천변저류지는 침수시 피해가 큰 도시지역을 보호하기 위하여 도시구간의 상류 특정구간을 저류공간으로 이용하여 홍수를 조절하는 방법이다. 천변저류지는 하도흐름에 직접적인 영향을 미치기 때문에 주어진 규모 대비 첨두홍수량 조절효과가 다른 홍수방어대책에 비해 크다고 알려져 있어 유역종합치수계획이나 풍수해저감종합계획 등에서 상당히 자주 주요 검토대상이 되고 있다. 이와 관련하여 GIS를 이용한 천변저류지의 가용입지를 조사하는 방법론 등은 상당한 진보를 이루었으나 이렇게 조사된 다양한 입지들 중에서 특정 보호대상 도시를 기준으로 가장 홍수조절 효과가 크고 경제성이 높은 입지를 판단하는 것은 다양한 수문조건과 이에 대한 정밀한 모의가 필요하므로 상당히 어려운 문제가 된다. 이때 천변저류지의 입지가 보여주는 위치와 규모를 이용하여 개략적으로 홍수조절 효과를 미리 판단할 수 있다면 상위계획단계에서 우선순위 등을 검토할 경우의 개략적인 해석수단으로 유용하게 쓰일 수 있다. 본 연구에서는 SWMM 모형을 이용해 홍수유출 및 하천수리 해석을 연계하여 수행하는 방법론을 통해 천변저류지의 홍수조절효과를 모형화하였다. 이때, 다양한 조건에서의 천변저류지의 위치 및 용량에 따른 홍수조절효과를 모의함으로써 주어진 입지에 따른 최적 홍수방어계획을 수립할 수 있는 기준을 도출할 수 있었다.
건강검진 목적으로 심장 CT검사를 시행한 198명의 대상자 중 수동노출조절 방법(n=123)의 대조군과 자동노출조절 방법(n=75)의 실험군으로 BMI에 따라 Grade 1(BMI < 23kg/$m^2$), Grade 2(23 $$\leq_-$$ BMI < 25kg/$m^2$), Grade 3(25 $$\leq_-$$ BMI < 30kg/$m^2$), Grade 4(30 $$\leq_-$$ BMI kg/$m^2$)로 분류하고 영상의 질을 객관적, 주관적 평가로 분석하였고 방사선량을 비교하였다. 자동노출조절 방법을 사용하였을 때 모든 Grade에서 관전압이 유의하게 감소하였고, $CTDI_{vol}$, effective dose 값은 Grade 2에서는 통계적으로 유의하지 않게 감소하였으나 Grade 1, 3, 4에서는 유의하게 감소하였다(p<0.05). SNR은 Grade 1에서 유의하게 감소하였고 Grade 3에서는 유의하게 증가하였지만(p<0.05) Grade 2와 4에서는 유의한 차이가 없었다(p>0.05). CNR은 Grade 1에서 유의하게 감소하였고(p<0.05), Grade 2, 3, 4에서는 유의한 차이는 없었다(p>0.05). 영상의 주관적인 평가에서도 두 그룹간의 모든 Grade에서 유의한 차이가 없었다(p>0.05). 결론적으로 자동노출조절 방법은 수동노출조절 방법에 비해 영상의 주관적 평가는 변하지 않으면서도 피폭선량을 줄일 수 있는 유용한 방법으로 나타났다.
연구 목적: 임상에서 가장 보편적으로 사용되는 기계식 토크 조절기를 선택하여 토크 조절기를 사용하는 방법에 따라서 제조사에서 권장하는 토크를 적용하고 유지하는데 정확도의 차이가 있는지를 비교, 분석하고자 하였다. 연구 재료 및 방법: 36개월을 사용한 3개 제조회사 제품의 토크 최대값 제한 장치 형태의 기계식 토크 조절기를 대상으로 하였다. 토크 조절기를 사용할 때마다 핸들 부위를 조이고 사용 후에는 핸들 부위를 풀어서 토크 조절기 내부의 스프링이 압축력에 의해 변형되는 것을 막고자 한 그룹과 토크 조절기를 사용 후에도 핸들 부위를 풀어내지 않고 토크 조절기 내부의 스프링이 압축력 하에 유지되게 사용한 그룹으로 나누어, 총 6개의 토크 조절기를 이용하여 풀림 토크를 측정하였다. 반복 측정에 따른 풀림 토크값의 차이를 비교하기 위해 repeated measures of ANOVA test (${\alpha}=.05$)를 사용하였고, 사용 방법의 차이에 따른 두 그룹간의 비교를 위해 독립표본 t-검정(Independent sample t-test)을 시행하였다. 결과:모든 실험군에서 반복 측정에 따라 풀림 토크값이 유의성 있게 감소하는 것으로 나타났고(P<.05), 사용 방법에 따른 두 그룹 간에 풀림 토크값은 유의한 차이가 있었다. 결론: 토크 조절기를 사용한 뒤 다시 핸들부분을 풀어서 토크 조절기 내부의 스프링이 압축력에 의해 변형되는 것을 막고 스프링의 복원력을 회복한 그룹은 그렇게 사용하지 않은 그룹과 통계적으로 유의한 차이가 관찰됐고, 기준 토크값(30 Ncm)에 좀 더 가까운 풀림 토크값을 보였다.
박막의 탄성특성을 평가하는 방법으로 nano-indentation, Brillouin light scattering measurement, ultrasonic surface wave measurement, bulge test, vibration membrane method 등 여러 가지가 제시되어 왔다. 최근에는 탄성특성을 평가할 수 있는 간단한 방법으로 기판 식각 기법을 이용한 freehang, bridge 방법이 제시되었다. 이중에서 bridge 방법은 간단한 식각 기법을 이용하여 얇은 박막에서도 탄성 특성을 평가할 수 있는 방법으로 제시되었다. 그러나 식각 과정에서 발생하는 patch 부분의 under-cut으로 인해 정확한 bridge의 길이를 측정할 수 없게 되어 오차가 발생하고 있다. 본 연구에서는 bridge 방법에서 발생하는 오차를 줄이기 위한 방법으로, patch 부분에 etch-stop을 제작해 줌으로서 식각 과정에서 발생하는 under-cut을 효과적으로 제거시켰다. Etch-stop은 2장의 mask를 align key를 이용하여 제작하였다. 먼저 산화막이 형성되어 있는 Si 기판위에 mask 1을 이용하여 patch 부분을 lithography 작업하고, 습식 식각 공정을 한 뒤 DLC 필름을 증착시킨다. 다음으로 mask 2를 이용하여 bridge pattern을 제작하고, DLC 필름을 증착시킨 후 lift-off 기술과 산화막 등방식각 공정을 통해 bridge를 제작하였다. 이렇게 제작된 bridge를 통해 필름이 기판에 부착되기 위해 필요한 변형률을 측정하고, 독립적으로 측정된 필름의 잔류응력과 함께 박막의 응력-변형률 관계식에 적용시켜 biaxial elastic modulus, E/(1-v)를 구할 수 있었다. Sidl 첨가된 DLC 필름은 rf-PACVD 장비를 이용하여 증착하였다. 이때 전극과 플라즈마 사이의 바이어스 음전압은 -400V로 합성압력은 10mTorr로 고정하였다. 사용한 반응가스는 벤젠(C6H6)과 희석된 실렌(SiH4:2H=10:90)이며, 희석된 실렌의 첨가량을 조절하여 필름 내에 함유된 Si의 양을 조절하였다. 각각의 조건에서 증착시간을 조절하여 필름의 두께를 조절하였다. 필름의 잔류응력은 압축잔류 응력에 의해 발생한 필름/기판 복합체의 곡률을 laser 반사법을 이용하여 측정하고, 이 결과를 Brenner 등에 의해 유도된 식을 대입하여 계산하였다.
위성 전자회로의 다양한 전압을 생성하는 선형 전압 조절기는 우주 방사능에 강인한 칩을 사용하기도 하지만, 간단한 선형 전압 조절기 회로를 구현하여 사용하는 경우가 많다. 이때, 설계한 선형 전압 조절기는 공급할 전압에 따라 조금씩 다른 형태로 설계할 수 있지만, 회로 설계에 따른 최악 조건 해석은 일관된 방법론과 체크해야할 항목으로 정리될 수 있다. 본 논문에서는 일반적인 재래식 선형 전압 조절기 회로에서 수행할 최악 조건 해석 방법을 기술하고, 정리한다.
Si 기판을 무전해 식각하여 나노와이어 형태로 합성하는 방법은 쉽고 간단하기 때문에 이를 이용한 소자 특성 연구가 많이 진행되고 있다. 하지만 이러한 방법으로 제작된 Si 나노와이어의 경우 식각에 의하여 나노와이어 표면이 매우 거칠어지기 때문에 고유의 특성을 나타내기 어려워 표면 특성을 제어 할 수 있는 연구의 필요성이 대두되고 있다. 본 연구에서는 무전해 식각법을 이용하여 p와 n형 나노와이어를 각각 합성하고 그 특성을 구현하기 위하여 표면조절을 진행하였다. 특히 n형 나노와이어의 경우 표면의 OH- 이온으로 인하여 n채널 특성이 제대로 나타나지 않기 때문에 열처리를 이용하여 표면을 보다 평평한 형태로 조절하여 향상된 전기적 특성을 얻을 수 있었다. 여기에 나노와이어와 절연막 사이의 계면 결함을 최소화 하기 위하여 poly-4-vinylphenol (PVP) 고분자 절연막에 나노와이어를 삽입시켜 나노와이어의 문턱전압 값을 조절하였다. 이를 바탕으로 complementary metal-oxide semiconductor(CMOS) 구조의 인버터 소자를 제작하였으며 p형 나노와이어가 절연막에 삽입된 정도에 따라 인버터의 midpoint voltage 값을 조절 할 수 있었다.
기존의 옷장은 습도를 조절하려면 사용자가 스스로 습기와 냄새를 조절하기 위해 숯, 신문지, 선풍기 등의 보조적인 물품을 이용하여 습도 및 냄새를 제어하는 방식을 주로 사용한다. 집안의 습도를 조절하는 제습기, 냉장고나 화장실같이 습도가 높을 수밖에 없는 장소에 습도를 조절하기 위한 특수 제습제들이 출시되어 있다. 그중 옷장을 위한 보조 물품으로 여러 가지 제습제들이 개발되어 사용되고 있지만 여러 가지 불편한 점이 존재한다. 본 논문에서는 현재 시중에 제공되고 있는 옷, 냉장고보다 저렴하고 효율이 높은 옷장의 습도 자동화를 위해 습도 센서를 이용해 옷장안의 습도를 점검하고 직접 또는 원격으로 조절하는 효율적인 관리 방법을 알아보고 이를 통해 옷장의 습도 자동화에 따른 장점들을 종합하여 효율적인 옷장의 습도 조절 방법을 제시하였다.
열 화학기상증착법은 여러 가지 그래핀의 제작방법 중 대면적으로 양질의 그래핀을 효과적으로 합성할 수 있는 방법으로 널리 이용되고 있다. 이 방법으로 그래핀을 합성할 경우, 주요 변수로 성장 온도와 촉매 금속이 있으며 이를 적절히 조절함으로써 합성되는 그래핀의 결정성과 층수를 조절할 수 있다[1-3]. 본 연구에서는 탄소 용해도가 작은 두꺼운 촉매 금속 기판 위에 선택적인 위치에 탄소 용해도가 큰 얇은 촉매 금속을 증착하여 그래핀의 층수를 적절하게 제어하고자 한다. 그래핀을 합성하기 위해 온도를 증가시키는 과정에서 두 층의 촉매 금속은 표면 에너지를 낮추기 위해 합금을 형성하게 되며, 이 때 탄소 용해도가 변화할 것으로 예상된다. 이 변화하는 탄소 용해도에 맞추어 탄소 공급원인 메탄 가스를 주입하는 시기를 적절히 조절하게 되면, 합성되는 그래핀의 층수 조절이 가능할 것이라 예상한다. 탄소 용해도가 큰 금속으로 니켈을, 탄소 용해도가 작은 금속으로 구리를 선택하였다. 우선 니켈의 확산 거리를 계산하여 메탄 가스를 주입하는 적절한 온도를 결정하였으며, 이 온도를 기준으로 표면에서의 니켈의 함량을 분석하였다. 니켈의 함량과 표면에서의 탄소의 구성비의 관계를 조사한 결과, 본 실험에서 이용한 방법으로 그래핀의 층수를 조절하는 것이 가능하다는 것을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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