• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.21 no.4
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• pp.65-71
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• 1984

The design formular of optical focusing systems cannot be applied to ultrasonic B scanners, which use broadband pulses instead of continuous wave. In this paper, a calculation method is studied for analyzing the propagation of ultrasonic broadband pulse excited by ultrasonic array transducers. Using the results, seveial design parameters such as the number of transducer elements, delay time, and the focal point are determined to obtain high resolution in the ultrasonic dynamic focusing system. A dynamic focusing system with low-noise switching characteristics; which attains lateral resolution of 2-3mm all along the axial direction up to 18 cm with a 3.5 MHz linear array transducer, was implemented.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.409-409
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• 2013

최근, 집적 소자의 미세화에 따라 늘어난 배선 신호 지연 및 상호 간섭, 그리고 소비 전력의 증가는 초고집적 소자 성능 개선에 한계를 가져온다. 이에 따라 기존의 알루미늄(Al)/실리콘 절연 산화막은 구리(Cu)/저유전율 박막(low-k)으로 대체되고 있고, 이는 소자 성능 개선에 큰 영향을 미친다. 그러나 Cu는 Si과 low-k 내부로 확산이 빠르게 일어나 소자의 비저항을 높이고, 누설 전류를 일으키는 등 소자의 성능을 저하시킬 수 있는 문제점을 가지고 있다. 이러한 Cu의 확산을 막기 위하여 Ta, TaN 등과 같은 확산방지막에 대한 연구가 활발히 진행되어 왔으나, 배선 공정의 집적화와 low-k 대체에 따른 공정 및 신뢰성 문제로 인해 새로운 확산방지막의 개발이 필요하게 되었다. 이를 위해, 본 연구에서는 Cu-V 합금을 사용하여 low-k 기판 위에 확산방지막을 자가 형성 시키는 공정에 대한 연구를 진행하였다. 다양한 low-k 기판에서 열처리조건에 따른 Cu-V 합금의 특성을 확인하기 위해 4-point probe를 통한 비저항 평가와 XRD (X-ray diffraction) 분석이 이뤄졌다. 또한, TEM (transmission electron microscope)을 이용하여 $300^{\circ}C$에서 1 시간 동안 열처리를 거쳐 자가형성된 V-based interlayer가 low-k와 Cu의 계면에서 균일하게 형성된 것을 확인하였다. 형성된 V-based interlayer의 barrier 특성을 평가하고자 Cu-V합금/low-k/Si 구조와 Cu/low-k/Si 구조의 leakage current를 비교 분석하였다. Cu/low-k/Si 구조는 비교적 낮은 온도에서 leakage current가 급격히 증가하는 양상을 보였으나, Cu-V 합금/low-k/Si 구조는 $550^{\circ}C$의 thermal stress 에서도 leakage current의 변화가 거의 없었다. 이러한 결과를 바탕으로 열처리를 통해 자가형성된 V-based interlayer의 Cu/low-k 간 확산방지막으로서 가능성을 검증하였다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2010.05a
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• pp.54.1-54.1
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• 2010

산화물 기반의 TFT는 유리, 금속, 플라스틱 등 기판 종류에 상관없이 균일한 제작이 가능하며, 상온 및 저온에서 대면적으로 제작이 가능하고, 저렴한 비용으로 제작 가능하다는 장점 때문에 최근 많은 연구가 이루어지고 있다. 현재 TFT 물질로 많이 연구되고 있는 산화물은 ZnO (3.4 eV)나 InOx (3.6 eV), GaOx (4.9 eV), SnOx(3.7 eV)등의 물질과 각각의 조합으로 구성된 재료들이 주로 사용되고 있으며, 가장 많은 연구가 이루어진 ZnO 기반의 TFT는 mobility와 switching 속도에서 우수한 특성을 보이나, 트렌지스터의 안정성이 떨어지는 것으로 보고 되고 있다. 그러나 IGZO 물질의 경우 결정학적으로 비정질이며 상온 및 저온에서 대면적으로 제작이 가능하고, 높은 전자 이동도의 특성을 가지고 있는 장점 때문에 최근 차세대 산화물 트렌지스터로 각광받고 있다. IGZO TFT 소자의 경우 Ag, Au, In, Pt, Ti, ITO 등 다양한 전극 물질이 사용되고 있는데, 이들 중 active channel과 ohmic contact을 이루는 Al, Ti, Ag의 적용을 통해 향상된 성능을 얻을 수 있다. 하지만 이들 전극 재료는 TFT 소자 제작시 필수적인 열처리 공정에 노출되면서 active channel 과 전극 사이 계면에 문제점을 야기할 수 있다. 특히, Ti의 경우 산화가 잘되기 때문에 전극계면에 TiO2를 형성하여 contact resistance의 큰 영향을 미치는 것으로 보고 되고 있다. 본 연구에서는 ohmic 전극재료인 Ti 또는 Ti/Au를 적용하여 TFT 소자 제작 및 특성에 대한 평가를 진행했으며, 열처리에 따른 전극과 IGZO 계면 사이의 미세구조와 전기적인 특성간의 상관관계를 연구하였다. 이를 통해, 소자 제작 공정을 최적화하고 신뢰성 있는 소자 특성을 얻을 수 있었다.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.18 no.9
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• pp.1248-1256
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• 1993

The propagation and delay properties in opical fiber are particularly attractive because digital signal processing and conventional analog signal processing techniques such as those using surface acoustic wave devices are limited In their usefulness for signal bandwidth exceeding one or two GHz, although they are very effective at lower frequencies. Since an accurate, low loss and short time delay elements can be obtained by using such an optical fiber, optical signal precessing has attracted much attention for high speed and broad-band signal precessing in particular channel separation filtering for optical FDM signals. In this paper, we consider a coherent optical lattice filter, which uses coherent light sources and consists of directional couplers and optical fiber delay elemnts. The optical fiber fitters are more restricted than the usual digital filters. The reasons are as follows. 1) the coupling coefficients of directional couplers are restricted to the number between 0 and 1. 2) optical signal E(complex amplitude) is divided into J If-$\boxUl$ and J L/7$\div$$\boxUl$ at the directional coupler. Considering these restrictions and in this case all the coupling coefficients of summing and branching elements are set to be equal, we have given design formulae for optical lattice filter, which make the best use of optical signal energy.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.38 no.5
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• pp.323-328
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• 2001

A new time-to-digital converter is proposed which is based on a capacitor and a counter. The conventional time-to-digital converter requires rather longer processing time than the input time interval to obtain an accurate digital output. The resolution of the converted digital output is constant independent on the input time interval. However this study proposes the circuit in which the converted digital output can be obtained without delay time, and both the input time interval and the resolution can be easily improved through controlling passive device parameters.

• Proceedings of the Korean Society of Computer Information Conference
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• 2013.07a
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• pp.261-263
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• 2013

본 논문에서는 회로 구현 디바이스에 따른 저전력 알고리즘을 제안한다. 제안한 알고리즘은 회로를 구현할 디바이스의 면적과 동작 주파수를 고려하여 저전력의 회로를 구현할 수 있는 방법이다. 저전력의 회로를 구현하기 위해 우선 구현하고자 하는 회로를 구성하고 있는 라이브러리들 중에서 최소의 면적을 가지고 있는 라이브러리들을 선택한다. 선택된 라이브러리들의 면적과 지연시간을 이용하여 회로 구현 대상 소자의 면적에 따라 필수 라이브러리들의 면적을 제외한 나머지 면적에 대해 복제가 가능한 라이브러리들의 수를 구한다. 최대의 지연시간을 가지고 있는 라이브러리부터 면적에 따라 차례로 복제를 수행하여 회로 전체의 수행시간을 감소시킨다. 회로 구현의 라이브러리들과 수가 결정되면 회로 동작이 허용하는 범위내에서 주파수를 조절하여 최소의 소모 전력을 갖는 회로를 구현한다. 본 논문에서는 제안한 알고리즘의 효율성을 입증하기 위해 RT 라이브러리를 이용하여 회로를 구현하여 비교 실험을 수행하였다. 실험결과 8.3%의 소모 전력이 감소된 결과를 나타내어 제안한 알고리즘의 우수성이 입증되었다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.17 no.6
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• pp.86-92
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• 1980

This paper dealt with an oscillator which can be integrated and 1 he switching characteristics of the transistor as a component of multistage switching circuits . The switching characteristics were analyzed by utilizing the base voletare and the charactistics of the minit step function. Taking the storage time of the transistor into consideration, the transistor is considered as a time delay device, and an integrable time delay circuit an osicillator are realized.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.5 no.2
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• pp.163-169
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• 2000

From the viewpoint of the cost effective design of power conversion systems, it is very important to fully u utilize the CillTent capacity of power devices over all circumstances. Therefore this paper deals with the l practical design of digital CillTent controller to meet the requirements of fast and overshoot free control r response over the varying control voltage bOlmds, the accompanied computational delay, and the system U W1certainties. The proposed controller consists of high gain PI control schemes using both the conditional i integrator and the modified delay compensator. The simulation and experimental results show the validity of t the proposed controller.

• Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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• 2006.05a
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• pp.200-204
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• 2006

본 연구에서는 새로 고안된 NOT-AND 논리에 의한 방전 논리 gate PDP의 입력 DC 방전특성에 대해 고찰하고 동작특성을 해석하였다. 새로 고안된 방전 AND gate는 방전 경로에 따른 전극사이의 전위차의 변화로 AND 출력을 유도한다. 이러한 방전 논리 소자를 가지는 PDP에서는 직류방전이 논리게이트의 역할을 한다. 실험결과 이 DC 입력방전을 위해 priming 방전을 인가한 경우가 인가하지 않은 경우에 비해 방전지연시간이 1/3로 단축되며 방전개시전압은 1/2로 감소하였다. 또한 이 priming 방전은 방전종료후 $30{\mu}s$ 정도까지 영향을 미친다. 그리고 이 직류방전의 시간적, 위치적 방전특성을 측정한 결과, 방전에 따른 시간적 거리의 변화는 상당한 영향을 미치나 인접 전극들의 위치적인 영향은 거의 미미하다는 결론을 얻었다.

• Journal of KIISE:Computer Systems and Theory
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• v.26 no.5
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• pp.595-601
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• 1999

기본 배년 네트워크의 내부 링크를 확장계수배만큼 확장한 확장 배년 네트워크는 기존 병렬처리 컴퓨터나 ATM 스위칭 시스템을 위한 효율적인 통신하부구조로서 여겨져왔다. 본 논문에서는 특히 각 스위치 소자 내부 버퍼가 있는 확장 배년 네트워크의 성능 분석 모델을 마코프 체인에 기초하여 제안한다. 제안한 분석모델에 의해 도출된 네트워크 지연시간과 정규처리율의 값을 모의실험결과와 비교하고, 네트워크 부하가 높고 확장계수가 작은 경우를 제외하고는 두 결과값이 항상 일치함을 보인다. 이러한 확장 배년 네트워크는 스위치의 크기와 관계없이 확장 계수가 3 이상이면 이상적인 처리율과 지연시간을 나타낸다.