• Transactions of the Society of Information Storage Systems
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• v.8 no.1
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• pp.16-21
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• 2012

SAW device is widely used as filters, sensors, actuators in various technologies. And capacitive sensor is tremendously used to measure pressure, gap, etc. The application of SAW device as signal conditioner of capacitive sensor reduces noise level and enables high precision measurement. The response increase of SAW based capacitive sensor is produced just before the two capacitive electrode contacts by the existence of parasitic resistance of capacitive electrode. In this paper, we analyze the effects of parasitic resistance and propose the calibrating method using lumped component and execute the high precision gap measurement using calibrated system. And xx nm resolution and yy ${\mu}m$ stroke was attained.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1998.02a
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• pp.90-90
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• 1998

전계 에미터 어레이(FEA)는 진공에서 전계률 인가하여 전극으로부터 전자률 방출시키는 전자원으로서, 마이크로파 소자 및 명판 디스플레이, 센서 둥에 이용된다 .. Transfer Mold 법 은 뾰족한 에미터 립과 게이트 절연막 및 게이트 전극 충올 형성한 후 유리와 같은 기판에 이전 시키는 방법으로, 이러한 방법은 Mold 형태 위에 코탱 충의 두께 조절과, 게이트와 립 높이 조절이 가능하며, 그리고 유리 기판 위에 접착하여 대면적의 평판 디스플레이를 제작 할 수 었다는 장점이 있다[1,2]. 본 연구에서는 일반적으로 사용되는 실리콘 기판올 습식 식 각하여 Mold률 제작하는 방법 대선에, 측벽 스페이스 구조률 이용한 새로운 방법의 Mold 형태률 이용하여 게이트률 가진 에마터 립올 제작하였다. 먼저 실리콘 기판 위에 산화막올 증착하고 그 위에 게이트 전극파 게이트 절연막을 LPCVD 방법으로 증착하여 구명 형태로 패터닝 한 후, BPSG(Boro Phospher Silicate Glass) 박막올 증착하여 고온에서 훌러 내려 뾰족한 형태의 주형(Mold)률 제작한 후 TiN율 증착하여 정전 접합(an여ic bon벼ng)이나 레 진(resine)둥으로 유리률 접합한 후 KOH 용액으로 실리콘 기판옵 뒷면부터 식각해 낸다. 그 다옴, 립과 게이트 위에 있는 절연막올 제거한 후 뾰족한 전계 에미터 어레이륭 제조하 였다. 자세한 제조 공정 및 제작된 에미터 립의 특성은 학회에서 발표될 예정이다.

• Transactions of Materials Processing
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• v.11 no.7
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• pp.575-580
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• 2002

To evaluate elastic and micro-failure properties of MEMS materials, the electro-statically operated test devices were designed and fabricated by micro machining technology. The test structures consist or comb drives for loading and suspending beams in testing. From the analysis of beam displacement based on elastic beam theory, elastic modulus and yield strength of Al film were measured. And, by introducing the micro notch and cyclic loading, the micro-failure was Induced and the micro-fracture toughness of Si film was evaluated. Moreover, the cycles to failure were estimated from the degradation of resonant frequency. Finally, the effects of notch on micro failure were discussed.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2002.12a
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• pp.230-231
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• 2002

고주파전류가 통전되고 있는 연자성체에 외부자계가 인가되면 자성체의 표피효과(Skin effect)에 의해서 임피던스가 변화하게 된다. 따라서 고주파의 정전류를 통전시키면 자성체의 양단에서 전압의 크기는 외부에서 인가되는 자계에 따라 변화하게 되는데, 이 때의 전압을 자계로 환산함으로써 자계의 검출이 가능하다. 이러한 현상을 이용하여 자계를 검출하는 소자를 자기임피던스 센서(Magneto-Impedance sensor)라고 한다$^{1.2}$ . 자기임피던스 센서는 주로 연자성이 우수한 아몰퍼스 자성체를 이용하여 구성되고, 구조가 간단하며, 극히 우수한 자계 검출능력을 나타내므로, 차세대의 고감도 자계센서로서 주목을 받고 있다. (중략)

• The Bulletin of The Korean Astronomical Society
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• v.37 no.2
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• pp.187.1-187.1
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• 2012

본 논문은 저궤도 위성의 각 유닛의 온도 정보를 획득하기 위해 사용되는 온도 센서인 써미스터의 data 처리를 위한 calibration 방법을 정리한 것이다. 써미스터는 온도에 따라 저항 값이 바뀌는 소자이며, 위성 프로세서는 정전류 소스를 공급하고 여기에 걸리는 전압을 AD converter를 이용해 데이터로 전송한다. 지상에서는 전송된 데이터를 calibration 공식에 대입하여 온도 정보를 얻어낸다. 특히 발사 준비 및 발사 후 발사체와 분리되기 전까지 계속 모니터링이 필요한 배터리 온도 정보의 경우 배터리 내부의 한 개 써미스터에 대해 발사장전기시험장비와 발사체의 MUX 시스템 그리고 위성 내부 프로세서에서 프로세싱이 동시에 이루어지기 때문에 각 시스템의 영향성까지 고려해야 한다. 본 논문에서는 저궤도 위성의 열진공 시험 및 발사 동안의 실제 데이터 처리 결과를 통해 정밀한 써미스터 데이터 처리 및 그 시스템 설계에서 고려해야 할 점들을 정리한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2003.07c
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• pp.1526-1528
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• 2003

본 연구에서는 P-type Si wafer에 1000[$^{\circ}C$]의 조건에서 열산화방식으로 성장시킨 산화막($SiO_2$) 두께 3000[${\AA}$] 그 위에 APCVD방법으로 형성시킨 질화막($Si_3N_4$)의 두께 500[${\AA}$], 1500[${\AA}$]인 시료에 대하여 전기적 특징 중 유전정접 특성에 관하여 조사하였다. [1] 또한 각각의 두께에 대하여 측정 온도범위 상온${\sim}150[^{\circ}C]$ 와 인가전압 범위 1[V]${\sim}$20[V]에서 유전정접의 주파수 의존성과 온도 의존특성을 조사하고 특히 정전용량 변화에 따른 유전특성에 대하여 조사하고 변환기 소자재료 개발을 위한 기초물성을 실험한 결과를 보고한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2007.07a
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• pp.1595-1596
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• 2007

광통신에 있어서 광소자와 광섬유 사이의 광결합효율이 중요하다. 광효율을 증가시키기 위하여 파이버 연마 과정이 필요하다. 기존 파이버 연마 장치는 대부분 외국 장비이고 단일모드만 작동되고 대량 생산이 용이하지 않으며 데이터 저장과 긴급상황 발생시 대처가 떨어지는 단점이 있다. 본 연구에서는 이를 보안하기 위하여 PC기반의 본 시스템을 개발하였다. 이 시스템은 여러 종류의 샘플 가공과 코어의 자동 정렬이 가능하며 PD데이터를 자동 저장한다. 또한 연마 거리를 자동 계산하여 연마 필름의 낭비를 줄였다. 정전과 같은 긴급상황 발생시 데이터를 보존하여 다음 연마시 기존 데이터로 초기화가 가능하다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2002.11a
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• pp.77-78
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• 2002

본 논문은 Pt/Ti 박막을 HF-ethanol 혼합 용액에 대한 매스킹 물질과 오믹 전극으로 사용하였다. 다공질 실리콘 층에 정공과 전자의 주입을 용이하게 하기 위해 이온 주입 공정으로 애노드(anode)와 캐소드(cathode) 전극을 실리콘 다이어프램에 구성하였다. 실리콘 다이어프램 영역에 정전압을 인가하여, 전기화학적 방법으로 관통된 PSi 층을 다이어프램 영역에 성장시켰다. 또한, 제작된 소자를 UV에 대한 광 특성을 고찰하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2015.11a
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• pp.38-39
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• 2015

본 논문에서는 정전압 특성을 갖는 SP 토폴로지 공진네트워크에 대한 설계 방법을 제시한다. 주어진 설계 사양을 기반으로 도출 가능한 인덕턴스 값에 따라 소자 스트레스 및 수직 수평 이격에 따른 결합계수 k 변동을 고려한 공진 네트워크를 설계한다. 이에 따라 설계된 SP 토폴로지의 시뮬레이션 및 실험을 통해 설계 과정의 타당성을 검증한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.50-50
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• 1999

마이크로 공정을 이용한 초소형 정밀 기계는 공정 기술과 재료 기술의 발전에 의하여 더욱 소형화되고 있으며 특히 기능을 갖는 부분과 이 부분을 제어하는 주변회로의 on-chip화의 요구가 증가되기 시작하였다. 이와 같은 추세에 있어서의 문제점은 초소형 정밀기계 부품 소자의 구동을 위한 에너지원의 개발이다. 즉, 소자의 크기가 작아진 것에 부합되는 초소형의 전지가 필요하게 된 것이다. 따라서 보다 완전한 초소형 정밀 기계 및 마이크로 소자의 구현을 위하여 마이크로 소자와 혼성 (Hybrid) 되어 이용될 수 있는 고성능 및 초소형의 전지의 개발이 필수적이다. 초소형 전지의 구현을 위하여 Li계의 2차 전지를 선택하여 이를 박막화하고 반도체 공정을 도입할 수 있다. 이러한 전지를 박막형 2차 전지 또는 박막형 마이크로 전지(thin film Secondary Battery : TFSB or Thin Film Micro-Battery : TFMB)라 하며 이러한 2차 전지는 일반적인 벌크 전지와 동일하게 cathode/Electolyte/Anode의 구조를 갖는다. 박막의 특성상 전해질은 고상의 물질을 사용하는 것이 벌크형 2차 전지와 다른 점이다. TFSB의 성능은 주로 cathode에 의하여 결정되며 지금까지 많은 cathode 물질에 대한 연구 보고가 발표되고 있다. 반도체 공정을 이용한 TFMB의 제작시 무엇보다 중요한 점은 우수한 고상 전해질 및 anode 물질의 선택에 있다. 최근에 2차 전지를 위한 carbon계 anode를 대체할 수 있는 SnO에 대한 보고가 있는데 이는 한 개의 Sn 원자당 2개 이사의 Li가 반응하여 높은 용량을 갖는 전지의 제작이 가능하기 때문이다. Sno2의 anode는 매우 높은 충전용량을 갖는데 첫 번째 방전시에 Li2O를 생성하여 비가역적 반응을 나타내고 계속되는 충방전 동안 Li-Sn 합금이 생성되어 2차전지의 가역적 반응을 가능하게 한다. SnO2 는 대기중에서 Li 금속보다 안정하기 때문에 전지의 제작 공정 및 사용 면에서 매우 우수한 물질이지만 아직까지 SnO2 구조적 특성과 전지의 충, 방전 특성에 대한 관계의 규명을 위한 정확한 정설은 제시되고 있지 못하다. 본 연구에서는 TFSB anode 물질로써 SnOx박막을 상온에서 여러 전도성 콜렉터 위에 증착하여 그 충, 방전 특성을 보고하였다. 증착된 SnOx박막의 표면은 SEM, AFM으로 분석하였으며 구조의 분석은 XR와 Auger electron spectroscope로 하였다. 충, 방전 특성을 분석하기 위하여 리늄 foil을 대극과 참조 전극으로 하여 EC:DMC=1:1, 1M LiPF6 액체 전해질을 사용한 Half-Cell를 구성하여 100회 이상의 정전류 충, 방전 시험을 행하였다. Half-Cell test 결과 박막의 구조, 콜렉터의 종류 및 Sn/O비에 따라 서로 다른 충, 방전 거동을 나타내었다.