• Title/Summary/Keyword: 증착률

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A study of dry cleaning for metallic contaminants on a silicon wafer using UV-excited chlorine radical (UV-excited chlorine radical을 이용한 실리콘 웨이퍼상의 금속 오염물의 건식세정에 관한 연구)

  • 손동수;황병철;조동률;김경중;문대원;구경완
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.6 no.1
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    • pp.9-19
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    • 1997
  • The reaction mechanisms of dry cleaning with UV-excited chlorine radical for Zn, Fe and Ti trace contaminants on the Si wafer have been studied by SEM, AFM and XPS analyses in this work. The patterned Zn, Fe and Ti films were deposited on the Si wafer surface by thermal evaporation and changes in the surface morphology after dry cleaning with $Cl_2$and UV/$Cl_2$at $200^{\circ}C$ were studied by optical microscopy and SEM. In addition, changes in the surface roughness of Si wafer with the cleaning was observed by AFM. The chemical bonding states of the Zn, Fe and Ti deposited silicon surface were observed with in-line XPS analysis. Zn and Fe were easily cleaned in the form of volatile zinc-chloride and iron-chloride as verified by the surface morphology changes. Ti which forms involatile oxides was not easily removed at room temperature but was slightly removed by UV/$Cl_2$at elevated temperature of $200^{\circ}C$. It was also found that the surface roughness of the Si wafer increased after $Cl_2$and UV/$Cl_2$cleaning. Therefore, the metallic contaminants on the Si wafer can be easily removed at lower temperature without surface damage by a continuous process using wet cleaning followed by UV/$Cl_2$dry cleaning.

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Magnetic Properties of Monolayer-thiciness InP(001)(2×4) Reconstruction Surface (InP(001)(2×4)재구성된 표면 위에 원자층 단위로 증착된 Co 박막의 자성 특성)

  • Park, Yong-Sung;Jeong, Jong-Ryul;Lee, Jeong-Won;Shin, Sung-Chul
    • Journal of the Korean Magnetics Society
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    • v.14 no.3
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    • pp.89-94
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    • 2004
  • We have investigated magnetic properties of monolayer (ML)-thickness Co film deposited on InP(2${\times}$4) reconstruction surface using in situ Surface Magneto-Optical Kerr Effects (SMOKE) measurement system. InP(2${\times}$4) reconstruction surface, obtained by repeated sputtering and annealing, was confirmed by reflection hish energy electron diffraction (RHEED) and scanning tunneling microscope (STM) measurements. From both longitudinal and polar SMOKE measurements, we have observed three distinguishable regions showing different magnetic properties depending on the Co thickness. In the Co film thickness smaller than 7 $m\ell$, no SMOKE signal was detected. In the following thickness between 8 $m\ell$ and 15 $m\ell$, both longitudinal and polar Kerr hysteresis loops were observed, which implies a metastable phase coexisted of in-plane and perpendicular anisotropies. In the film thickness larger than 16 $m\ell$, only longitudinal MOKE signal without polar signal was detected, which implies existence of in-plane anisotropy in this thickness region.

Deposition of thick free-standing diamond wafer by multi(7)-cathode DC PACVD method

  • 이재갑;이욱성;백영준;은광용;채희백;박종완
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 1999.07a
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    • pp.214-214
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    • 1999
  • 다이아몬드를 반도체용 열방산용기판 등으로 사용하기 위해서는 수백 $\mu\textrm{m}$ 두께의 대면적 웨이퍼가 요구된다. 이를 위해서 DC are jet CVD, MW PACVD, DC PACVD 등이 개발되어, 현재 4"에서 8"까지의 많은 문제를 일으키고 있다. 본 연구에서는 multi-cathode DC PACVD법에 의한 4" 다이아몬드 웨이퍼의 합성과 합성된 막의 특성변화에 대한 연구를 수행하였다. 또한, 웨이퍼의 휨과 crack 발생거동과 대한 고찰을 통래 휨과 crack이 없는 웨이퍼의 제작방법을 고안하였다. 사용된 음극의 수는 일곱 개이며, 투입된 power는 각 음극 당 약 2.5kW(4.1 A-600V)이었다. 사용된 기판의 크기는 직경 4"이었다. 합성압력은 100Torr, 가스유량은 150sccm, 증착온도는 125$0^{\circ}C$~131$0^{\circ}C$, 수소가스네 메탄조성은 5%~8%이었다. 합성 중 막에 인가되는 응력은 합성 중 증착온도의 변화에 의해 제어하였다. 막의 결정도는 Raman spectroscopy 및 열전도도를 측정을 통해 분석하였다. 성장속도 및 다이아몬드 peak의 반가폭은 메탄조성 증가(5%~8%)에 따라 증가하여 각각 6.6~10.5$\mu\textrm{m}$/h 및 3.8~5.2 cm-1의 분포를 보였다. 6%CH4 및 7%CH4에서 합성된 웨이퍼에서 측정된 막의 열전도도는 11W/cmK~13W/cmK 정도로 높게 나타났다. 막두께의 uniformity는 최대 3.5%로 매우 균일하였다. 막에 인가되는 응력의 제어로 직경 4"k 합성면적에서 두께 1mm 이상의 균열 및 휨이 없는 다이아몬드 자유막 웨이퍼를 합성할 수 있었다.다이아몬드 자유막 웨이퍼를 합성할 수 있었다.active ion에 의해 sputtering 이 된다. 이때 plasma 처리기의 polymer 기판 후면에 magnet를 설치하여 높은 ionization을 발생시켜 처리 효과를 한층 높여 주었다. 이 plasma 처리는 표면 청정화, 표면 etching 이 동시에 행하는 것과 함께 장시간 처리에 의해 표면에서는 미세한 과, C=C기, -C-O-의 극성기의 도입에 의한 표면 개량이 된다는 것을 관찰할 수 있다. OPP polymer 표면을 Ar 100%로 plasma 처리한 경우 C-O, C=O 등의 carbonyl가 발생됨을 알 수 있었다. C-O, C=O 등의 carbynyl polor group이 도입됨에 따라 sputter된 Al의 접착력이 향상됨을 알 수 있으며, TEM 관찰 결과 grain size도 상당히 작아짐을 알 수 있었다.onte-Carlo 방법으로 처리하였다. 정지기장해석의 경우 상용 S/W인 Vector Fields를 사용하였다. 이를 통해 sputter 내 플라즈마 특성, target으로 입사하는 이온에너지 및 각 분포, 이들이 target erosion 형상에 미치는 영향을 살펴보았다. 또한 이들 결과로부터 간단한 sputtering 모델을 사용하여 target으로부터 sputter된 입자들이 substrate에 부착되는 현상을 Monte-Carlo 방법으로 추적하여 성막특성도 살펴보았다.다.다양한 기능을 가진 신소재 제조에 있다. 또한 경제적인 측면에서도 고부가 가치의 제품 개발에 따른 새로운 수요 창출과 수익률 향상, 기존의 기능성 안료를 나노(nano)화하여 나노 입자를 제조, 기존의 기능성 안료에 대한 비용 절감 효과등을 유도 할 수 있다. 역시 기술적인 측면에서도 특수소재 개발에 있어 최적의 나노 입자 제어기술 개발 및 나노입자를 기능성 소재로 사용하여 새로운 제품의 제조와 고압 기상

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플라즈마 공정 진단을 위한 공간 분해 발광 분광 분석법 소개

  • Park, Chang-Hui;Kim, Dong-Hui;Choe, Seong-Won;Lee, Chang-Seok
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.08a
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    • pp.81-81
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    • 2013
  • 반도체, LCD, MEMs 등 미세 전자소자의 제작과 깊은 관련이 있는 IT 산업은 자동차 산업과 함께 세계 경제를 이끌고 있는 핵심 산업이며, 그 발전 가능성이 크다고 할 수 있다. 이 중 반도체, LCD 공정 기술에 관해서 대한민국은 세계를 선도하여 시장을 이끌어 나가고 있는 실정이다. 이들의 공정기술은 주로 높은 수율(yield)을 기반으로 한 대량 생산 기술에 초점이 맞추어져 있기 때문에, 현재와 같은 첨예한 가격 경쟁력이 요구되는 시대에서 공정 기술 개발을 통해 수율을 최대한으로 이끌어 내는 것이 현재 반도체를 비롯한 미세소자 산업이 직면하고 있는 하나의 중대한 과제라 할 수 있다. 특히 반도체공정에 있어 발전을 거듭하여 현재 20 nm 수준의 선폭을 갖는 소자들의 양산이 계획 있는데 이와 같은 나노미터급 선폭을 갖는 소자 양산과 관련된 CD (critical dimension)의 감소는 공차의 감소를 유발시키고 있으며, 패널의 양산에 있어서 생산 효율 증가를 위한 기판 크기의 대형화가 이루어지고 있다. 또한, 소자의 집적도를 높이기 위하여 높은 종횡비(aspect ratio)를 요구하는 공정이 일반화됨에 따라 단일 웨이퍼 내에서의 공정의 균일도(With in wafer uniformity, WIWU) 및 공정이 진행되는 시간에 따른 균일도(Wafer to wafer uniformity)의 변화 양상에 대한 파악을 통한 공정 진단에 대한 요구가 급증하고 있는 현실이다. 반도체 및 LCD 공정에 있어서 공정 균일도의 감시 및 향상을 위하여 박막, 증착, 식각의 주요 공정에 널리 사용되고 있는 플라즈마의 균일도(uniformity)를 파악하고 실시간으로 감시하는 것이 반드시 필요하며, 플라즈마의 균일도를 파악한다는 것은 플라즈마의 기판 상의 공간적 분포(radial direction)를 확인하여 보는 것을 의미한다. 현재까지 플라즈마의 공간적 분포를 진단하는 대표적인 방법으로는 랭뮤어 탐침(Langmuir Probe), 레이저 유도 형광법(Laser Induced Fluorescence, LIF) 그리고 광섬유를 이용한 발광분광법(Optical Emission Spectroscopy, OES)등이 있으나 랭뮤어 탐침은 플라즈마 본연의 상태에서 섭동(pertubation) 현상에 의한 교란, 이온에너지 측정의 한계로 인하여 공정의 실시간 감시에 적합하지 않으며, 레이저 유도 형광법은 측정 물질의 제한성 때문에 플라즈마 내부에 존재하는 다양한 종의 거동을 살필 수 없다는 단점 및 장치의 설치와 정렬(alignment)이 상대적으로 어려워 산업 현장에서 사용하기에 한계가 있다. 본 연구에서는 최소 50 cm에서 최대 400 cm까지 플라즈마 내 측정 거리에서 최대 20 mm 공간 분해가 가능한 광 수광 시스템 및 플라즈마 공정에서의 라디칼의 상태 변화를 분광학적 비접촉 방법으로 계측할 수 있는 발광 분광 분석기를 접목하여 플라즈마 챔버 내의 라디칼 공간 분포를 계측할 수 있는 진단 센서를 고안하고 이를 실 공정에 적용하여 보았다. 플라즈마 증착 및 식각 공정에서 형성된 박막의 두께 및 식각률과 공간 분해발광 분석법을 통하여 계측된 결과와의 매우 높은 상관관계를 확인하였다.

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Experimental Study of Interfacial Friction in NaBH4 Solution in Microchannel Dehydrogenation Reactor (마이크로채널 탈수소 화학반응기에서 수소화붕소나트륨 수용액의 계면마찰에 대한 실험연구)

  • Choi, Seok Hyun;Hwang, Sueng Sik;Lee, Hee Joon
    • Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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    • v.38 no.2
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    • pp.139-146
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    • 2014
  • Sodium borohydride ($NaBH_4$) is considered as a secure metal hydride for hydrogen storage and supply. In this study, the interfacial friction of two-phase flow in the dehydrogenation of aqueous $NaBH_4$ solution in a microchannel with a hydraulic diameter of $461{\mu}m$ is investigated for designing a dehydrogenation chemical reactor flow passage. Because hydrogen gas is generated by the hydrolysis of $NaBH_4$ in the presence of a ruthenium catalyst, two different flow phases (aqueous $NaBH_4$ solution and hydrogen gas) exist in the channel. For experimental studies, a microchannel was fabricated on a silicon wafer substrate, and 100-nm ruthenium catalyst was deposited on three sides of the channel surface. A bubbly flow pattern was observed. The experimental results indicate that the two-phase multiplier increases linearly with the void fraction, which depends on the initial concentration, reaction rate, and flow residence time.

Study on the Compensation of Dielectric Constant in Dielectric Materials (절연박막에서 유전상수의 보상에 관한 연구)

  • Oh, Teresa
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.18 no.6
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    • pp.435-439
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    • 2009
  • The reason of lowering the dielectric constant of SiOC film was studied using parameters obtained from C-V measurement and refractive index. SiOC film was formed by the force of ionic bonding during the recombination of dissociated gases. Generally, the dielectric constant was obtained from the square of the refractive index or C-V measurement using the metal/insulator/Si structure. The dielectric constant consists of the ionic and electronic elements. It was researched about the dielectric constant of SiOC film using the average of the ionic and electronic elements. The dielectric constant decreased after annealing process. As deposited films trended toward the dielectric constant consisted of most ionic elements, on the other hand, annealed films mostly consisted of electronic elements. Because the effect of ionic elements reduced after annealing. Consequently, it was found that the electronic effect of SiOC film increased and the ionic effect of SiOC film decreased by the after-annealing.

Effects of the Bonding Structure and Thickness on the Leakage Current of Semiconductors as Insulators (반도체 절연박막의 두께변화와 결정성에 대한 누설전류의 의존성)

  • Oh, Teresa
    • Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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    • v.15 no.12
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    • pp.7283-7286
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    • 2014
  • SiOC films were prepared as insulators for displays by sputtering at low temperatures, and the relationship with the electrical properties waaas examined. The electrical properties of SiOC films were affected by the annealing process, and SiOC films annealed at 100oC showed a significant increase in thickness and a decrease in the reflective index. XRD revealed an increase in the degree of the amorphous structure. Moreover, the capacitance and leakage current of the SiOC films annealed at 100oC decreased. These characteristics of SiOC films highlight their potential as ideal insulators. Amorphous SiOC films by the reduction of polarization are dependent on the elongation effect of the bonding lengths in the structure and the thickness. The properties of these SiOC films are suitable for low temperature displays.

Transition Metal Oxide Multi-Layer Color Glass for Building Integrated Photovoltaic System (BIPV 시스템을 위한 전이금속 산화물 다중층 컬러 유리 구현 기술 연구)

  • Ahn, Hyeon-Sik;Gasonoo, Akpeko;Jang, Eun-Jeong;Kim, Min-Hoi;Lee, Jae-Hyun;Choi, Yoonseuk
    • Journal of IKEEE
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    • v.23 no.4
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    • pp.1128-1133
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    • 2019
  • This paper proposed colored front panel glass for Building Integrated Photovoltaic (BIPV) systems using multi-layered thin films composed of transition metal oxide (TMO) layers. Molybdenum oxide (MoO3) and tungsten oxide (WO3) provided complementary and suitable materials in making effective interference of reflected light from interfaces with significant difference in refractive indices. A simple, fast, and cheap fabrication method was achieved by depositing the multi-layer films in a single thermal evaporator. Magenta colored glass with optical transmittance of more than 90% was achieved with MoO3 (60nm)/WO3(100nm) multi-layered film. This technology could play in a critical role in commercial BIPV system applications.

An Integrated Mach-Zehnder Interferometric Sensor based on Rib Waveguides (Rib 도파로 기반 집적 마흐젠더 간섭계 센서)

  • Choo, Sung-Joong;Park, Jung-Ho;Shin, Hyun-Joon
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.47 no.4
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    • pp.20-25
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    • 2010
  • An integrated Mach-Zehnder interferometric sensor operating at 632.8 nm was designed and fabricated by the technology of planar rib waveguides. Rib waveguide based on silica system ($SiO_2-SiO_xN_y-SiO_2$) was geometrically designed to have single mode operation and high sensitivity. It was structured by semiconductor fabrication processes such as thin film deposition, photolithography, and RIE (Reactive Ion Etching). With the power observation, propagation loss measurement by cut-back method showed about 4.82 dB/cm for rib waveguides. Additionally the chromium mask process for an etch stop was employed to solve the core damaging problem in patterning the sensing zone on the chip. Refractive index measurement of water/ethanol mixture with this device finally showed a sensitivity of about $\pi$/($4.04{\times}10^{-3}$).

Polymeric Waveguide Bio Sensors with Bragg Gratings (브래그 격자 광도파로형 바이오 센서)

  • Lee, Jae-Hyun;Kim, Gyeong-Jo;Oh, Min-Choel
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.17 no.1
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    • pp.54-59
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    • 2006
  • Biophotonic sensors based on polymer waveguide with Bragg reflection grating are demonstrated in this work. Waveguide Bragg reflectors were designed by using the effective index method and the transmission matrix method. The grating pattern was formed by exposing the laser interference pattern on a photoresist. On top of the inverted rib waveguide, the Bragg reflection grating was inscribed by the O2 plasma etching. In order to perform the bio-molecule detection experiment, a calixarene molecule was self-assembled on top of thin Au film deposited on the waveguide Bragg reflector. To measure the response of the sensor, several PBS solutions with different concentrations of potassium ion from 1 pM to $100\;{\mu}M$ were dropped on the sensor surface. The shift of Bragg reflection wavelength was observed from the fabricated sensor device, which was proportional to the concentration of potassium ion ranging from 1 pM to 108 pM.