• Title/Summary/Keyword: 접합 시간

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The Effect of Processing Variables on Self-Bonding Strength in Amorphous PEEK Films (비정질 PEEK 필름의 Self-Bonding강도에 미치는 제조공정변수의 영향)

  • Jo, Beom-Rae;Kardos, J.L.
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.5 no.2
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    • pp.191-196
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    • 1995
  • Self-bonding strength developed at the interface of amorphous PEEK films is highly sensitive to the processing variables(time, temperature, and pressure) during the bonding process. In order to examine the effects of these processing variables, amorphous PEEK films were bonded at various bonding conditions and the resultant interfacial bond strengths were measured using a modified single lap-shear test. Experimental results showed that the developed self-bonding strength increases with increase in bonding temperature and is directly proportional to the bonding time raised to the 1/4 power. The applied pressure seems only to produce better wetting at the beginning stage of the bonding process. Conclusively, the self-bonding of amorphous PEEK films provides a great potential for developing excellent bond strength approaching the strength of the parent material without any adhesives in structural applications.

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Effect of Cooling rates on the Microstructure in TLP bonded interlayer between Ni-base Superalloy, GTD-111 (Ni기 초내열합금, GTD-111 천이액상확산접합부의 미세조직에 미치는 냉각속도의 영향)

  • 이희근;이봉근;한태교;김성준;강정윤
    • Proceedings of the KWS Conference
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    • 2004.05a
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    • pp.42-44
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    • 2004
  • 산업용 가스터빈의 버켓용 Ni기 초내열합금 GTD-111의 수리기술로서 천이액상확산접합법(Transcient Liquid Diffusion Bonding Process, 이하 TLP접차법)이 각광받고 있다. 그러나 이 방법은 등온응고 완료까지 장시간이 소요되므로 접합시간을 단축할 수 있는 공정 개발이 필요하다. (중략)

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High Speed Direct Bonding of Silicon Wafer Using Atmospheric Pressure Plasma (상압 플라즈마를 이용한 고속 실리콘 웨이퍼 직접접합 공정)

  • Cha, Yong-Won;Park, Sang-Su;Shin, Ho-Jun;Kim, Yong Taek;Lee, Jung Hoon;Suh, Il Woong;Choa, Sung-Hoon
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • v.22 no.3
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    • pp.31-38
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    • 2015
  • In order to achieve a high speed and high quality silicon wafer bonding, the room-temperature direct bonding using atmospheric pressure plasma and sprayed water vapor was developed. Effects of different plasma fabrication parameters, such as flow rate of $N_2$ gas, flow rate of CDA (clear dry air), gap between the plasma head and wafer surface, and plasma applied voltage, on plasma activation were investigated using the measurements of the contact angle. Influences of the annealing temperature and the annealing time on bonding strength were also investigated. The bonding strength of the bonded wafers was measured using a crack opening method. The optimized condition for the highest bonding strength was an annealing temperature of $400^{\circ}C$ and an annealing time of 2 hours. For the plasma activation conditions, the highest bonding strength was achieved at the plasma scan speed of 30 mm/sec and the number of plasma treatment of 4 times. After optimization of the plasma activation conditions and annealing conditions, the direct bonding of the silicon wafers was performed. The infrared transmission image and the cross sectional image of bonded interface indicated that there is no void and defects on the bonded wafers. The bonded wafer exhibited a bonding strength of average $2.3J/m^2$.

Inelastic Time History Analysis of a Five-Story Steel Framed Structure Considering Rigidity of TSD Connection (TSD 접합부의 강성을 고려한 5층 철골골조구조물의 비탄성 시간이력해석)

  • Kang, Suk-Bong;Lee, Jae-Hwan
    • Journal of Korean Society of Steel Construction
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    • v.22 no.3
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    • pp.281-291
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    • 2010
  • In this study, a five-story steel frame was designed in accordance with KBC2005 to evaluate the effects of the beam-column connection on the structural behavior. The connections were designed as fully rigid and semi-rigid. The fiber model was used to describe the moment-curvature relationship of the steel beam and the column, the power model for the moment-rotation angle of the semi-rigid connection and the three-parameter model for the hysteretic behavior of the steel beam, column, and connection. The structure was idealized as separate 2-D frames and as connected 2-D frames. The peak ground accelerations of four earthquake records were modified in a time-history analysis for the levels of the mean return period and for the maximum base-shear force in a pushover analysis. The top story displacement, base-shear force, story drift, demanded ductility ratio for the semi-rigid connection, maximum bending moment of the column, beam, and connection, and distribution of the plastic hinge were examined in the time-history analysis. The frame with the semi-rigid connection yielded a lower base-shear force, less magnitude, and increasing ratio in the bending moment of the column, beam, and connection than the frame with a fully rigid connection. The TSD connection was deemed to have secured the economy and safety of the sample structure that was subjected to seismic excitation for the Korean design level.

High Speep/High-Precision Chip Joining Using Self-Assembly Technology for Three-Dimensional Integrated Circuits (삼차원적층형 집적회로 구현을 위한 자기조직화정합기술을 이용한 고속.고정밀 접합기술)

  • Lee, Kang-Wook
    • Journal of Welding and Joining
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    • v.29 no.3
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    • pp.19-26
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    • 2011
  • 본 논문에서는 액체의 표면장력을 이용하여 복수의 KGD 들을 웨이퍼 상태에서 일괄접합함으로써, 높은 수율의 삼차원적층칩을 빠른 생산성으로 제작할 수 있는, 고속 고정밀 접합기술인 자기조직화정합 (Selfassembly) 기술에 대해 소개를 하였다. 본 연구실에서 개발한 self-assembly 기술을 적용하여 5mm 각(角) 크기의 칩 500개를 1초 이내에 평균 $0.5{\mu}m$ 정도의 높은 정밀도로 8인치 웨이퍼상에 일괄접합시키는데 성공하였다. Self-assembly 기술에 의한 삼차원 칩 적층방식은, 기존의 pick-and-place 적층방식에서 높은 정밀도의 접합특성을 확보하는데 필요한 공정시간을 혁신적으로 단축하는 것이 가능하고, 웨이퍼 레벨에서 복수의 KGD 들을 일괄접합하는 것이 가능하므로, 향후 TSV 기술의 양산화를 실현하는데 적합한 고속 고정밀 접합 기술로서 기대가 크다. 현재 본 연구실에서는 두께가 $50{\mu}m$ 이하의 얇은 LSI 칩 및 메탈범프가 형성된 LSI 칩 등을 이용하여, self-assembly 기술에 의한 삼차원 적층형 집적회로 구현을 위한 접합기술을 개발 중에 있다.

Friction Welding of Ni-Base ODS Alloy Prepared by Mechanical Alloying (기계적 합금법으로 제조된 Ni기 산화물 분산강화 합금의 마찰압접에 관한 연구)

  • 강지훈;박성계;김지순;권영순
    • Proceedings of the Korean Powder Metallurgy Institute Conference
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    • 1994.10b
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    • pp.15-15
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    • 1994
  • M MA ODS 합금의 보다 폭넓용 실용확훌 위해 크게 요구되고 있는 적정 접합기술 개발의 한 방안£로, 마찰압접(Friction Welding) 방법의 가능성옳 조사하기 위하여 마찰압력과 시간, 마 찰 후 접촉압력(Upset Pressure) 풍을 다양하게 변화시켜 접합체톨 제조한 후, 접합체 강도에 대한 인장시험과 접합계연의 결합 및 미세구조에 대한 현미경 관찰, EDS에 의한 원소분석, 접 합이옴부의 경도분포와 파단면 분석 풍율 행하였다. 실험에 사용된 모재는 기계적 합금법으로 제조된 Inca사의 Ni기 MA 754 합금이었으며, 직경 l 10 mm, 길이 50 mm로 가공한 후, 아세통£로 초음파 세척하여 접합에 사용하였다. 접합온 브 레이크식 마찰압접기틀 사용하여 행하였으며, 회전시험편의 회전수는 2400 rpm이었A며, 다른 한쪽의 고정시험편과의 마찰압력 및 마찰시간온 각각 50 - 500 MPa과 1-5초로, 또한 업셋압 력도 50 - 600 MPa로 변화시켰다. 이때 업셋압력은 모든 시편에 대해 일정하게 6초동안 가하 였다. 얻어진 접합체는 각 압접조건 당 2개 이상의 접합시험편에 대해 상온 인장강도톨 측정하 였으며, 파단이 일어난 위치를 확인한 후 파면에 대한 분석율 주사전자현미경(SEM)과 에너지 분산형 분광분석기mDS)릎 사용하여 행하였다. 컵합이옴부의 첩합성올 확인하기 위하여, 접합 체를 접합변에 수직으로 절단, 연마한 후 광학현미경과 SEM, EDS 퉁으로 관찰, 분석하여 접 합부의 형상과 결합형성 여부, 접합계면의 미세조직 퉁옳 조사하였다. 또한 마찰압접에 따론 모재와 접합계연부의 경도분포훌 접합이옴부로부터 모재쪽으로 일정 간격율 두어 마이크로 비 커스 경도기로 측정, 조사하였다. 이상의 설험 결과, 다옴과 같온 결론옳 얻었다. ( (1) 접합체 강도가 모채 강도의 95% 이상이 되는 양호한 렵합체흩 얻기 위한 마찰압력 조건 온, 2400 rpm의 회전속도와 6초의 업셋압력 유지시간에서 마찰압력과 업셋압력, 그리고 마찰시 간이 각각 400 MPa 이상과 500 MPa 이상,2초입율 확인하였다. ( (2) 컵합이옴부의 관찰 결과, 모든 마찰압접 조건에서 컵합이옴부는, 기폰 모재의 texture 조직 을 유지하고 있는 모재부 영역(영역 ill)과 첩합계면부에 인접하여 업셋압력이 주어질 때 단조 효과에 의해 계연 외부로 metal flow가 일어나면서 형성된 영역 II, 매우 미세한 결정립으로 구성된 중앙부의 영역 1 로 이투어져 있옴융 확인하였다. ( (3) 최적접합조건이 충족되지 않온 경우, 접합부의 영역 I 에서 관찰된 void와 균열, 불균일한 접합계면 통의 접합결함에 Al과 Y. Ti 퉁£로 구성된 산화물률이 용집되어 있옴을 확인하였 다-( (4) 접합체의 파단 양상온 크게 접합부 파단과 모재부 파단, 이률의 혼합형 파단i로 나눌수 있었다. 모재부 파단의 경우, 파단면이 매끄럽고 파변상의 결정립도 매우 미세하였으며, 산확물 의 용집도 찾아보기 어려웠 나, 접합부 파단의 경우에는 파변의 굴곡이 비교척 심하고 연성 입계파괴의 형태를 보였£며, 결정립도 모채부 파단의 경우에 비해 조대하였다. 조대하였다.

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The Direct Bonding of Copper to Alumina by $Cu-Cu_2$O Eutectic Reaction (Cu-C$u_2$O의 공정반응에 의한 구리와 알루미나의 직접접합)

  • Yu, Hwan-Seong;Lee, Im-Yeol
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.2 no.4
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    • pp.241-247
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    • 1992
  • The direct bonding of Cu to $Al_2O_3$, employing the $Cu-Cu_2$O eutectic skin melt, is investigated. The bonding force and interface structure of samples prepared by oxidation at $1015^{\circ}C$ in $1.5{\times}10^{-1}$torr followed by bonding at 107$5^{\circ}C$ under $10_{-3}$ torr vacuum have been studied using peeling test, SEM, EDS and XRD. It has been found that the optimal strength is obtained for 3 minutes of oxidation while the adhesion force is decreased with oxidation shorter or longer than 3 minutes. The rupture occured at alumina-eutectic interface. Fractured surface of $Al_2O_3$covered with $Cu_2$O nodules pulled out of the Cu indicates that bonding strength is governed by $Cu-Cu_2$O interface and not by $Cu_2$O-A$l_2O_3$interface. The bonding force is slightly increased with bonding time and the reaction phases of CuA$l_2O_4$and $CuAlO_2$are formed at interface during the bonding.

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Study on the pn Junction Device Using the POCl3 Precursor (POCl3를 사용한 pn접합 소자에 관한 연구)

  • Oh, Teresa
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.19 no.5
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    • pp.391-396
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    • 2010
  • The pn junction for solar cell was prepared on p-type Si wafer by the furnace using the $POCl_3$ and oxygen mixed precursor to research the characteristic of interface at pn junction. The sheet resistance was decreased in accordance with the increasing the diffusion process time for n-type doping on p-type Si wafer. The electron affinity at the interface in the pn junction was decreased with increasing the amount of n-type doping and the sheet resistance also decreased. Consequently, the drift current due to the generation of EHP increased because of low potential barrier. The efficiency and fill factor were increased at the solar cell with increasing the diffusion process time.

Diffusion Process for PN Junction in Solar Cell (PN 접합을 만들기 위한 확산공정)

  • Oh, Teresa
    • Proceedings of the KAIS Fall Conference
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    • 2011.05a
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    • pp.196-197
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    • 2011
  • 실리콘 태양전지의 pn 접합 계면특성을 조사하기 위해서 p형 실리콘 기판 위에 전기로를 이용한 $POCl_3$ 공정을 통하여 n형의 불순물을 주입하여 pn접합을 만들었다. n형 불순물의 확산되어 들어가는 공정시간이 길고 공정온도가 높을수록 면저항은 줄어들었다. n형 불순물의 주입이 많아질수록 pn 접합 계면에서의 전자친화도가 줄어들면서 면저항은 감소되었다고 할 수 있다. n형 반도체의 페르미레벨이 높아지면서 공핍층도 생기지만 n형 불순물이 많아지면서 공핍층의 폭은 점점 좁아지고 쇼키 장벽의 높이도 낮아지면서 자유전자와 홀 쌍의 이동이 쉽게 이루어지게 되었다. n형의 불순물 확산공정시간이 긴 태양전지 셀에서 F.F. 계수가 높게 나타났으며, 효율도 높게 나타났다.

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