• 제목/요약/키워드: 직류 바이어스 특성

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NiZn 페라이트코어를 이용하여 제작한 직교형 플럭스게이트 센서의 출력에 미치는 바이어스전류의 영향 (DC Bias Current Influence to the Sensitivity of Orthogonal Fluxgate Sensor Fabricated with NiZn Ferrite Core)

  • 신광호
    • 한국자기학회지
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    • 제23권3호
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    • pp.94-97
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    • 2013
  • 본 연구에서는 원통형 페라이트 코어와 페라이트코어를 관통하는 구리선, 그리고 검출 코일을 이용하여서 직교형 플럭스게이트 센서를 제작하고, 직류 바이어스 전류가 출력 감도에 미치는 영향에 대해서 조사하였다. 제작한 직교형 플럭스게이트 센서의 출력 및 감도는 구동주파수에 의존하였으며, 이는 검출코일 임피던스의 주파수특성이 나타내는 경향과 유사하였다. 직류 바이어스 전류가 교류 구동전류의 크기에 비해서 대략 50% 이상일 때 출력감도가 최대가 되었으며, 그 보다 큰 직류 바이어스 전류에 의해서는 출력감도가 포화되는 경향을 나타내었다.

ICPHFCVD법에 의한 탄소나노튜브의 생장 및 I-V 특성에 관한 연구 (A Study on the Growth of Carbon Nanotube by ICPHFCVD and their I-V Properties)

  • 김광식;류호진;장건익;장호정
    • 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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    • 한국마이크로전자및패키징학회 2002년도 춘계 기술심포지움 논문집
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    • pp.158-164
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    • 2002
  • 본 연구에서는 탄소나노튜브를 직류 바이어스가 인가된 유도결합형 플라즈마 열선 화학기상증착 장치를 이용하여 58$0^{\circ}C$ 이하의 저온에서 유리기판의 변형 없이 수직 배향 시켰다. 탄소나노튜브의 성장을 위해 강화유리기판 위에 전도층으로 Cr을 증착하였고, 그 위에 촉매 층으로 Ni을 순차적으로 RF magnetron cputtering 장치를 이용하여 증착 시켰다. 성장 시 탄소나노튜브의 저온에서의 좋은 특성을 위해 높은 온도에서의 열분해를 목적으로 텅스텐 필라멘트를 이용하였으며, 수직 배향 시키기 위해서 직류 바이어스를 이용하였다. 성장된 탄소나노튜브는 수직적으로 잘 배향 되었으며, 저온에서 좋은 특성을 보였다. 탄소나노튜브의 특성화에는 SEM, TEM을 관찰하였으며, Raman spectroscopy를 이용하여 흑연화도를 측정하였고, 전계방츨 특성은 전류 전압 특성곡선과 Fowler-Nordheim plots를 이용하였다.

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$BCl_3$/Ar 유도 결합 플라즈마 시스템을 이용한 ZnO 박막의 식각 특성 (Etch properties of ZnO thin films in the $BCl_3$/Ar inductively coupled plasma system)

  • 우종창;김관하;김경태;김종규;김창일
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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    • pp.1319-1320
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    • 2007
  • 본 연구는 ZnO 박막을 유도 결합 플라즈마를 이용하여, $BCl_3$/Ar 가스 혼합비, RF 전력, 직류 바이어스 전압과 공정 압력을 변경하면서 실험하였다. ZnO 박막의 최고 식각속도는 80%의 $BCl_{3}/(BCl_{3}+Ar)$에서 700 W의 RF 전력, -150 V의 직류 바이어스 전압, 15 mTorr의 공정 압력, $28^{\circ}C$의 기판 온도로 고정시켰을 때 50 nm/min 이었다. 이 조건에서 ZnO 박막과 $SiO_2$의 선택비는 0.75 이었다.

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$Fe_{78}Si_9B_{13}$ 비정질 합금의 초크 코어 특성에 미치는 열처리 효과 (Effects of Heat Treatment on Choke Core Properties in $Fe_{78}Si_9B_{13}$ Amorphous Alloys)

  • 노태환;장완희
    • 한국자기학회지
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    • 제10권5호
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    • pp.191-195
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    • 2000
  • Fe$_{78}$Si$_{9}$B$_{13}$ 비정질 합금을 스위칭 전원의 평활용 쵸크 코어로 사용하기 위한 최적 열처리 조건을 조사하였다. 코어의 모양은 자기경로 상에 공극을 넣지 않는 무공극형으로 하였으며, 보다 효과적으로 쵸크 코어 특성을 얻기 위해 산화 분위기 중에서 열처리하였다. 이 합금에서 가장 양호한 쵸크 코어 특성은 44$0^{\circ}C$, 2시간의 열처리에 의하여 얻어졌으며, 그 때의 실효투자율은 180 정도로서 수 MHz의 높은 주파수 영역에 이르기까지 그 크기가 일정하게 유지되었다. 또 12A가지의 직류 바이어스 전류 또는 8,000 A/m의 직류 바이어스 자장을 가하여도 실효투자율의 저하가 나타나지 않는 우수한 직류중첩 특성을 나타내었다. 그리고 교류 자심 손실도 종래의 쵸크 코어에 비해 상당히 낮은 것으로 나타났다. 이와 같은 열처리 조건하에서 비정질상은 미세한 $\alpha$-Fe 결정상의 석출 입자를 포함하는 혼합상으로 변태하는데 , 상기의 쵸크코어 특성은 주로 이들 미세 결정 입자에 의해 효과적으로 자벽 이동이 억제되고 자구가 미세화 되는 것에 기인하는 것으로 생각되었다.

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순방향 바이어스에 따른 교류 구동 적색 형광 OLED의 전계발광 특성 (Electroluminescent Characteristics of AC Driving Red Fluorescent OLED with Forward Bias)

  • 서정현;공도훈;배진성;주성후
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2015년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.269-270
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    • 2015
  • 상용 교류전원 환경에서 구동되는 조명용 OLED의 연구를 위하여 적색 형광 소자를 제작하여 교류 순방향 바이어스 인가에 따른 유기 전계발광 소자의 발광 특성을 분석하였다. 순방향 교류전원으로 구동된 유기발광 소자의 경우 직류 구동 방식과 비교하여 인가전압에 따른 전류 밀도와 발광 휘도는 유사한 특성을 나타내나, 높은 구동 전압에서 시간에 따른 열화가 빠르게 진행되는 결과를 나타내었다. 이러한 원인은 동일한 인가전압에서 교류의 경우 첨두치 전압이 높아 OLED 구동에 치명적인 열화의 원인으로 작용한다는 것을 실험적으로 확인하였다. 조명 용도로 교류전원 환경에서 OLED를 직결로 구동시키기 위해서는 소자를 안정적으로 구동할 수 있는 전압 범위의 첨두치 전압 조건에서 충분한 휘도와 효율 특성이 요구됨을 본 연구 결과를 통해 알 수 있다.

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실리콘 산화막의 트랩 밀도에 관한 연구 (A study on the Trap Density of Silicon Oxide)

  • 김동진;강창수
    • 전자공학회논문지T
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    • 제36T권1호
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    • pp.13-18
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    • 1999
  • 본 논문은 서로 두께가 다른 실리콘 산화막의 스트레스 바이어스에 의한 트랩밀도를 조사하였다. 스트레스 바이어스에 의한 트랩밀도는 인가 시간 동안의 전류와 인가 후의 전류로 구성되어 있다. 인가 시간 동안의 트랩밀도는 직류 전류로 구성되었으며 인가 후의 트랩 밀도는 계면에서 트랩의 충전과 방전에 의한 터널링에 희해 야기되었다. 스트레스 인가 동안의 트랩밀도는 산화막 두께의 한계를 평가하는데 사용되며 스트레스 인가 후의 트랩밀도는 비휘발성 기억소자의 데이터 유지 특성을 평가하는데 사용된다.

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CFD-ACE+를 이용한 ICP + pulsed dc bias system의 수치 모델링 (Numerical modeling of ICP with pulsed dc bias using CFD-ACE+)

  • 주정훈
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2009년도 추계학술대회 초록집
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    • pp.127-127
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    • 2009
  • 고밀도 유도 결합 플라즈마와 함께 -1 kV의 높은 펄스 직류 바이어스를 이용한 플라즈마 공정 장치를 CFD-ACE+를 이용하여 시변 모델로 해석하였다. 수 kHz의 낮은 펄스주파수와 $5{\mu}s$의 빠른 펄스 상승 시간의 효과에 의한 플라즈마 특성을 모사한 결과 전자 온도의 상승과 그에 의한 플라즈마 가열은 펄스 상승 시간 보다 수 ${\mu}s$늦게 발생하였으며 쉬스의 팽창은 Ar 10 mTorr에서 약 20 mm정도이며 계산된 전자 온도는 최고 20 eV에 이른다.

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