• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권5호
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• pp.63-63
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• 2001

디바이스의 크기가 0.25㎛이하로 축소됨에 따라 DRAM(Dynamic Random Access Memory) 제조업체들은 칩 크기를 줄이고 지역적인 배선으로 사용하기 위해서 기존의 텅스텐-폴리사이드 비트-선에서 텅스텐 비트-선으로 대체하고 있다. 본 논문에서는 다양한 RTP 온도와 추가 이온주입을 사용하여 낮은 저항을 갖는 텅스텐 비트-선 제조 공정에 대해 다루었다. 그 결과 텅스텐 비트선 저항에 중요한 메계변수는 RTP Anneal 온도와 BF₂ 이온 주입 도펀트임을 알 수 있었다. 이러한 텅스텐 비트-선 공정은 고밀도 칩 구현에 중요한 기술이 된다.

• 한국의학물리학회지:의학물리
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• 제5권2호
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• pp.13-20
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• 1994

본 연구에서는 감마선 조사, 전자선 조사방법에 의한 전자만의 주업 및 이온 주업 후 전자선조사 방법으로 전자들이 주입된 $\alpha$-$Al_2O_3$의 열자극 발광(Thermoluminescence : TL)에 관련된 결함 형태를 조사하였다. 감마선 조사된 $\alpha$-$Al_2O_3$의 열자극 발광 곡선은 380K, 415K, 440K, 460K 및 475K에서 TL peak가 나타났다. 광흡수 스펙트럼과 자외선 photobleaching 결과로부터 감마선 조사된 $\alpha$-$Al_2O_3$의 380K와 475K TL peak는 F center에, 415K TL peak는 $F^{+}$ center에 기인함을 알았다. 전자선 조사방법에 의하여 전자 주입된 $\alpha$-$Al_2O_3$의 열자극 발광 곡선은 380K, 415K, 440K 및 460K TL peak를 가졌고, $Li^{+}$ 이온 주입 후 전자선 조사방법으로 전자들이 주입된 $\alpha$-$Al_2O_3$는 440K에서 TL peak가 나타났다. 전자선 조사방법에 의한 전자만의 주입과 $Li^{+}$ 이온 주입 후 전자선 조사방법으로 전자들이 주입된 $\alpha$-$Al_2O_3$의 열자극 발광 특성은 380K TL peak는 F center에, 440K TL peak는 $F^{+}$ center에 기인함을 보였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.97-98
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• 2005

양성자 조사법에 의하여 고속 전력용 다이오드를 제작하기 위하여 punch-through 다이오드에 다양한 조건으로 양성자를 조사하였다. 동일한 소자에 전자선을 조사한 소자와 속도 향상을 위한 공정이 행하여지지 않은 동일한 소자 각각의 특성을 비교 분석하였다. 양성자 주입은 주입 에너지를 1 MeV 와 1.3 MeV로, 각 에너지 조건에서 도즈를 $1\times10^{12}cm^{-2}$, $1\times10^{13}cm^{-2}$로 변화 시켰다. 분석 결과 양성자 주입된 소자에서 역방향 회복시간은 최소 소자의 약 45%, 전자선이 조사된 소자에 비하여 약 73 %의 값으로 향상시킬 수 있었으며 역방향 항복 전압과 순방향 저항은 처리되지 않은 소자와 전자빔이 조사된 시편들의 값과 비슷한 값을 나타내었다.

• 대한치과보철학회:학술대회논문집
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• 대한치과보철학회 1997년도 추계학술대회
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• pp.26-26
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• 1997

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권5호
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• pp.375-381
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• 2001

디바이스의 크기가 0.25㎛이하로 축소됨에 따라 DRAM(Dynamic Random Access Memory) 제조업체들은 칩 크기를 줄이고 지역적인 배선으로 사용하기 위해서 기존의 텅스텐-폴리사이드 비트-선에서 텅스텐 비트-선으로 대체하고 있다. 본 논문에서는 다양한 RTP 온도와 추가 이온주입을 사용하여 낮은 저항을 갖는 텅스텐 비트-선 제조 공정에 대해 다루었다. 그 결과 텅스텐 비트선 저항에 중요한 메계변수는 RTP Anneal 온도와 BF₂ 이온 주입 도펀트임을 알 수 있었다. 이러한 텅스텐 비트-선 공정은 고밀도 칩 구현에 중요한 기술이 된다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1992년도 춘계학술발표회
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• pp.83-83
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• 1992

• 대한치과보철학회:학술대회논문집
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• 대한치과보철학회 2005년도 추계학술대회
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• pp.85-85
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• 2005

• 한국구조물진단유지관리공학회 논문집
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• 제10권6호
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• pp.191-197
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• 2006

본 논문은 터널 콘크리트 구조물의 보수를 위한 무기계 균열주입기술의 표준화에 관한 연구이다. 본 연구를 위하여 균열보수공사가 필요한 터널 라이닝 및 박스 구조물을 선정하여, 균열폭에 따른 주입량, 주입시간 및 주입압력, 주입압력과 주입시간, 구조물 규모에 따른 주입량, 구조물별 균열 위치에 따른 주입량, 균열폭 및 구조물 두께와 주입시간의 관계에 관하여, 현장 조사와 시험평가를 수행하여 구조물의 종류 및 균열의 크기에 따른 균열보수재의 주입압력, 주입량 및 주입시간 등을 명확히 파악하였다.

• 한국지반환경공학회 논문집
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• 제25권3호
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• pp.5-11
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• 2024

이산화탄소 포집 및 지중 저장을 위해 유망한 지질학적 구조로는 대수층, 폐유전 및 가스전 등이 존재한다. 이 중 대수층은 다른 지질학적 구조에 비해 많은 양의 이산화탄소 저장이 가능한 것으로 판단됨에 따라 그 관심이 증가하고 있으며, 대수층의 특성을 반영하여 이산화탄소 저장 효율 향상을 위한 기술 개발이 필요한 실정이다. 따라서, 본 연구에서는 음이온성 계면활성제를 활용하여 공극수가 존재하는 마이크로모델 내 계면활성제 선 주입 후 초임계 이산화탄소 후속 주입에 따른 이산화탄소 저장 효율 평가를 수행하였다. 그 결과 선 주입되는 계면활성제 수용액의 농도가 증가함에 따라 이산화탄소 저장 효율이 개선되며, 농도가 낮을수록 이산화탄소 저장 효율 개선을 위한 더 많은 계면활성제의 주입이 필요한 것으로 나타난다. 또한 동일한 계면활성제 농도 조건에서 선행 연구의 계면활성제-초임계 이산화탄소 치환보다 계면활성제 선 주입 방식에서 이산화탄소 저장 효율은 약 30% 낮은 값을 나타내며, 본 연구의 최대 농도 조건에서 선행 연구와 유사한 이산화탄소 저장 효율을 나타낸다. 이러한 결과는 향후 대수층 내 이산화탄소 저장 효율 향상을 위한 계면활성제 적용 시 농도 결정에 활용될 것으로 기대된다.

• 한국의학물리학회지:의학물리
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• 제5권2호
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• pp.3-12
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• 1994

$Na^{+}$ 이온을 주입시킨 후, $^{17}$ Cs 감마선으로 조사된 $Al_2$O$_3$ 및, $Na^{+}$ 이 주입된 $Al_2$O$_3$의 열자극 발광을 340K～620K의 온도 구간에서 측정하였다. $Na^{+}$ 이온을 주입시킨 후, $^{137}$Cs 감마선으로 조사된 $Al_2$O$_3$의 열자극 발광 곡선은 415K, 452K, 508K, 및 568K에서 TL peak를 가지는 곡선으로 분해되었다. $Na^{+}$ 이온 주입 후 $^{137}$Cs 감마선 조사된 $Al_2$O$_3$는, $Na^{+}$ 이온만 주입된 $Al_2$O$_3$와 $^{137}$Cs 감마선 만 조사된 $Al_2$O$_3$보다 각각 defect traps에 구속된 전하운반체의 밀도와 defect traps의 밀도가 증강되었기 때문에, $Na^{+}$ 이온 주입 후 $^{137}$Cs 감마선 조사된 $Al_2$O$_3$보다 각각 20배, 5배 증가되었다. 주입 이온 선량과 에너지의 증가는 defect trap 밀도의 증가를 초래함으로, 이온 주입된 시료의 열자극 발광 세기는 이온의 선량과 에너지에 의존함을 알았다. 입사 이온의 질량이 증가함에 따라 열자극 발광 세기는 기하급수적으로 급격히 감소하였고, 이것은 열자극 발광 세기가 결함 생성률 뿐만 아니라, 이온의 주입 깊이에도 밀접한 관계가 있음을 보여주었다.