• Electrical & Electronic Materials
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• v.3 no.4
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• pp.315-324
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• 1990

저저항(DuPont 1721, 100.OMEGA./sq.)과 고저항(1741, 10K.OMEGA./sq.)의 두 Ru계 후막저항체를 여러 조건에서 소결하여 소결막의 복소임피던스 특성과 임피던스의 주파수의존성을 1KHz-13MHz의 주파수 범위에서 조사하였다. 저저항 1721계의 경우 600.deg.C이상에서 소결한 모든 시편이 거의 저항성분(R)만으로 구성된 등가회로에 해당되는 복소임피던스 거동을 보였으며 임피던스에 미치는 주파수 의존성은 크게 나타나지 않았는데 5KHz까지는 주파수에 따라 변화가 없다가 그 이상의 주파수에서 주파수 증가에 따라 약간씩 증가하였다. 고저항 1741 후막저항체의 경우는 소결조건에 따라 복소임피던스 거동과 임피던스에 미치는 주파수 의존성이 달리 나타났다. 600.deg.C에서는 용량(C) 성분만으로 구성된 등가회로에 해당하는 복소임피던스 거동을 얻었고 주파수 증가에 따라 임피던스가 직선적으로 감소하였으며 700.deg.C이상 900.deg.C까지는 저항(R)과 용량(C)이 병렬로 연결되는 형태의 등가회로에 해당하는 복소임피던스 거동을 얻었고 이때의 임피던스의 주파수 의존성은 저주파수 영역에서는 임피던스가 주파수에 변함없이 일정하다가 5KHz이상의 주파수에서는 주파수 증가에 따라 임피던스가 직선적으로 감소하였다. 1000.deg.C반응에서의 복소임피던스 거동은 RCL성분이 병렬로 연결된 형태의 등가회로에 해당되는 결과를 얻었으며 임피던스도 작아지고 주차수 의존성도 현저하지 않았다.

• The Proceedings of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.7 no.2
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• pp.51-56
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• 1993

In this paper the affect an inorganic filler and a filling up water absorption in epoxy composite material was represented. The results are summarized as follows; 1. In the case of Sample 1, Sample 2 and a fillng up water absorption, the frequency depenence of ${\varepsilon}_\tau$ shows the straight characteristic under $140^{\circ}C$. 2. Between lOOHz and 3kHz, the frequency dependency of $tan{\delta}$ is dominated by the loss of a dipole relaxation than the conductive loss for movement of a career. The effect of water absorption, is increased as the frequency is decreased.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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• v.36D no.4
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• pp.42-47
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• 1999

Based on characteristics of resonator in BPF, a resonant characteristic is obtained by using variation of characteristic impedance in rectangular waveguide. And we have designed and made a novel waveguide BPF with this phenomenon. This filter can be made with arbitrary lengths of rectangular waveguide resonators.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.8 no.2
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• pp.151-157
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• 1995

Frequency-dependent electrical properties of $C_{22}$-Quinolinium(TCNQ) LB films were investigated in a frequency range of 10[Hz]-13[MHz] along a perpendicular direction. The films were heat-treated to understand an electrodynamic response in a temperature range of 20-240[.deg. C]. Frequencydependent dielectric constants show that there are two characteristic dispersions; one is a dispersion occuring near 1[MHz] coming from the orientational polarization of the molecules and the other one is an interfacial polarization effect below 1[kHz] or so when the annealing temperature is above 80 [.deg. C]. The overall frequency-dependent dielectric constant is higher near 80[.deg. C]. It may be due to a softness of the alkyl chains. Several other methods were employed to identify the internal structure change of the films. DSC(differential scanning calorimetry) data of the $C_{22}$-Quinolinium(TCNQ) molecules shows that there is an endothermic process near 110[.deg. C] and a weak exothermic process near 180[.deg. C]. While the endothermic process is related to a disordering of the alkyl chains, the exothermic process seems to be due to a chemical structure change of the TCNQ molecules. Thickness measurement by ellipsometry shows that there is a thickness drop near 100[.deg. C], and the thickness above 120[.deg. C] becomes around 20[%] of the room-temperature value.lue.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2001.04a
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• pp.9-11
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• 2001

현 단계에서도 임계전류밀도가 약 $100A/mm^2$로 충분히 높아 전력분야 응용이 기대되는 Bi-2223테이프에 대한 교류손실을 초전도 전력기기의 실제 상황을 고려하여 측정하였다. 중요한 평가 결과로서는 먼저 통전손실 특성은 외부 교류자장의 세기뿐만 아니라 방향에 따라서도 매우 상이하였으며, 비교적 외부자장이 큰 경우는 동저항손실 메카니즘이, 작은 경우는 그 외의 또 다른 손실 메카니즘이 지배적이었다. 또한 수평자장에 대한 자화손실 특성은 코아 모델로부터 계산된 손실과 비교적 잘 일치하였다. 따라서 자화손실은 히스테리시스 손실 메카니즘이 지배적이라 할 수 있으며, 측정된 자화손실은 저온 초전도체에서는 볼 수 없었던 약한 주파수 의존성을 보였을 뿐만 아니라 외부자장의 세기에 따라서도 주파수 의존 특성이 상이하였다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.2 no.1
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• pp.69-75
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• 1995

압전세라믹스를 제조하여 발음체 소자의 두께 직경등의 칫수 변화에 따른 압전발을 체 소자의 전기적 특성 및 압전세라믹스와 금속진동판의 상관관계를 조사하고 공명용 수지 case등을 고려하여 공진 주파수에서 효율좋은 음을 발생시킬수 있는 압전발음체를 설계하였 다. 본 실험에서 사용딘 압전세라믹스 (Pb0.95Sr0.05)(Zr0.53Ti0.47)O3+0.8wt%Nb2O5의 특성은 전 기기계 결합계수(KP)가 69%이며 기계적 품질계수(Qm)은 87 비유전율은 2100 tan$\delta$는 0.016이었다. 금속진동판의 공진주파수는 사용되는 재료의 stiffness와 관계가 있고 주파수 -impedance 특성은 재질의 음속, 밀도, Young율 등에 크게 의존하였다. 주파수 대역 2.0~ 2.2khz에서 공진시키기 위한 공명체의 설계에서 압전세라믹스의 외경과 두께가 각각 14mm, 0.1mm 이고 금속진동판의 그것이 각각 20mm, 0.1mmdlfEo 공명기는 방음공의 직경이 3.0mm, cavity의 직경이 18.5mm, cavity의 높이가 4.5mm의 구조로 설계되었을때가 최적조 건이었다.

• 전기의세계
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• v.34 no.4
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• pp.213-219
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• 1985

2중층 압전변압기를 공진주파수로 동작시키면 부하저항이 클수록 전압비가 커지고 부하저항의 변동에 대하여도 안정되며, 특히 무부하시의 전압비는 전기기계결합계수의 제곱과 기계적 품질계수의 곱에 비례하고, 또 그 크기나 형상에는 관계없으므로 설계시 제약이 적은 장점이 있다. 한편 이 변압기의 공진주파수는 압전진동자의 직력공지주파수에 크게 의존하고, 진동자의 고정용량, 전기기계결합계수, 절연판의 정전용량 등에 의해서도 영향을 받으며, 부하저항이 큰 경우의 공진주파수는 부하저항의 변동에 대하여 안정됨을 알 수 있다. 따라서 이러한 2중층 압전변압기를 이용하여 높은 전압비를 얻으려면, 변압기를 전기기계 결합계수와 기계적 품질계수가 큰 압접진동자로 제작하고, 또 그 변압기를 저항이 큰 부하에서 공진주파수로 동작시키는 것이 바람직하다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2002.07b
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• pp.851-853
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• 2002

Bi-2223도체의 종자계 손실에 대하여 실험적으로 조사하였으며, Bi-2223도체의 종자계 손실은 주파수에는 의존하지 않으며, 이는 수직 수평방향의 자장에 대한 자화손실처럼 히스테리시스손실이 지배적임을 의미한다. 또한 측정된 자계 손실은 절충 본수에도 그다지 의존하지 않으며, 필라멘트들 사이가 완전히 비결합된 모델로부터 계산된 손실에 더 유사하고, 수평방향의 자장에 대한 자화손실의 약 1/5정도로 작으며, 따라서 종자계 손실은 전력기기에서 그다지 중요하지 않음을 알수 있었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2003.07c
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• pp.1526-1528
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• 2003

본 연구에서는 P-type Si wafer에 1000[$^{\circ}C$]의 조건에서 열산화방식으로 성장시킨 산화막($SiO_2$) 두께 3000[${\AA}$] 그 위에 APCVD방법으로 형성시킨 질화막($Si_3N_4$)의 두께 500[${\AA}$], 1500[${\AA}$]인 시료에 대하여 전기적 특징 중 유전정접 특성에 관하여 조사하였다. [1] 또한 각각의 두께에 대하여 측정 온도범위 상온${\sim}150[^{\circ}C]$ 와 인가전압 범위 1[V]${\sim}$20[V]에서 유전정접의 주파수 의존성과 온도 의존특성을 조사하고 특히 정전용량 변화에 따른 유전특성에 대하여 조사하고 변환기 소자재료 개발을 위한 기초물성을 실험한 결과를 보고한다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.8 no.4
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• pp.458-463
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• 1995

The optical and electrical properties of $C_{22}$-Quinolinium(TCNQ) Langmuir-Blodgett films have been studied depending on the annealing temperatures. The optimal properties were investigated using UV/visible(300-800[nm]) absorption spectra and FTIR(Fourier-transformed- infrared) absorption measurements. The electrical properties were investigated in a frequency range of 10[Hz]-13[MHz]. The UV/visible absorption spectra at room temperature show that there are four characteristic peaks at 320, 380, 494 and 678[nm]. These absorption peaks decrease very rapidly above the annealing temperature of 180[.deg. C], which is due to a structural change of TCNQ. The FTIR absorption measurements strongly support the result of the UV/visible absorption spectra, because the absorption peak of TCNQ- at 2181[$cm^{-1}$ /] also decreases above 140[.deg. C]. The frequency-dependent dielectric constant shows that there is a dielectric dispersion near 1[MHz] which is due to an orientational polarization of the molecules inside the film. The overall frequency-dependent dielectric constant is higher near 80[.deg. C]. It may be due to a softness of the alkyl chains.s.