. 고온에서 상온으로의 가역적 반응을 관찰할 수 없었던 이유는 열적산화로 생긴 산화층의 산소원자들이 고온의 상전이 과정 중에 Ti 원자와 반응이 일어나 TiO/sub X/ 구조로 전이되었기 때문으로 추정하고 있다.

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무선 센서 네트워크에서 False-Praise 공격 대응을 위한 합의 알고리즘 기반의 신뢰 메커니즘 연구 (A Trust Mechanism with Consensus Algorithm against False-Praise Attacks in WSNs)

  • 서태석;조영호
    • 한국컴퓨터정보학회:학술대회논문집
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    • 한국컴퓨터정보학회 2019년도 제59차 동계학술대회논문집 27권1호
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    • pp.115-118
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    • 2019
  • 무선 센서 네트워크(Wireless Sensor Network)는 낮은 배터리, 짧은 통신거리 등의 제한된 센서들의 성능에 기인하여 내부자공격(insider attacks)에 취약한 것으로 알려져 있는데, 내부자 공격에 대응하기 위한 대표저인 방법으로 노드들의 행위 관찰하여 신뢰도를 평가하고 낮은 신뢰도를 갖는 노드들을 제거하는 신뢰메커니즘(Trust Mechanism: TM)이 있다. TM은 평가노드 자신의 직접관찰 정보뿐만 아니라 이웃노드의 간접관찰 정보를 함께 고려하도록 발전되어 왔는데, False-Praise 공격은 의도적으로 거짓 관찰 정보를 평가노드에게 제공하여 TM의 신뢰도 평가 프로세스의 신뢰성을 훼손하는 지능적 공격이다. 본 논문에서는 False-Praise 공격에 대응을 위한 합의 알고리즘을 기반의 개선된 TM 제안하고, 실험을 통해 제안 체계의 성능과 효과를 검증한다.

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Al-Si 접합부의 직접관찰 (Direct Observations of Al-Si Junction Interface)

  • 이기선
    • Applied Microscopy
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    • 제8권1호
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    • pp.77-79
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    • 1978
  • Al-Si junctions were made by vacuum deposition of aluminium on to silicon wafers and examined by TEM. The uneven interfaces of the junctions are formed due to the surface tension of the molten solution resulting in preferential dissolution of silicon in aluminium at some areas. These undesirable uneven interfaces affect the junction shape and so the over-all characteristics of the devices.

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