플라즈마를 이용하여 PET표면에 나노구조를 형성시킨 후 무전해 도금에 의해 구리를 코팅함으로써 플랙서블한 Cu/PET 기판을 제조하였다. 플라즈마 에칭시간을 달리하여 나노구조의 크기와 모양을 변화시켰으며 나노구조의 크기와 모양의 변화에 따른 Cu와 PET의 접합강도와 피로특성을 평가하였다.
기존의 기울기 연산자나 표면 접합에 의한 윤곽 추출과는 달리 본 논문에서는 윤곽 추출을 위해 강인한 이진 형태론을 이용한 윤곽 추출 알고리즘을 제안하였다. 제안된 알고리즘에서는 전처리 과정으로 원영상을 임계 처리시킨 후, 강인한 이진 형태론 확률 기법과 여과을 적용함으로써 영상 윤곽 추출률을 높이고자 하였으며, 가변적으로 콜리지 확률의 교집합만을 적용하여 효율적인 윤곽 추출을 얻기 위한 조건들에 대해 연구하였다. 특히, 제안된 알고리즘은 일반적으로 많이 사용되고 있는 기울기 연산자나 Laplacian 연산자보다 윤곽 추출에 있어서 처리 시간과 저장 용량이 개선되었다.
제 1주제에는 총 106편의 논문이 접수되었으며, 이 논문들의 내용, 성격, 해석방법 등을 정리하였다. 일반적으로 논문의 수준은 모두 우수했으며, 구두발표를 위한 논문을 선정하는데 어려움이 있었다. 해석적인 방법에 있어서는 수치해석 방법이, 계측에 있어서는 직접 계측방법이 가장 일반적으로 사용되었다. 논문 면 수에 제한이 있었기 때문에 대부분의 저자들은 자세한 해석내용을 생략하고 있었다. 특이한 점은 암석역학과 유체동력학과의 접합이라 할 수 있으며, 암반 안전성에 미치는 시간의 영향 등에 대한 연구가 계속적으로 이루어져야 한다.
자성터널접합(magnetic tunnel junction: MTJ)소자의 AlO$_{x}$터널장벽 절연층을 플라즈마 산화법으로 2번에 나누어 금속증착.산화를 반복하여 만들어 보았다. 이중산화I그룹은 10A의 $\AA$의 Al 하부 절연막을 증착하고 산화시간을 10 s로 완성한 후 그 위에 13$\AA$의 Al을성막하고 50, 80, 120s간 산화시켜 완성한 절연막의 특성을 알아보았다. 이중산화II그룹은 10$\AA$봐 Al하부 절연막의 산화시간을 30~120 s간 달리하고 그 위에 13 $\AA$의 Al을 성막하고 210 s간 산화시켜 완성한 절연막의 특성을 알아보았다. 이중산화공정으로 제조된 시편은 전 실험범위에서 자기저항비(magnetoresistance: MR)는 27% 이상으로 우수하였고, 이는 13 $\AA$의 Al을 증착하고 한번만 산화시키는 통상의 단일산화에 비해 MR비가 우수하고 공정범위가 넓었다. 수직단면 투과전자현미경(transmission electron microscope: TEM)으로 미세구조를 확인한 결과 이중산화가 단일산화보다도 더 얇고 균일한 두께를 유지함을 알 수 있었다 X선광전자분석(X-ray photoelectron spectroscopy: XPS)으로 확인한 결과 이중산화는 절연막층 하부 CoFe 자성층의 Fe의 산화를 방지하여, 결과적으로 단일산화법에 비해서 하부자성층의 산화를 방지하여 긴 산화시간 공정 범위에서도 우수한 MR비를 가질 수 있었다.
본 논문은 Qi 시스템 제어를 위한 지능형 디지털 재설계 접근 방안을 제안한다. 디지털 재설계란, 기존의 안정화 된 연속시간 플랜트와 이산 시간에서 설계된 디지털 제어기와의 상태 접합 및 안정도 분석을 통해 전체 시스템을 재구성 하는 것을 말한다. 퍼지 모델링을 통해 Qi 시스템을 퍼지 규칙으로 표현하며, 디지털 재설계를 통해 재설계된 디지털 제어기를 통해 이를 제어하게 된다. 주어진 조건은 LMI를 통해 표현되며, 시스템의 안정도를 증명함으로써 디지털 제어기절계의 활용성 및 가능성을 검증하고자 한다.
일반적으로, Thyristor와 같은 반도체 소자는 수명이 반영구적이라고 알려져 왔으나, 실제로는 사용 시간이 지남에 따라 열화 과정을 가지는 것으로 보고되고 있다. 이는 소자 제조 공정상의 결함이나 가공 불량, 소자 접합면에 존재하는 물리적 불균질성 등이 원인이 되는데 이들 원인으로 인해 반도체 소자내에 취약부위가 존재하게 된다. Thyristor 소자 응용 시스템에 있어서, 운용 중 발생되는 전기적 물리적 스트레스는 Thyristor 소자내의 취약부위에 집중되는데, 시간이 지남에 따라 취약부위가 확산되고 열화가 가속되어 갑작스런 소자 파손으로 이어지게 된다. 본 논문에서는 Thyristor 소자의 열화 과정을 이론적인 측면에서 해석하고, 실제 산업현장에서의 Thyristor 열화 발생 사례를 중심으로 대용량 Thyristor의 열화 평가방법에 대하여 고찰한다.
The transient temperature distribution in the continuous friction welding 304 stainless steel bars is investigated by experimental and analytical methods. It is calculated by F.D.M. (finite difference method). The heating pressure, the rotational speed and friction coefficient obtained from experiment are used to determine the heat input at the contacting surface. Thermal properties of the workpiece are the function of temperature. The calculated temperature is well coincided with the measured value. The grain size at weld interface is extremely small due to the severe plastic deformation at high temperature, and result of this refined zone reveals higher hardness value. Because the HAZ is very narror about 2-3 mm, welding defects do not occure.
The effect of Si content in welding wires on th arc stability was investigate, in the region of short circuit transfer and spray transfer. In the region of short circuit transfer, with increasing Si content, average arcing time and average short circuit time were increased. Therefore, droplet transfer frequency was decreased, due to the increase of arcing time and peak current at the moment of arc-reiginition was increased, due to the increase of short circuit time. In the region of spray transfer, the fluctuations of arc current and arc voltage was the most stable in wire with Si content of about 00.60 wt.%.
High temperature low cycle fatigue crack growth behavior is investigated over a range of two temperatures and various frequencies in SUS 304 stainless steel. It is found that low frequency and temperature can enhance time-dependent crack growth. With high temperature, low frequency and long crack length, ${\Delta}J_c/{\Delta}J_ f$, the ratio of creep J integral range to fatigue J integral range is increased and time-dependent crack growth is accelerated. Interaction between ${\Delta}J_f$ and ${\Delta}J_c$ is occured at high frequency and low temparature and ${\Delta}J_c$, creep J integral range is fracture mechanical parameter on transition from cycle-dependent to time dependent crack growth in creep temperature region.
TZM합금은 융점이 높은 Mo 기지에 미세한 (Zr,Ti)C의 석출물이 분산되어 있어 고온에서 다양한 부품에 응용가능하다. 하지만, TZM합금이 대기중 고온에 노출될 경우, 초기 산화물이며 약 $600^{\circ}C$부터 기화가 시작되는 $MoO_3$상이 형성됨으로써 물성에 치명적인 영향을 미친다. 이러한 산화거동을 막기 위하여 표면보호 코팅을 필요로 한다. 본 연구에서는 복잡한 형상과 대량생산이 가능하며 표면 코팅층과 모재의 접합성이 가장 강하다고 알려진 확산코팅법을 이용하여 Si을 TZM 합금에 코팅하였으며, 코팅층의 형성 속도론을 이해하기 위하여 온도별 및 시간별로 코팅을 수행하여 시간과 온도에 따른 코팅층의 형성 기구를 고찰하고자 하였다. Si의 확산코팅결과, $MoSi_2$층은 $1350^{\circ}C$에서 산화시에 두께가 감소하였으며, $Mo_5Si_3$상은 두께가 성장하였다. 코팅층의 확산거동을 속도론적 분석을 통하여 규명하고 논의하고자 한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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