• 한국막학회:학술대회논문집
• /
• 한국막학회 1993년도 추계 총회 및 학술발표회
• /
• pp.30-30
• /
• 1993

Polysulfone은 물리적, 화학적 성질이 우수한 재질로 분리막의 소재로 많이 이용되고 있다. 대부분의 막이 sieving mechanism에 기초를 두고 있기 때문에, 크기가 비슷한 물질의 혼합물일 경우는 분리할 수가 없다. 그러나 고정된 전하를 가지고 있는 Polysulfone 하전막을 제조하여, 전기적 효과에 의해서 전하를 띠는 물질과 중성인 물질을 분리해 낼 수 있다. 또한 하전막은 막과 동일한 전하를 가지고 있는 물질과 colloid를 배제하여 막표면에 gel layer가 형성되는 것을 방지하여 fouling을 감소시킬 수 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
• /
• pp.425.1-425.1
• /
• 2016

고온의 플라즈마를 긴 펄스 및 장시간 연속운전 유지기술 개발 및 연구를 위해서는 플라즈마는 더욱 가열되어야 하고, 고온 고밀도의 플즈마 상태를 유지시켜야 한다. 이러한 고성능 플라즈마 개발은 향후 핵융합 에너지의 상용화를 위한 절대필수적 기반기술이다. 현재 KSTAR 토카막에서는 플라즈마를 가열하기 위한 장치들 중 하나로서, 출력 6 MW 급의 중성입자빔을 입사하는 NBI (Neutral Beam Injection) 가열장치가 설치 운영 중에 있다. 이 NBI 가열장치는 진공환경에서 고온, 고압, 고전압 방전 및 수냉 등이 작동 및 운전되고 있기 때문에, 구성 부품 들의 미세한 구조적 결함에도 장치의 치명적 failed로 이어질 수 있다. 이번 연구에서는 NBI 가열장치의 특성상 극한 운전 환경에 있는 진공용기 부품 중 하나 인 빔인출을 위한 가속 그리드 (accelerating grid)의 구조적 손상및 결함 여부를 고속중성자 이미지 기법을 적용하여 내부를 투시 진단하였다. 가속 그리드는 copper로 제작되었고, 빔인출을 위한 원형의 구멍과 냉각관을 가진 평면판 형태로 되었다. 본 연구에서 내부투시 및 진단할 수 있는 고속중성자 이미징 기법의 적용으로 진공용기 부품 및 장치의 구조적 결함 및 손상 여부를 판단 가능하다는 연구 결과를 얻었다.

• 한국진공학회지
• /
• 제7권3호
• /
• pp.255-260
• /
• 1998

Ionized magnetron sputtering은 high density plasma를 사용하여 스퍼터된 입자의 이온화율을 기판에서의 플럭스 기준으로 80%이상까지 증대시킬 수 있는 방법으로 반도체 소자의 아주 작은 홀이나 via contact등을 채울 수 있는 아주 유용한 수단이나 가스의 압력 이 30mTorr 이상으로 상당히 높아야만 이온화율이 높게 유지되어 스퍼터 증착 속도가 느려 지고 중성입자의 각도 분포가 넓어지는 단점이 있다. 그 원인이 스퍼터된 입자들에 의한 전 자 온도의 급격한 감소와 타겟 주변에서의 가스 희귀화 현상에 있다고 보고 이를 보완하고 자 스퍼터 전력을 펄스화 하는 방법을 고안하여 실험하였다. 그 결과 펄스의 on/off time이 10ms/10ms, 100ms/100ms에서 가장 높은 이온화율을 가시광 분광 결과에서 보였으며 실제 로 Ag의 XRD결과 (111)에서 (200)으로 우선 방위의 현격한 변화가 관찰되었다. 이를 고전 력 스퍼터링에 의한 중성 가스 가열과 냉각의 측면에서 해석하였다.

• Nuclear Engineering and Technology
• /
• 제20권3호
• /
• pp.145-154
• /
• 1988

현대 nodal code는 원자로의 출력분포와 임계도를 정확하면서도 매우 효율적으로 계산해낸다. 그러나 이 경우 핵연료 집합체내의 세세한 출력분포는 알 수가 없게 되는데 본 논문에서는 이러한 것을 nodal 계산결과로부터 재생하는 방법에 대해서 연구해 보았다. 본 연구에서는 핵연료 집합체의 표면부근에서 열중성자속의 분포가 급격히 변하는 현상을 고려한 개선된 form function 방법을 개발하였다. 새 방법을 몇 개의 가압경수로 benchmark problem에 응용해본 결과 기존의 방법에서 초래되었던 열 중성자속의 큰 재생오차가 속 중성자 속의 재생오차와 비슷하게 줄었으며 따라서 출력분포의 재생오차도 크게 감소하였다. 또한 중성자속의 분포변화가 매우 큰 baffle과 인접한 집합체에서의 출력분포 재생오차도 크게 줄일 수 있었다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
• /
• 한국표면공학회 2018년도 춘계학술대회 논문집
• /
• pp.46-46
• /
• 2018

메모리 소자의 수요가 데스크톱 컴퓨터의 정체와 모바일 기기의 폭발적인 증가로 NAND flash 메모리의 고집적화로 이어져서 3차원 집적 기술의 고도화가 중요한 요소가 되고 있다. 1 mm 정도의 얇은 웨이퍼 상에 만들어지는 메모리 소자는 실제 두께는 몇 마이크로미터 되지 않는다. 수직방향으로 여러 장의 웨이퍼를 연결하면 폭 방향으로 이미 거의 한계에 도달해있는 크기 축소(shrinking) 기술에 의지 하지 않고서도 메모리 소자의 용량을 증대 시킬 수 있다. CPU, AP등의 논리 연산 소자의 경우에는 발열 문제로 3D stacking 기술의 구현이 쉽지 않지만 메모리 소자의 경우에는 저 전력화를 통해서 실용화가 시작되었다. 스마트폰, 휴대용 보조 저장 매체(USB memory, SSD)등에 수 십 GB의 용량이 보편적인 현재, FEOL, BEOL 기술을 모두 가지고 있는 국내의 반도체 소자 업체들은 자연스럽게 TSV 기술과 이에 필요한 장비의 개발에 관심을 가지게 되었다. 특히 이 중 TSV용 스퍼터링 장치는 transistor의 main contact 공정에 전 세계 시장의 90% 이상을 점유하고 있는 글로벌 업체의 경우에도 완전히 만족스러운 장비를 공급하지는 못하고 있는 상태여서 연구 개발의 적절한 시기이다. 기본 개념은 일반적인 마그네트론 스퍼터링이 중성 입자를 타겟 표면에서 발생시키는데 이를 다시 추가적인 전력 공급으로 전자 - 중성 충돌로 인한 이온화 과정을 추가하고 여기서 발생된 타겟 이온들을 웨이퍼의 표면에 최대한 수직 방향으로 입사시키려는 노력이 핵심이다. 본 발표에서는 고전력 이온화 스퍼터링 시스템의 자기장 해석, 냉각 효율 해석, 멀티 모듈 회전 자석 음극에 대한 동역학적 분석 결과를 발표한다. 그림1에는 이중 회전 모듈에 대한 다물체 동역학 해석을 Adams s/w package로 해석하기 위하여 작성한 모델이고 그림2는 180도 회전한 서브 모듈의 위상이 음극 냉각에 미치는 효과를 CFD-ACE+로 유동 해석한 결과를 나타내고 있다.

• 대한화장품학회지
• /
• 제42권4호
• /
• pp.413-420
• /
• 2016

하이드록시 산(hydroxy acid, HA)은 피부 각질층에 대한 박리효과로 노화방지와 피부 보습을 높이는데 효과를 보여, 피부 외용제와 화장품으로서 많은 활용을 하고 있다. 그 중에서 가장 효과적으로 빠른 시간 내에 나타나는 각질 박리는 화장품 제형 pH에 의해 효과를 보이는 것으로 많은 보고가 있다. 그러나 pH에 의한 자극, 부작용에 의한 염려로 인해 사용에 많은 어려움이 있다. 본 연구의 목적은 피부 각질층에 (1) 하이드록시 산의 농도와 (2) 종류, (3) pH를 변화시킨 화장품을 인체 피부에 도포하여 각질 박리 효과에 대한 영향을 측정하는 데에 있다. 건강한 성인 22명을 대상으로 하박 내측에 DHA (dihydroxyacetone), DC (dansyl chloride)로 피부 표면 각질을 염색하여, 시험제품을 도포한 뒤 각질박리 효과를 측정하였다. (1) GA (glycolic acid)의 농도에 따라 각질 박리 효과는 농도 의존적으로 증가하는 것으로 나타났다. (2 )하이드록시 산의 종류에 따라 pH를 산성과 중성으로 제조한 제품을 대상으로 각질 박리 효과를 측정한 결과, 중성 pH의 GA는 각질 박리 효과가 나타나지 않았다. 이에 반해 SA (salicylic acid)는 산성 pH와 중성 pH에서 모두 통계적으로 유의한 각질 박리 효과가 나타났다. (3) 중성 pH의 SA는 DHA와 DC로 염색한 피부 표면에서 모두 우수한 각질 박리 효과를 나타내었다. 이러한 결과는 pH에 민감한 사람들에게 각질 박리 효과를 기대하는 화장품을 사용할 수 있는 기회를 제공하며, 피부 장벽의 손상 없이 안전한 화장품을 제조할 수 있을 것이라 사료된다.

• 한국산림과학회지
• /
• 제88권4호
• /
• pp.469-476
• /
• 1999

본 연구는 증가되는 UV-B 환경에 대한 양수(陽樹)와 중성수(中性樹)의 생장 및 생리적 반응을 탐구하고자 자작나무(Betula platyphylla var. japonica Hara)와 물푸레나무(Fraxinus rhynchophylla Hance)의 유묘(幼苗)를 대상으로 14주 동안 3 수준의 UV-B(ambient UV-$B_{BE}$, ambient+3.2, +$5.2\;KJ\;m^{-2}s^{-1}$) lamp가 설치된 야외포장에서 실시되었다. 자작나무와 물푸레나무 유묘의 수고생장(樹高生長), 근원경생장(根元徑生長), 엽면적(葉面積) 및 건물생산(乾物生産)은 UV-B 증가에 의하여 감소되었다. UV-B 증가에 의해 물푸레나무 유묘 잎의 기공저항(氣孔低抗)은 커졌으며, 엽록소(葉綠素), carotenoid 함량의 감소는 자작나무에서 보다 물푸레나무에서 더 뚜렷하였다. UV-B 흡수물질(吸收物質)의 현저한 증가는 나타나지 않았지만 자작나무에 비해 물푸레나무의 경우 다소 증가하는 경향이었다. 이러한 결과들은 UV-B 증가 환경에 대한 공시 두 수종의 생리적(生理的), 생화학적(生化學的) 반응이 다르다는 것을 의미한다.

• 한국자원식물학회지
• /
• 제32권5호
• /
• pp.415-422
• /
• 2019

본 연구에서는 Rhodosporidium toruloides를 활용하여 비트 열수추출물의 중성지방 억제효과를 확인하고자 하였다. 대조구, 실험대조구, 비트 열수추출물, 30% 및 60% 에탄올 추출물을 첨가한 YPD 배지에서 배양한 유지효모의 중성지방의 함량은 각각 8.76, 3.43, 2.87, 3.16 및 3.64 mg/dL로 나타났으며, 유지 효모의 세포수는 각각 10.48, 8.46, 12.40, 12.80 및 $8.24{\times}10^3cell/mL$로 나타났다. 대조구, 실험대조구, 0.02, 0.1 및 0.5% 비트 열수추출물을 첨가한 유지효모의 총 지질 함량은 각각 112.29, 38.90, 147.87, 211.36 및 291.89 mg/g로 나타났으며, 유지효모의 중성지방의 함량은 각각 6.02, 2.83, 2.38, 1.37 및 0.73 mg/dL로 나타났다. 대조구, 실험대조구, 0.02, 0.1 및 0.5% 비트 열수추출물의 첨가 농도가 높아짐에 따라서 유지효모내 소량의 형광이 발현됨을 확인하였다. 실험대조구, 0.02, 0.1 및 0.5% 비트 열수추출물을 첨가한 유지효모의 세포수 증가율은 대조구에 비해 각각 -4, 21, 82 및 103%로 증가하였다. 유리지방산과 총 카로티노이드 함량은 비트 열수추출물의 첨가 농도에 따라 농도의존적으로 증가하였다.

• 한국방사선학회논문지
• /
• 제15권3호
• /
• pp.337-344
• /
• 2021

관상동맥 석회화는 심혈관질환 위험인자와 연관이 있으며, 동맥경화반의 양과 밀접한 관계가 있음을 선행 연구에서 보고되고 있다. 이에 본 연구에서는 2020년 12월부터 2021년 2월까지 대구시 소재 S 영상의 학과 건강검진센터를 방문하여 관상동맥 Calcium scoring CT를 시행한 109명을 대상으로 혈액인자가 관상동맥 석회화 수치에 미치는 영향을 알아보고자 하였다. 연구결과 허리둘레 인자에서는 비정상 군이 정상군에 비해 석회화 발생 위험도가 1.113배 증가하였고, 공복혈당 인자에서는 비정상 군이 정상 군에 비해 석회화 발생 위험도가 1.036배 증가하였으며, 중성지방 인자에서는 비정상 군이 정상 군에 비해 석회화 발생 위험도가 1.008배 증가하였으므로 허리둘레 인자와 공복혈당인자, 중성지방 인자가 관상동맥 석회화 수치에 영향을 주는 인자임을 알 수 있었다. 석회화 수치 발생 위험도는 허리둘레 인자와 공복혈당인자, 중성지방 인자와 유의한 관계가 있으므로 석회화 수치와 연관성이 있는 위험 변수들의 수치를 줄이기 위하여 평소 건강관리에 관심을 갖고 건강검진을 통하여 사전에 예방하기 위해 노력한다면 심혈관질환의 발생률을 낮추고, 심혈관질환과 관련된 의료비를 줄이는데 도움이 될 수 있을 것이라 기대한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
• /
• pp.287-287
• /
• 2011

ITRS(international technology roadmap for semiconductors)에 따르면 MOS (metal-oxide-semiconductor)의 CD(critical dimension)가 45 nm node이하로 줄어들면서 poly-Si/SiO2를 대체할 수 있는 poly-Si/metal gate/high-k dielectric이 대두되고 있다. 일반적으로 metal gate를 식각시 정확한 CD를 형성시키기 위해서 plasma를 이용한 RIE(reactive ion etching)를 사용하고 있지만 PIDs(plasma induced damages)의 하나인 PICD(plasma induced charging damage)의 발생이 문제가 되고 있다. PICD의 원인으로 plasma의 non-uniform으로 locally imbalanced한 ion과 electron이 PICC(plasma induced charging current)를 gate oxide에 발생시켜 gate oxide의 interface에 trap을 형성시키므로 그 결과 소자 특성 저하가 보고되고 있다. 그러므로 본 연구에서는 이에 차세대 MOS의 metal gate의 식각공정에 HDP(high density plasma)의 ICP(inductively coupled plasma) source를 이용한 중성빔 시스템을 사용하여 PICD를 줄일 수 있는 새로운 식각 공정에 대한 연구를 하였다. 식각공정조건으로 gas는 HBr 12 sccm (80%)와 Cl2 3 sccm (20%)와 power는 300 w를 사용하였고 200 eV의 에너지로 식각공정시 TEM(transmission electron microscopy)으로 TiN의 anisotropic한 형상을 볼 수 있었고 100 eV 이하의 에너지로 식각공정시 하부층인 HfO2와 높은 etch selectivity로 etch stop을 시킬 수 있었다. 실제 공정을 MOS의 metal gate에 적용시켜 metal gate/high-k dielectric CMOSFETs의 NCSU(North Carolina State University) CVC model로 effective electric field electron mobility를 구한 결과 electorn mobility의 증가를 볼 수 있었고 또한 mos parameter인 transconductance (Gm)의 증가를 볼 수 있었다. 그 원인으로 CP(Charge pumping) 1MHz로 gate oxide의 inteface의 분석 결과 이러한 결과가 gate oxide의 interface trap양의 감소로 개선으로 기인함을 확인할 수 있었다.