• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2008.11a
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• pp.17.1-17.1
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• 2008

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.23 no.3
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• pp.94-97
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• 2013

Orthogonal fluxgate sensor was fabricated with cylinder-shaped NiZn ferrite core, Cu wire through the core and pickup coil wound on the core, and the bias current effect on the output sensitivity of it was investigated. The output ($$\sim_\sim$$ sensitivity) of the sensor was largely dependent on the operation frequency, and the tendency of sensor output was similar to that of the impedance of pickup coil. The maximum output was obtained by adding the DC bias current of which value was over 50% of the excitation current. The output was saturated when the DC bias current was larger than 50% of the excitation current.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2002.05a
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• pp.146-146
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• 2002

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2002.05a
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• pp.145-145
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• 2002

• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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• 2002.05a
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• pp.158-164
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• 2002

본 연구에서는 탄소나노튜브를 직류 바이어스가 인가된 유도결합형 플라즈마 열선 화학기상증착 장치를 이용하여 58$0^{\circ}C$ 이하의 저온에서 유리기판의 변형 없이 수직 배향 시켰다. 탄소나노튜브의 성장을 위해 강화유리기판 위에 전도층으로 Cr을 증착하였고, 그 위에 촉매 층으로 Ni을 순차적으로 RF magnetron cputtering 장치를 이용하여 증착 시켰다. 성장 시 탄소나노튜브의 저온에서의 좋은 특성을 위해 높은 온도에서의 열분해를 목적으로 텅스텐 필라멘트를 이용하였으며, 수직 배향 시키기 위해서 직류 바이어스를 이용하였다. 성장된 탄소나노튜브는 수직적으로 잘 배향 되었으며, 저온에서 좋은 특성을 보였다. 탄소나노튜브의 특성화에는 SEM, TEM을 관찰하였으며, Raman spectroscopy를 이용하여 흑연화도를 측정하였고, 전계방츨 특성은 전류 전압 특성곡선과 Fowler-Nordheim plots를 이용하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2007.07a
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• pp.1319-1320
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• 2007

본 연구는 ZnO 박막을 유도 결합 플라즈마를 이용하여, $BCl_3$/Ar 가스 혼합비, RF 전력, 직류 바이어스 전압과 공정 압력을 변경하면서 실험하였다. ZnO 박막의 최고 식각속도는 80%의 $BCl_{3}/(BCl_{3}+Ar)$에서 700 W의 RF 전력, -150 V의 직류 바이어스 전압, 15 mTorr의 공정 압력, $28^{\circ}C$의 기판 온도로 고정시켰을 때 50 nm/min 이었다. 이 조건에서 ZnO 박막과 $SiO_2$의 선택비는 0.75 이었다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.10 no.5
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• pp.191-195
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• 2000

With the object of developing a non-gap choke core, effects of annealing in oxygen atmosphere on magnetic properties for Fe$_{78}$Si$_{9}$B$_{13}$ amorphous alloy were investigated. After annealing for 2 hrs at 440 $^{\circ}C$, optimum magnetic properties for choke core were obtained, where the effective permeability was 180 and was almost constant up to several MHz, and the decrease in permeability upon large DC bias current of 12 A or DC bias magnetic field of 8,000 A/m was very little. Moreover the AC magnetic loss was very low as compared to the conventional choke cores. Upon the optimum annealing, the magnetic hysteresis loop was inclined accompanying the increase of coercive force and the appearance of fine crystallites of $\alpha$-Fe phase. The good choke core properties was considered to be due to the suppression of domain boundary motion and domain refinement by the crystallites.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.11a
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• pp.269-270
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• 2015

상용 교류전원 환경에서 구동되는 조명용 OLED의 연구를 위하여 적색 형광 소자를 제작하여 교류 순방향 바이어스 인가에 따른 유기 전계발광 소자의 발광 특성을 분석하였다. 순방향 교류전원으로 구동된 유기발광 소자의 경우 직류 구동 방식과 비교하여 인가전압에 따른 전류 밀도와 발광 휘도는 유사한 특성을 나타내나, 높은 구동 전압에서 시간에 따른 열화가 빠르게 진행되는 결과를 나타내었다. 이러한 원인은 동일한 인가전압에서 교류의 경우 첨두치 전압이 높아 OLED 구동에 치명적인 열화의 원인으로 작용한다는 것을 실험적으로 확인하였다. 조명 용도로 교류전원 환경에서 OLED를 직결로 구동시키기 위해서는 소자를 안정적으로 구동할 수 있는 전압 범위의 첨두치 전압 조건에서 충분한 휘도와 효율 특성이 요구됨을 본 연구 결과를 통해 알 수 있다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics T
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• v.36T no.1
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• pp.13-18
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• 1999

The trap density by the stress bias in silicon oxides with different thicknesses has been investigated. The trap density by stress bias was shown to be composed of on time current and off time current. The on time trap density was composed of dc current. The off time trap density was caused by the tunneling charging and discharging of the trap in the interfaces. The on time trap density was used to estimate to the limitations on oxide thicknesses. The off time trap density was used to estimate the data retention in nonvolatile memory devices.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.10a
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• pp.127-127
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• 2009

고밀도 유도 결합 플라즈마와 함께 -1 kV의 높은 펄스 직류 바이어스를 이용한 플라즈마 공정 장치를 CFD-ACE+를 이용하여 시변 모델로 해석하였다. 수 kHz의 낮은 펄스주파수와 $5{\mu}s$의 빠른 펄스 상승 시간의 효과에 의한 플라즈마 특성을 모사한 결과 전자 온도의 상승과 그에 의한 플라즈마 가열은 펄스 상승 시간 보다 수 ${\mu}s$늦게 발생하였으며 쉬스의 팽창은 Ar 10 mTorr에서 약 20 mm정도이며 계산된 전자 온도는 최고 20 eV에 이른다.